【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及扬声器，具体为一种超高灵敏度的mems扬声器及线圈的生产工艺。
技术介绍
1、传统的mems扬声器大多采用压电振动的原理，但是需要1v以上的驱动电压，这样mems扬声器就需要额外的功放芯片。一方面会增加成本，另一方面增加了mems扬声器的功耗。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种超高灵敏度的mems扬声器及线圈的生产工艺，从而解决了现有技术中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种超高灵敏度的mems扬声器，包括外壳以及设置于外壳底部的电路板，所述外壳和电路板形成的腔室内设置有呈上下分布的上磁路和下磁路，所述下磁路上设置分布有焊盘并用于焊接线圈引线正负极的支撑环，支撑环上设置振动系统。
4、进一步地，所述振动系统包括振动薄膜和线圈绝缘层组，振动薄膜上设置有线圈绝缘层组，振动薄膜的厚度为2um～50um，所述线圈绝缘层组包括绝缘层一、绝缘层二和绝缘层三，绝缘层一、绝缘层二和绝缘层三自下而上设置，所述绝缘层一、绝缘层二和绝缘层三为uv正性光刻胶。
5、进一步地，所述线圈绝缘层组包括线圈一、线圈二、线圈三和线圈四，线圈一设置于振动薄膜上，线圈一与线圈二之间设置绝缘层一，线圈二与线圈三之间设置绝缘层二，线圈三和线圈四之间设置绝缘层三，线圈一、线圈二、线圈三和线圈四的材质为导电银浆。
6、进一步地，所述振动薄膜选用具有柔性并且能够半导体蚀刻凹槽的材料，振膜形状为圆形、方形或跑道形
7、进一步地，所述上磁路和下磁路均包括内磁铁和外磁铁，内磁设置于外磁的中央，上磁路位于支撑环的上方，下磁路位于支撑环的下方，上磁路和下磁路的磁铁材质为铷铁硼，磁铁形状为圆形或者方形，跑道形状，内磁铁和外磁铁的磁性相反。
8、超高灵敏度的mems扬声器线圈的生产工艺，用于生产超高灵敏度的mems扬声器的线圈，包括如下步骤：
9、先在振动薄膜附上线圈一，在线圈一上通过涂布方式将绝缘层一覆盖在线圈一表面；
10、在线圈一表面涂完绝缘层一之后，进行铺设线圈二，铺设完线圈二后再附绝缘层二，以此类推，绝缘层和线圈相间隔。
11、进一步地，线圈一的其中一个触点伸出绝缘层一外不涂覆，该触点与其中一个焊盘焊接，线圈一的另一个触点以及线圈二、线圈三和线圈四的触点不涂覆。
12、进一步地，所述振动薄膜附上线圈一的方法包括：
13、通过半导体的微米级丝印线路技术，将液体的导电银浆按照设计的形状涂覆于振动薄膜上，绝缘层一的线路之间预留1um-10um的间隙防止短路。
14、进一步地，振动薄膜附上线圈一的方法包括：
15、通过微机电铸造技术将绝缘层线路形状制作成模具，再将导电银浆浇筑在振动薄膜上面。
16、进一步地，所述线圈一、线圈二、线圈三和线圈四之间的导通方法如下：
17、线圈一另一个触点和线圈二的一个触点相连，线圈二的另一个触点与线圈三的一个触点相连，线圈三的另一个触点与线圈四的一个触点相连，线圈四的另一个触点与另一个焊盘焊接。
18、与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
19、本专利技术采用线圈和振动薄膜结合的方式，利用半导体工艺，将线圈做成多层，线圈厚度0.1mm以内，采用半导体打印机和微机电铸造模具技术，将导电银浆附在振动薄膜上面形成线圈，由于半导体工艺线圈的线宽和厚度做到10um以内，所以线圈可以附多层，层数越多，线圈长度越长，根据洛伦兹力f＝bil，线圈长度l增加一倍，f增加一倍，所以喇叭的灵敏度会高3db以上，通过半导体工艺做的多层线圈，mems扬声器的厚度可以做到1.0mm，产品灵敏度比传统mems高50％。
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1.一种超高灵敏度的MEMS扬声器，包括外壳(1)以及设置于外壳(1)底部的电路板(2)，其特征在于，所述外壳(1)和电路板(2)形成的腔室内设置有呈上下分布的上磁路和下磁路，所述下磁路上设置分布有焊盘并用于焊接线圈引线正负极的支撑环(3)，支撑环(3)上设置振动系统。
