【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电显示领域，特别是涉及一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺。
技术介绍
1、光电显示中的发光器件是构成显示设备的重要组成部分，它们通过发光来呈现图像或信息。许多发光器件的发光原理是基于通电后，电子和空穴在发光层中结合形成激子，激子复合时释放出能量并发出光，例如qled(量子点发光二极管)、oled(有机发光二极管)等。这些发光器件具有色彩表现丰富、高对比度、响应速度快、视角宽广以及节能环保等优点。这些发光器件的发光效率或发光亮度受到载流子复合过程的影响极大，通常采用不同的功能层和量子点搭配以获得最优器件效率，此实验过程需要耗费大量的时间、材料和人力成本。因此，出现了栅极调控，通过栅极调控能够在这些发光器件内构建内建电场，实现对载流子迁移率调控，实现对发光效率的调控，有助于提高发光效率。
2、栅极调控发光器件一般来说当灰阶值越大时，需求的发光效率越高，可以节省越多的能源。但是现有的发光器件进行统一栅压调控时，很少能够根据单独灰阶值变化做到自适应的栅压调整，导致能源浪费。现在缺少一种可以在进行统一栅压调控过程中根据单独灰阶值变化单独调整栅压的发光器件及其对应的制备工艺。
技术实现思路
1、有鉴于现有技术的上述的一部分缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是提供一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，旨在提供一种在进行统一栅压调控时，能够根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整的发光器件，并简化其制备工艺。
2、为实现上述目的，本专利技术开了一种基于栅
3、步骤s1、在衬底上镀膜第一半导体层，对所述第一半导体层进行光刻，形成第一有源层图案和第二有源层图案；其中，所述发光器件包括发光单元、薄膜晶体管开关以及放大场效应晶体管，所述第一有源层为所述薄膜晶体管开关的有源层，所述第二有源层为所述放大场效应晶体管的有源层；
4、步骤s2、在所述第一有源层图案和所述第二有源层图案上进行掺杂或镀膜，制备所述薄膜晶体管开关和所述放大场效应晶体管的源极和漏极；
5、步骤s3、在所述衬底、所述薄膜晶体管开关的源极和漏极以及所述放大场效应晶体管的源极和漏极上镀膜第二导电层，对所述第二导电层进行光刻，形成所述发光单元的栅极调控电极、电压源引出电极以及数据引线引出电极；其中，所述栅极调控电极与所述放大场效应晶体管的漏极相连接，所述电压源引出电极搭架在所述放大场效应晶体管的源极上，所述数据引线引出电极搭架在所述薄膜晶体管开关的源极上；
6、步骤s4、在所述栅极调控电极、所述薄膜晶体管开关的源极和漏极以及所述放大场效应晶体管的源极和漏极上镀膜二氧化硅绝缘层，对所述二氧化硅绝缘层进行光刻，形成二氧化硅绝缘层图案；
7、步骤s5、在所述二氧化硅绝缘层图案上制备第二电极；在所述第二电极上制备发光功能层；
8、步骤s6、在所述二氧化硅绝缘层和所述发光功能层上镀膜透明导电层，对所述透明导电层进行光刻，形成第一电极、所述薄膜晶体管开关的栅极以及所述放大场效应晶体管的栅极；
9、步骤s7、利用第一金属引线通过打井将所述第一电极连接至所述薄膜晶体管开关的漏极；利用第二金属引线将所述第一电极连接至所述放大场效应晶体管的栅极。
10、可选的，所述第一电极覆盖所述发光功能层的侧边，所述第一金属引线沿所述二氧化硅绝缘层表面并通过打井将所述第一电极侧边连接至所述薄膜晶体管开关的漏极；所述第二金属引线沿所述二氧化硅绝缘层表面将所述第一电极侧边连接至所述放大场效应晶体管的栅极。
11、可选的，所述第一电极分别覆盖所述发光功能层的侧边以及部分所述二氧化硅绝缘层两侧分别延伸至所述放大场效应晶体管的栅极和所述薄膜晶体管开关的漏极上方；所述薄膜晶体管开关的漏极上方通过打井进入所述第一金属引线，所述第一金属引线将所述第一电极连接至所述薄膜晶体管开关的漏极。
12、可选的，所述薄膜晶体管开关的栅极和所述放大场效应晶体管的栅极与所述第二电极采用同种材料在同一层次进行统一制备。
13、可选的，所述薄膜晶体管开关的栅极连接至扫描引线，所述数据引线引出电极连接至数据引线，所述电压源引出电极连接至调控电压源。
14、可选的，所述发光单元为量子点发光二极管，所述发光功能层包括空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层。
15、可选的，所述发光单元为有机发光二极管，所述发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
16、可选的，在所述步骤s5中在所述第二电极上制备发光功能层，包括：
17、根据所述发光功能层的种类，分为一次或多次膜层制备，形成所述发光功能层。
