【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制作方法。
技术介绍
1、太阳能电池是利用太阳能的一种装置，通过光电效应直接把光能转化成电能。
2、目前的太阳能电池主要包括ibc电池(交叉背电极接触电池，interdigitatedbackcontact)、topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)电池、perc电池(钝化发射极和背面电池，passivated emitter and real cell)、异质结电池以及双面太阳能电池等。
3、目前，如何提高太阳能电池的钝化效果，是当前行业亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制作方法，以提高太阳能电池的钝化效果。
2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：半导体基底。半导体基底的至少一个表面上具有多个多边形结构，多边形结构在半导体基底上的正投影包括至少两条相对平行分布的边。至少部分多边形结构沿第一直线排列，第一直线的延伸方向与任一多边形结构在半导体基底上的正投影所包括的相对平行的两条边的延伸方向之间具有夹角a，0°≤a≤90°。具有多边形结构的表面中，除多边形结构以外的表面所处的平面为水平面，多边形结构相对于水平面凹陷。
3、本专利技术提供的太阳能电池中，相比于具有多边形结构的表面为水平面，本专利技术中
4、在一种实现方式中，多边形结构在半导体基底上的正投影为四边形，且四边形中任意相邻的两个边之间的夹角为直角。
5、采用上述技术方案的情况下，可以进一步增加具有多个多边形结构的表面的比表面积。此时，不仅可以进一步增强后期形成在该表面上的钝化层的附着力，以进一步提高太阳能电池的钝化效果。同时还可以进一步提高光的折射，使更多光线传输到太阳能电池的半导体基底内，以进一步提高陷光作用，提高半导体基底对光线的利用率，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
6、在一种实现方式中，具有多边形结构的表面为半导体基底的侧面；和/或，具有多边形结构的表面为半导体基底的向光面或背光面。
7、在一种实现方式中，至少相邻两个多边形结构之间具有重叠部分。
8、采用上述技术方案的情况下，使得后期形成在具有多边形结构的表面上的钝化层更加均匀，钝化层的成膜质量更好，钝化层的致密性更好，从而提高了太阳能电池的钝化效果。
9、在一种实现方式中，至少相邻两个多边形结构间隔分布。
10、采用上述技术方案的情况下，由于至少相邻两个多边形结构间隔分布，因此相邻两个多边形结构之间具有起伏，此时可以提高该表面的陷光作用，提高半导体基底对光线的利用率，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
11、在一种实现方式中，至少相邻两个多边形结构之间具有重叠部分，至少相邻两个多边形结构间隔分布。
12、采用上述技术方案的情况下，结合前文描述，相比于现有技术不仅可以提高太阳能电池的钝化效果，同时还可以提高太阳能电池的光电转换效率。换言之，可以兼顾太阳能电池的钝化效果和光电转换效率。并且，可以根据实际需要进行设置，以扩大太阳能电池的适用范围，满足不同的需求。
13、在一种实现方式中，沿着深入半导体基底内部的方向，多边形结构具有相对设置的顶部开口和底面，以及位于底面和顶部开口之间的侧壁，顶部开口在半导体基底上的正投影面积大于底面在半导体基底上的正投影面积。
14、采用上述技术方案的情况下，顶部开口在半导体基底上的正投影面积大于底面在半导体基底上的正投影面积，有利于后期在半导体基底上形成膜层时，膜层均匀填充满多边形结构，避免在膜层和多边形结构之间形成空隙，在减少太阳能电池的缺陷数量的同时，提高膜层的均匀性以及成膜质量。示例性的，当后期在半导体基底上形成的膜层为钝化层时，可以使得形成的钝化层更加均匀，钝化层的成膜质量更好，钝化层的致密性更好，从而提高太阳能电池的钝化效果。进一步地，顶部开口在半导体基底上的正投影面积大于底面在半导体基底上的正投影面积时，有利于进一步增大具有多个相对于水平面凹陷的多边形结构的表面的比表面积。此时，不仅可以进一步增强后期形成在该表面上的钝化层的附着力，从而进一步提高太阳能电池的钝化效果；同时还可以进一步提高光的折射，使更多光线传输到太阳能电池的半导体基底内，以进一步提高陷光作用，提高半导体基底对光线的利用率，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
15、在一种实现方式中，太阳能电池还包括：依次层叠在半导体基底表面上的掺杂导电层和钝化层。
16、采用上述技术方案的情况下，掺杂导电层起到场钝化效果。具体的，在半导体基底的表面形成一个指向半导体基底内部的静电场，使少数载流子逃离界面，从而降低少数载流子浓度，使得半导体基底界面处的载流子复合速率降低，从而使太阳能电池的开路电压、短路电流以及填充因子增大，提升太阳能电池的光电转换效率。
17、在一种实现方式中，太阳能电池还包括：形成在多边形结构上的纹理结构。掺杂导电层具有贯穿掺杂导电层的第一孔洞，至少部分第一孔洞与纹理结构对应，钝化层填充第一孔洞且覆盖纹理结构。
18、采用上述技术方案的情况下，上述纹理结构和第一孔洞均有利于陷光，使更多光线传输到太阳能电池的半导体基底内，提高太阳能电池的光电转换效率。
19、在一种实现方式中，纹理结构为金字塔型纹理结构；和/或，第一孔洞的一维尺寸大于等于1nm且小于等于10μm。
