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用于等离子体处理室的基于金属氧化物变阻器(MOV)的浪涌保护电路制造技术

技术编号:44573084 阅读:8 留言:0更新日期:2025-03-11 14:33
一种系统包含室,其被配置以产生及容纳等离子体。该系统包含传输线,其位于该室内。该传输线包含传输线输入端且包含输出端,该输出端与共同电位耦合。该系统包含信号源,其与该传输线输入端耦合,以馈送输入信号至该传输线。该系统包含浪涌保护电路,其耦合在该传输线输入端与该共同电位之间。该浪涌保护电路的阻抗与在该传输线输入端处的电压电平呈负相关。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、等离子体沉积为用于通过使用等离子体源在衬底上沉积薄膜的工艺。该等离子体可在包含传输线的室内产生。信号源向该传输线馈送射频(rf)信号或直流电(dc)。通过改变电参数(像是被馈送至该传输线的该信号的频率及电压),该等离子体的空间分布以及离子能被调节。该等离子体沉积工艺可通过调节该等离子体的空间分布以及离子能来控制。

2、在等离子体沉积工艺期间,电压尖峰或浪涌可能因为“电弧作用”或因为负荷(例如:半导体晶片或衬底)的改变,而在该室中发生。该电压尖峰或浪涌可以是瞬态事件,通常持续数纳秒至30微秒,其可能到达例如1000v、2000v或3000v。该电压尖峰或浪涌可耦合至该信号源,因而损坏该信号源。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种系统,其包含:

2.根据权利要求1所述的系统,其中当在所述传输线输入端处的所述电压电平大于过电压限制时,所述MOV有高阻抗,且其中当在所述传输线输入端处的所述电压小于所述过电压限制时,所述MOV有低阻抗。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述MOV能操作以在当所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,在所述传输线输入端与所述共同电位之间提供短路路径。

4.根据权利要求1所述的系统,其中所述室包含第一区域和第二区域,且其中所述等离子体被容纳在所述第一区域中,而其中所述传输线位于所述第二区域中。

5.一种系统,其包含:

6.根据权利要求5所述的系统,其中所述MOV的阻抗与所述传输线输入端处的电压电平呈负相关。

7.根据权利要求5所述的系统,其中当在所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,所述MOV有高阻抗,其中当在所述传输线输入端处的所述电压电平小于所述过电压限制时,所述MOV有低阻抗。

8.根据权利要求5所述的系统,其中所述MOV能操作以在当所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,在所述传输线输入端与所述共同电位之间提供短路路径。

9.根据权利要求5所述的系统,其中所述室包含第一区域和第二区域,且其中所述等离子体被容纳在所述第一区域中,而所述传输线位于所述第二区域中。

10.一种系统,其包含:

11.根据权利要求10所述的系统,其中所述MOV的阻抗与所述传输线输入端处的电压电平呈负相关。

12.根据权利要求10所述的系统,其中当在所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,所述MOV有高阻抗,且其中当在所述传输线输入端处的所述电压电平小于所述过电压限制时,所述MOV有低阻抗。

13.一种系统,其包含:

14.根据权利要求13所述的系统,其中所述MOV的阻抗与所述传输线输入端处的电压电平呈负相关。

15.根据权利要求13所述的系统,其中当在所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,所述MOV有高阻抗。

16.根据权利要求13所述的系统,其中当在所述传输线输入端处的电压电平小于过电压限制时,所述MOV有低阻抗。

17.根据权利要求13所述的系统,其中所述过压检测电路包含整流器,其耦合在所述MOV的所述第二端子与所述共同电位之间。

18.根据权利要求17所述的系统,其中所述过压检测电路包含电容器,其耦合至所述整流器。

19.根据权利要求18所述的系统,其中所述过压检测电路包含电阻器,所述电阻器与所述电容器并联耦合。

20.根据权利要求18所述的系统,其中所述过压检测电路包含电压电平指示器,所述电压电平指示器与所述电容器并联耦合。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种系统,其包含:

2.根据权利要求1所述的系统,其中当在所述传输线输入端处的所述电压电平大于过电压限制时,所述mov有高阻抗,且其中当在所述传输线输入端处的所述电压小于所述过电压限制时,所述mov有低阻抗。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述mov能操作以在当所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,在所述传输线输入端与所述共同电位之间提供短路路径。

4.根据权利要求1所述的系统,其中所述室包含第一区域和第二区域,且其中所述等离子体被容纳在所述第一区域中,而其中所述传输线位于所述第二区域中。

5.一种系统,其包含:

6.根据权利要求5所述的系统,其中所述mov的阻抗与所述传输线输入端处的电压电平呈负相关。

7.根据权利要求5所述的系统,其中当在所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,所述mov有高阻抗,其中当在所述传输线输入端处的所述电压电平小于所述过电压限制时,所述mov有低阻抗。

8.根据权利要求5所述的系统,其中所述mov能操作以在当所述传输线输入端处的电压电平大于过电压限制时,在所述传输线输入端与所述共同电位之间提供短路路径。

9.根据权利要求5所述的系统,其中所述室包含第一区域和第二区域,且其中所述等离子体被容纳在所述第一区域中,而所述传输线位于所述第二区域中。

【专利技术属性】
技术研发人员:阿里·弗罗坦保尔托马斯·李·弗雷德里克
申请(专利权)人:朗姆研究公司
类型:发明
国别省市:

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