2.根据权利要求1所述的超高灵敏度的MEMS扬声器，其特征在于，所述振动系统包括振动薄膜(4)和线圈绝缘层组，振动薄膜(4)上设置有线圈绝缘层组，振动薄膜(4)的厚度为2um～50um，所述线圈绝缘层组包括绝缘层一(5)、绝缘层二(6)和绝缘层三(7)，绝缘层一(5)、绝缘层二(6)和绝缘层三(7)自下而上设置，所述绝缘层一(5)、绝缘层二(6)和绝缘层三(7)为UV正性光刻胶。
3.根据权利要求2所述的超高灵敏度的MEMS扬声器，其特征在于，所述线圈绝缘层组包括线圈一(8)、线圈二(9)、线圈三(10)和线圈四(11)，线圈一(8)设置于振动薄膜(4)上，线圈一(8)与线圈二(9)之间设置绝缘层一(5)，线圈二(9)与线圈三(10)之间设置绝缘层二(6)，线圈三(10)和线圈四(11)之
4.根据权利要求1所述的超高灵敏度的MEMS扬声器，其特征在于，所述振动薄膜(4)选用具有柔性并且能够半导体蚀刻凹槽的材料，振动薄膜(4)形状为圆形、方形或跑道形状。
5.根据权利要求1所述的超高灵敏度的MEMS扬声器，其特征在于，所述上磁路和下磁路均包括内磁铁(12)和外磁铁(13)，内磁(12)设置于外磁(13)的中央，上磁路位于支撑环(3)的上方，下磁路位于支撑环(3)的下方，上磁路和下磁路的磁铁材质为铷铁硼，磁铁形状为圆形或者方形，跑道形状，内磁铁(12)和外磁铁(13)的磁性相反。
6.超高灵敏度的MEMS扬声器线圈的生产工艺，用于生产权利要求1-5任一项所述的超高灵敏度的MEMS扬声器的线圈，其特征在于，包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的超高灵敏度的MEMS扬声器线圈的生产工艺，其特征在于，线圈一(8)的其中一个触点伸出绝缘层一(5)外不涂覆，该触点与其中一个焊盘焊接，线圈一(8)的另一个触点以及线圈二(9)、线圈三(10)和线圈四(11)的触点不涂覆。
8.根据权利要求6所述的超高灵敏度的MEMS扬声器线圈的生产工艺，其特征在于，所述振动薄膜(4)附上线圈一(8)的方法包括：
9.根据权利要求6所述的超高灵敏度的MEMS扬声器线圈的生产工艺，其特征在于，振动薄膜(4)附上线圈一(8)的方法包括：
10.根据权利要求1所述的超高灵敏度的MEMS扬声器线圈的生产工艺，其特征在于，所述线圈一(8)、线圈二(9)、线圈三(10)和线圈四(11)之间的导通方法如下：
...【技术特征摘要】
1.一种超高灵敏度的mems扬声器，包括外壳(1)以及设置于外壳(1)底部的电路板(2)，其特征在于，所述外壳(1)和电路板(2)形成的腔室内设置有呈上下分布的上磁路和下磁路，所述下磁路上设置分布有焊盘并用于焊接线圈引线正负极的支撑环(3)，支撑环(3)上设置振动系统。
2.根据权利要求1所述的超高灵敏度的mems扬声器，其特征在于，所述振动系统包括振动薄膜(4)和线圈绝缘层组，振动薄膜(4)上设置有线圈绝缘层组，振动薄膜(4)的厚度为2um～50um，所述线圈绝缘层组包括绝缘层一(5)、绝缘层二(6)和绝缘层三(7)，绝缘层一(5)、绝缘层二(6)和绝缘层三(7)自下而上设置，所述绝缘层一(5)、绝缘层二(6)和绝缘层三(7)为uv正性光刻胶。
3.根据权利要求2所述的超高灵敏度的mems扬声器，其特征在于，所述线圈绝缘层组包括线圈一(8)、线圈二(9)、线圈三(10)和线圈四(11)，线圈一(8)设置于振动薄膜(4)上，线圈一(8)与线圈二(9)之间设置绝缘层一(5)，线圈二(9)与线圈三(10)之间设置绝缘层二(6)，线圈三(10)和线圈四(11)之间设置绝缘层三(7)，线圈一(8)、线圈二(9)、线圈三(10)和线圈四(11)的材质为导电银浆。
4.根据权利要求1所述的超高灵敏度的mems扬声器，其特征在于，所述振动薄膜(4)选用具有柔性并且能够半导体蚀刻凹槽的材料，振动薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，
申请(专利权)人：安徽华韵声学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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