20、采用上述技术方案的情况下，金字塔型纹理结构的比表面积大、且具有陷光作用。因此当纹理结构为金字塔型纹理结构时，可以使更多光线经金字塔型纹理结构传输到半导体基底内，使得太阳能电池具有较高的光电转换效率。
21、在一种实现方式中，掺杂导电层包括掺杂多晶硅层、掺杂非晶硅层、掺杂微晶硅层中的任意一种或多种叠层组合。钝化层包括氧化硅钝化层、氧化铝钝化层、氮氧化硅钝化层、氮化硅钝化层中的任意一种或多种叠层组合。
22、在一种实现方式中，多边形结构在半导体基底上的正投影的长度大于等于10μm且小于等于100μm；多边形本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基底；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多边形结构在所述半导体基底上的正投影为四边形，且所述四边形中任意相邻的两个边之间的夹角为直角。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，具有所述多边形结构的表面为所述半导体基底的侧面；和/或，具有所述多边形结构的表面为所述半导体基底的向光面或背光面。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，至少相邻两个所述多边形结构之间具有重叠部分；和/或，至少相邻两个所述多边形结构间隔分布。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿着深入所述半导体基底内部的方向，所述多边形结构具有相对设置的顶部开口和底面，以及位于所述底面和所述顶部开口之间的侧壁；
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：依次层叠在所述半导体基底表面上的掺杂导电层和钝化层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：形成在所述多边形结构上的纹理结构；
8.根据
9.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层包括掺杂多晶硅层、掺杂非晶硅层、掺杂微晶硅层中的任意一种或多种叠层组合；
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多边形结构在所述半导体基底上的正投影的长度大于等于10μm且小于等于100μm；所述多边形结构的长度方向与所述多边形结构在所述半导体基底上的正投影所包括的相对平行的两条边的延伸方向一致；
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：设置于所述半导体基底的第一表面上的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层；所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层的导电类型相反；
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：设置于所述半导体基底的第一表面上的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层；所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层的导电类型相反；
13.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括：
14.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基底；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多边形结构在所述半导体基底上的正投影为四边形，且所述四边形中任意相邻的两个边之间的夹角为直角。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，具有所述多边形结构的表面为所述半导体基底的侧面；和/或，具有所述多边形结构的表面为所述半导体基底的向光面或背光面。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，至少相邻两个所述多边形结构之间具有重叠部分；和/或，至少相邻两个所述多边形结构间隔分布。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿着深入所述半导体基底内部的方向，所述多边形结构具有相对设置的顶部开口和底面，以及位于所述底面和所述顶部开口之间的侧壁；
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：依次层叠在所述半导体基底表面上的掺杂导电层和钝化层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：形成在所述多边形结构上的纹理结构；
8.根据权利要求7所述的太...
【专利技术属性】
技术研发人员：张阳，汪根顺，吴华，方亮，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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