【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻胶添加剂，其能用于光刻胶流平剂的用途，本专利技术还涉及光刻胶组合物。
技术介绍
1、正性光刻胶在面板tft制程以及半导体制程中用于图形化、平坦化层，作为关键材料决定着制程的良率。随着线路精细化程度的不断提高，制程工艺对光刻胶涂膜均一性的要求越来越高。传统技术通过添加流平剂、增塑剂、高沸点溶剂等技术手段在提高涂膜性能方面具有一定的效果，但在应用于高粘度光刻胶及厚膜光刻胶时效果不佳，时常出现涂膜不均、厚边、mura等问题。以传统流平剂为例，其原理是通过降低溶剂的表面张力来提高与基材的浸润性来达到涂膜的效果，其对大分子树脂的带动迁移能力较差，为防止缩孔、缩边等涂膜问题出现，传统技术往往通过提高流平剂的用量来改善上述问题，但流平剂使用量的增加会带来膜厚均一性下降、流动性下降等负面效果，因此急需研究开发新型光刻胶添加剂。
技术实现思路
1、本专利技术人经过深入研究，对光刻胶中的流平剂成分进行了细化设计，致力于利用高分子成分实现流平效果，改善光刻胶涂膜效果，开发出一种添加剂用于正性光刻胶，该添加剂可带动树脂分子迁移达到提升涂膜性能的目的，可兼顾改善光刻胶涂膜均一性以及光刻胶与基材的浸润性，特别是应用于高粘度光刻胶、厚膜光刻胶有着优异的效果。除改善涂膜性能外，经研究本专利技术添加剂在改善光刻胶耐含氧等离子刻蚀方面也有着特殊的技术效果。更具体而言，本专利技术提供的添加剂可以提升高粘度光刻胶及厚膜光刻胶的涂膜性能，且在提升光刻胶耐含氧等离子刻蚀方面具有特殊的效果。
3、
4、r1、r2、r3、r4各自独立地为h、f、si、c1-c10的脂肪族烃基或含氟脂肪族烃基、c6-c30的芳基或含氟的c6-c30芳基、c3-c30的杂芳基或含氟的c3-c30杂芳基，此处杂芳基或含氟杂芳基中的杂原子为氮原子，条件是：r1-r4中至少有一个氟原子，r1-r4中至少有一个为c3-c30的含氮杂芳基；所述聚合物的分子量mw为3000-23000，所有式(1)结构片段中的m的总和为5-20，所有式(2)结构片段中的n的总和为7-30。
5、本专利技术中需要说明的是，除非在下文中另有定义，本文中所用的所有技术术语和科学术语的含义意图与本领域技术人员通常所理解的相同。提及本文中使用的技术意图指在本领域中通常所理解的技术，包括那些对本领域技术人员显而易见的技术的变化或等效技术的替换。虽然相信以下术语对于本领域技术人员很好理解，但仍然阐述以下定义以更好地解释本专利技术。
6、在本说明书中，ca～cb的表达方式表示该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。当描述c1～c30时，其包括但不限于c1、c2、c3、c4、c3、c6、c7、c8、c9、c10、c11、c12、c13、c14、c15、c16、c17、c18、c19、c20、c22、c24、c26、c28等，其他的数值范围不做赘述。
7、术语“包括”、“包含”、“具有”、“含有”或“涉及”及其在本文中的其它变体形式为包含性的(inclusive)或开放式的，且不排除其它未列举的元素或方法步骤。
8、本专利技术中，对于化学元素的表述，若无特别说明，通常包含化学性质相同的同位素的概念，例如“氢”的表述，也包括化学性质相同的“氘”、“氚”的概念，碳(c)则包括12c、13c等，不再赘述。
9、如本文中所使用，术语“(亚)芳基”和“芳环”指具有共轭π电子系统的全碳单环或稠合环多环芳族基团。如本文中所使用，术语“(亚)杂芳基”和“杂芳环”指单环、双环或三环芳族环系。其中所述芳基和杂芳基如本文中所定义。若无特别说明，芳香性或杂芳香性是满足π共轭体系的芳香基团，均包括单环残基和稠环残基的情况。
10、在本说明书中，取代或未取代的c6～c60芳基优选为c6～c30芳基，更优选为由苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基所组成的群组中的基团。具体地，联苯基选自2-联苯基、3-联苯基和4-联苯基；三联苯基包括对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基和间-三联苯基-2-基；所述萘基包括1-萘基或2-萘基；蒽基选自由1-蒽基、2-蒽基和9-蒽基；所述芴基选自由1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基；所述芘基选自由1-芘基、2-芘基和4-芘基；并四苯基选自由1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基。作为本专利技术中的芳基的优选例，可举出由苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基及其衍生物、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、基和并四苯基所组成的组中的基团。所述联苯基选自2-联苯基、3-联苯基和4-联苯基；所述三联苯基包括对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基和间-三联苯基-2-基；所述萘基包括1-萘基或2-萘基；所述蒽基选自由1-蒽基、2-蒽基和9-蒽基所组成的组中；所述芴基选自由1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基所组成的组中；所述芴基衍生物选自由9，9-二甲基芴、9，9-螺二芴和苯并芴所组成的组中；所述芘基选自由1-芘基、2-芘基和4-芘基所组成的组中；所述并四苯基选自由1-并四苯基、2-并四苯基和9-并四苯基所组成的组中。本专利技术的c6～c60芳基还可以是上述基团以单键连接或/和稠合所组合而成的基团。
