System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种纳米SiC粉体的过滤方法技术_技高网

一种纳米SiC粉体的过滤方法技术

技术编号:44571728 阅读:0 留言:0更新日期:2025-03-11 14:31
本发明专利技术公开了一种纳米SiC粉体的过滤方法,属于静电卡盘技术领域,所述过滤方法包括以下步骤:前驱体的制备;浆料的制备:将100份纳米碳化硅粉体、适量分散剂、溶剂和球只加入行星磨,以400rpm/min的速度运行至少1小时,静置15min后加入上述前驱体,前驱体的比例为3%~9%,再以400rpm/min的速度搅拌至少30min;过滤:过滤通过过滤装置进行,过滤装置包括压力罐,将纳米碳化硅处理得到的稳定的浆料装入压力罐,通过氮气挤压,将浆料挤入膜过滤系统,通过收集出料并氮气保存便于后续启用,膜过滤系统采用多层不锈钢过滤网或者RoKi PP有机膜或者中空纤维陶瓷膜作为纳米碳化硅浆料的过滤介质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电卡盘,特别涉及一种纳米sic粉体的过滤方法。


技术介绍

1、陶瓷材料的颗粒尺寸与强度的关系,一般是随着颗粒尺寸的减小,强度指数得以提高。纳米陶瓷粉体可引起材料晶粒和内部气孔或缺陷尺寸的减小,小的晶粒不易造成穿晶断裂,有利于提高材料的断裂韧性。

2、在电场作用下,陶瓷件内部的缺陷导致击穿的过程主要涉及以下几个步骤:

3、(1)电场集中:陶瓷件内部的缺陷,如孔隙、微裂纹或其他不均匀性,会使得电场在这些区域集中。这是因为在均匀介质中,电场线是均匀分布的,而在缺陷处,电场线会弯曲并集中,导致局部电场强度显著增加。

4、(2)电击穿:当局部电场强度超过陶瓷材料的电击穿强度时,缺陷处的绝缘性能会急剧下降。在电场的作用下,缺陷处的空气或陶瓷材料会被电离,形成导电通道。这个过程称为电击穿。电击穿的发生通常伴随着电流的急剧增加,因为导电通道的形成使得陶瓷材料的电阻显著降低。

5、(3)热效应:电击穿过程中,电流的急剧增加会导致局部温度迅速升高。高温会进一步扩大缺陷,加速陶瓷材料的降解。热量的积累可能导致陶瓷材料的热击穿,即由于温度过高而导致的材料结构破坏和绝缘性能丧失。

6、(4)击穿扩展:一旦电击穿发生,形成的导电通道会迅速扩展,因为电流通过这些通道时会产生更多的热量,进一步加剧材料的破坏。击穿通道的扩展会导致陶瓷件的绝缘性能完全丧失,最终导致整个陶瓷件被击穿。

7、在静电卡盘领域,陶瓷粉体作为制备精密半导体零部件的核心原材料,其粒度分布均一性影响着后续流延、印刷工艺的效果,以至于导致制备的静电卡盘陶瓷介电层的介电强度和耐压性能大幅度降低,不利于晶圆的加工。特别是纳米粉体制备的浆料如果易沉淀和易团聚,陶瓷介质的紧密型和稳定性将会受到影响;陶瓷浆料中陶瓷粉体的粒径会影响介质层的厚度,大颗粒的陶瓷粉体在烧结过程中容易形成较大的孔隙,因为大颗粒间隙难以在烧结过程中完全填充。这些孔隙会成为应力集中的点,减少材料的整体强度和韧性。较大的粉体颗粒烧结时,可能导致烧结不完全或不均匀,从而产生内部应力和微裂纹,这些微裂纹会削弱材料的机械强度。此外最重要的一点,静电卡盘在工作时,陶瓷介电层的大颗粒的空隙会成为击穿点,向外释放电荷和局部发热,由于局部耐压性能不够而导致静电卡盘炸裂。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种纳米sic粉体的过滤方法,优化了纳米碳化硅粉体的粒度分布,过滤后的浆料流延成型和印刷过程稳定,大范围减少烧结后陶瓷基体大颗粒的存在而导致静电卡盘产品电性能下降。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术的技术方案为:

