【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种复合材料、所述复合材料的制备方法、包括所述复合材料的发光器件、及包括所述发光器件的显示装置。
技术介绍
1、目前广泛使用的发光器件为有机发光二极管(oled)和量子点发光二极管(qled)。qled具有出射光颜色饱和以及波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了oled的有力竞争者。qled器件结构一般包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极。在电场的作用下，发光二极管的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴功能层和电子功能层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
2、目前含重金属如镉、铅、汞的量子点作为发光层材料的性能较好，但重金属会破坏环境和损害人体器官功能，因此无重金属量子点一直是研究重点。目前无重金属量子点主要包括ii-vi族的二元zns、znse、znte体系、三元znsse和znsete混合体系以及iii-v族的inp体系。然而，上述无重金属量子点的合成条件苛刻，需使用危险的高活性有机金属化合物，且操作难度高，合成重复性较差，另外，上述体系量子点容易被氧化，保存环境要求高，不利于量产，量子点氧化后使得发光器件的发光效率下降，使用寿命缩短。
3、因此，发光器件的发光效率有待进一步改善。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种复合材料，旨在提升现有发光器件的发光效率。
2、本申请实施例是这样实现的，一种复合材料，包括无机粒
3、
4、其中，ar中包括被取代或未取代的c10-c24的稠环芳基、被取代或未取代的c5-c24的稠环杂芳基；所述稠环杂芳基中的杂原子包括氧原子、氮原子或硫原子中的一种或多种；所述被取代的取代基选自c1-c10的烷基、c1-c10的烯基、c1-c10的炔基、c1-c10的烷氧基、卤素原子、d、-cn、-no2中的一种或多种；
5、x选自氨基、羧基、巯基或磷酸基中的一种或多种。
6、可选地，在本申请的一些实施例中，所述稠环芳基由环状基团组成，所述环状基团包括苯环、中的一种或多种；和/或
7、所述稠环杂芳基中的芳香环包括苯环、呋喃环、吡喃环、噻吩环、吡啶环、吡咯环中的一种或多种；和/或
8、x选自氨基、羧基、巯基或磷酸基中的一种；和/或
9、所述被取代的取代基选自c1-c6的烷基、c1-c6的烯基、c1-c6的炔基、c1-c6的烷氧基、卤素原子、d、-cn、-no2中的一种或多种。
10、可选地，在本申请的一些实施例中，ar具有如下述所示结构式中的一种：
11、
12、可选地，在本申请的一些实施例中，所述配体具有如下述所示结构式中的一种：
13、
14、可选地，在本申请的一些实施例中，所述复合材料中，所述无机粒子与所述配体的质量比为(5～15)：1；和/或
15、所述无机粒子的平均粒径为3nm～20nm；和/或
16、所述无机粒子的材料包括量子点发光材料，所述量子点发光材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或多种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别独立选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的一种或多种，所述ii-vi族化合物包括zno、zns、znse、znte、znses、znsete、znste中的一种或多种，所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、snses、snsete、snste、中的一种或多种，所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的一种或多种，所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的一种或多种；所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，包括sn2+、cu2+、ni2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一种或多种，x为卤素阴离子，包括cl-、br-、i-中的一种或多种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmy3，其中b为有机胺阳离子，包括ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，包括sn2+、cu2+、ni2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一种或多种，y为卤素阴离子，包括cl-、br-、i-中的一种或多种。
17、可选地，在本申请的一些实施例中，所述复合材料中，所述无机粒子与所述配体的质量比为(8～9)：1；和/或
18、所述无机粒子的平均粒径为8nm～15nm。
19、相应地，本申请实施例还提供一种复合材料的制备方法，包括：
20、提供上述配体；
21、提供无机粒子和溶剂，与所述配体混合，得到复合材料。
22、可选地，在本申请的一些实施例中，所述无机粒子与所述配体的质量比为(3～18)：4；和/或
23、所述无机粒子、所述配体与所述溶剂混合的温度为100℃～160℃；和/或
24、所述无机粒子、所述配体与所述溶剂混合的时间为4h～10h；和/或
25、所述溶剂包括二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、γ-丁内酯中的一种或多种；和/或
26、所述无机粒子、所述配体与所述溶剂混合后，还包括加入沉淀剂，沉淀所述复合材料，所述沉淀剂包括丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇中的一种或多种。
27、相应地，本申请实施例还提供一种发光器件，包括层叠的阳极、发光层和阴极，所述发光层的材料包括上述的复合材料，或者包括如上述制备方法制备的复合材料。
28、可选地，在本申请的一些实施例中，所述发光层的厚度为3nm～40nm；和/或
29、所述发光层的制备方法包括：将所述复合材料与第二溶剂混合，得到发光材料分散液，将所述发光材料分散液设置在所述阳极上，得到发光层；所述第二溶剂包括甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、均三甲苯、二氯甲烷、氯仿本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，包括无机粒子和连接在所述无机粒子上的配体，所述配体具有如式(Ⅰ)所示的结构式：
2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述稠环芳基由环状基团组成，所述环状基团包括苯环、中的一种或多种；和/或
3.如权利要求2所述的复合材料，其特征在于，Ar具有如下述所示结构式中的一种：
4.如权利要求1～3任意一项所述的复合材料，其特征在于，所述配体具有如下述所示结构式中的一种：
5.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料中，所述无机粒子与所述配体的质量比为(5～15)：1；和/或
6.如权利要求5所述的复合材料，其特征在于，
7.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
9.一种发光器件，其特征在于，包括层叠的阳极、发光层和阴极，所述发光层的材料包括如权利要求1至权利要求6任一项所述的复合材料，或者包括如权利要求7至权利要求8任一项所述制备方法制备的复合材料。
10.如权利要求9所述的发光器
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9至权利要求10任一项所述的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，包括无机粒子和连接在所述无机粒子上的配体，所述配体具有如式(ⅰ)所示的结构式：
2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述稠环芳基由环状基团组成，所述环状基团包括苯环、中的一种或多种；和/或
3.如权利要求2所述的复合材料，其特征在于，ar具有如下述所示结构式中的一种：
4.如权利要求1～3任意一项所述的复合材料，其特征在于，所述配体具有如下述所示结构式中的一种：
5.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料中，所述无机粒子与所述配体的质量比为(5～15...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢傲臻，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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