11、在本说明书中，取代或未取代的c3～c60杂芳基优选为c3～c30杂芳基，更优选为含氮杂芳基、含氧杂芳基、含硫杂芳基等，具体的例子可举出：呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、异苯并噻吩基、吲哚基、异吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并-5，6-喹啉基、苯并-6，7-喹啉基、苯并-7，8-喹啉基、吩噻嗪基、吩嗪基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、嗯唑基、苯并嗯唑基、萘并嗯唑基、蒽并嗯唑基、菲并嗯唑基、1，2-噻唑基、1，3-噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1，5-二氮杂蒽基、2，7-二氮杂芘基、2，3-二氮杂芘基、1，6-二氮杂芘基、1，8-二氮杂芘基、4，5-二氮杂芘基、4，5，9，10-四氮杂茈基、吡嗪基、吩嗪基、吩噻嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、菲咯啉基、1，2，3-三唑基、1，2，4-三唑基、苯并三唑基、1，2，3-噁二唑基、1，2，4-嗯二唑基、1，2，5_嗯二唑基、1本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光刻胶添加剂，该添加剂为主链或支链中包含以下式(1)和式(2)的结构片段的聚合物，
2.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，所述聚合物为由式(1)和式(2)的结构片段构成的聚合物，其分子量为4000-13000，所有式(1)结构片段中的m的总和为8-20，所有式(2)结构片段中的n的总和为10-30，分子量分布为1.2-1.8，
3.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，R1-R4中除了含有一个氟原子的基团或者C3-C30的含氮杂芳基以外的基团，各自独立地选自下述基团：
4.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，R1-R4各自独立地选自下述基团：
5.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，R1-R4中至少有一个为具有咪唑结构的基团。
6.权利要求1～5中任一项所述的光刻胶添加剂作为流平剂的用途。
7.一种光刻胶组合物，所述组合物包括碱溶性树脂、光敏剂、交联剂、权利要求1～5中任一项所述的光刻胶添加剂和溶剂。
8.根据权利要求7所述的光刻胶组
9.根据权利要求7所述的光刻胶组合物，其中，碱溶性树脂为线型酚醛树脂或聚酰胺酸树脂，
10.根据权利要求7所述的光刻胶组合物，其中，交联剂为氨基类交联剂、环氧类交联剂、醚类交联剂或尿素类交联剂，
11.根据权利要求7所述的光刻胶组合物，其中，
12.根据权利要求7所述的光刻胶组合物，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶添加剂，该添加剂为主链或支链中包含以下式(1)和式(2)的结构片段的聚合物，
2.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，所述聚合物为由式(1)和式(2)的结构片段构成的聚合物，其分子量为4000-13000，所有式(1)结构片段中的m的总和为8-20，所有式(2)结构片段中的n的总和为10-30，分子量分布为1.2-1.8，
3.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，r1-r4中除了含有一个氟原子的基团或者c3-c30的含氮杂芳基以外的基团，各自独立地选自下述基团：
4.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，r1-r4各自独立地选自下述基团：
5.根据权利要求1所述的一种光刻胶添加剂，其特征在于，r1-r4中至少有一个为具有咪唑结构的基团。
6.权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李青松，刘永祥，杨鹏，韩红彦，焦成成，
申请(专利权)人：合肥鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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