3、一种纳米sic粉体的过滤方法,所述过滤方法包括以下步骤:

4、前驱体的制备:

5、将100份高分子前驱体加入甲苯、异丙醇混合溶液中,其中,甲苯与异丙醇的比为1:3~1:1,再加入60份可塑剂dbp,在25℃的温度下高速搅拌2h,使有机树脂充分溶胀和溶解,待完全溶解后,静置24h待用;

6、浆料的制备:

7、将100份纳米碳化硅粉体、适量分散剂、溶剂和球只加入行星磨,以400rpm/min的速度运行至少1小时,静置15min后加入上述前驱体,前驱体的比例为3%~9%,再以400rpm/min的速度搅拌至少30min,然后测试浆料的粘度和温度,可适当再加入少量前驱体继续搅拌,具体加入的量根据实际工艺进行调整;

8、过滤:

9、过滤通过过滤装置进行,过滤装置包括压力罐,将纳米碳化硅处理得到的稳定的浆料装入压力罐,通过氮气挤压,将浆料挤入膜过滤系统,通过收集出料并氮气保存便于后续启用,膜过滤系统采用多层不锈钢过滤网或者roki pp有机膜或者中空纤维陶瓷膜作为纳米碳化硅浆料的过滤介质。

10、优选的,所述过滤装置包括氮气装置,所述氮气装置通过管路与压力罐连通,所述管路上设有总阀和压力控制阀。

11、优选的,所述过滤介质为多层不锈钢过滤网。

12、优选的,所述多层不锈钢过滤网包括五层过滤网片。

13、优选的,所述过滤的方法为:低压0.1~0.2mpa下的死端过滤,或者通过错流过滤多次循环过滤。

14、优选的,所述浆料的粘度小于100cp。

15、采用上述技术方案,具有以下有益效果:

16、(1)前驱体的选择多样,可根据纳米粉体的密度、粒度和比表面积选择相应的前驱体。前驱体包裹陶瓷颗粒使其过滤时均匀的被筛分,达到消除大颗粒的效果;

17、(2)浆料的粘度高度可调,使其在过滤过程通量和效率更高,另外设计的不锈钢多层烧结过滤网在保持高过滤效率又大幅度降低了处理成本;

18、(3)过滤后的纳米陶瓷粉体制备的陶瓷介电层电性能更优异,防止静电卡盘在使用过程中被击穿。

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【技术保护点】

1.一种纳米SiC粉体的过滤方法,其特征在于,所述过滤方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种纳米SiC粉体的过滤方法,其特征在于,所述过滤装置包括氮气装置,所述氮气装置通过管路与压力罐连通,所述管路上设有总阀和压力控制阀。

3.根据权利要求1所述的一种纳米SiC粉体的过滤方法,其特征在于,所述过滤介质为多层不锈钢过滤网。

4.根据权利要求3所述的一种纳米SiC粉体的过滤方法,其特征在于,所述多层不锈钢过滤网包括五层过滤网片。

5.根据权利要求1所述的一种纳米SiC粉体的过滤方法,其特征在于,所述过滤的方法为:低压0.1~0.2MPa下的死端过滤,或者通过错流过滤多次循环过滤。

6.根据权利要求1所述的一种纳米SiC粉体的过滤方法,其特征在于,所述浆料的粘度小于100cp。

【技术特征摘要】

1.一种纳米sic粉体的过滤方法,其特征在于,所述过滤方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种纳米sic粉体的过滤方法,其特征在于,所述过滤装置包括氮气装置,所述氮气装置通过管路与压力罐连通,所述管路上设有总阀和压力控制阀。

3.根据权利要求1所述的一种纳米sic粉体的过滤方法,其特征在于,所述过滤介质为多层不锈钢过滤网。

4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:李君周俊石锗元肖伟黄景彬陈超群
申请(专利权)人:君原电子科技海宁有限公司
类型:发明
国别省市:

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