18、可选的，其特征在于，所述第一半导体层为半导体a硅，所述第二导电层为金属导电层，所述透明导电层为氧化铟锡导电层。
19、本专利技术的有益效果：1、本专利技术制备的发光器件其薄膜晶体管开关的漏极与放大场效应晶体管的栅极相连接(均通过连接第一电极实现)，放大场效应晶体管的源极与调控电压源相连接，调控电压源用于向放大场效应晶体管的源极提供需求的电压，放大场效应晶体管的漏极与栅极调控电极相连接。当数据引线对选通的发光单元进行驱动使发光单元发光时，数据引线的驱动电压同时也施加于放大场效应晶体管的栅极之上；在调控电压源施加电压不变的情况下，驱动电压改变放大场效应晶体管沟道中的载流子浓度和导电性，从而控制放大场效应晶体管的漏极电流大小，使栅极调控电极的调控栅压根据驱动电压的变化而变化。本专利技术通过放大场效应晶体管的设置，使放大场效应晶体管可以根据驱动电压大小决定施加的调控栅压，同时驱动电压大小也决定发光单元的灰阶值，从而使本专利技术可以根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整。相较于现有技术通过一对一栅压调控去适应灰阶值变化，本专利技术多个发光单元可以共用一个调控电压源也能做到根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整，有效减少了栅极调控电路的复杂度，同时能够节省能源。2、本专利技术将发光单元、薄膜晶体管开关以及放大场效应晶体管的部分组件放在同一层级采用同种材料进行同时制备，大大简化了制备流程，提高了制备效率。
20、综上，本专利技术不仅提供了一种在进行统一栅压调控时，能够根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整的发光器件，还简化了其制备工艺，提高了制备效率。
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1.一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述工艺包括：
2.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述第一电极覆盖所述发光功能层的侧边，所述第一金属引线沿所述二氧化硅绝缘层表面并通过打井将所述第一电极侧边连接至所述薄膜晶体管开关的漏极；所述第二金属引线沿所述二氧化硅绝缘层表面将所述第一电极侧边连接至所述放大场效应晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述第一电极分别覆盖所述发光功能层的侧边以及部分所述二氧化硅绝缘层两侧分别延伸至所述放大场效应晶体管的栅极和所述薄膜晶体管开关的漏极上方；所述薄膜晶体管开关的漏极上方通过打井进入所述第一金属引线，所述第一金属引线将所述第一电极连接至所述薄膜晶体管开关的漏极。
4.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述薄膜晶体管开关的栅极和所述放大场效应晶体管的栅极与所述第二电极采用同种材料在同一层次进行统一制备。
5.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制
6.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述发光单元为量子点发光二极管，所述发光功能层包括空穴传输层、量子点发光层以及电子传输层。
7.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述发光单元为有机发光二极管，所述发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。
8.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，在所述步骤S5中在所述第二电极上制备发光功能层，包括：
9.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述第一半导体层为半导体A硅，所述第二导电层为金属导电层，所述透明导电层为氧化铟锡导电层。
...【技术特征摘要】
1.一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述工艺包括：
2.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述第一电极覆盖所述发光功能层的侧边，所述第一金属引线沿所述二氧化硅绝缘层表面并通过打井将所述第一电极侧边连接至所述薄膜晶体管开关的漏极；所述第二金属引线沿所述二氧化硅绝缘层表面将所述第一电极侧边连接至所述放大场效应晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述第一电极分别覆盖所述发光功能层的侧边以及部分所述二氧化硅绝缘层两侧分别延伸至所述放大场效应晶体管的栅极和所述薄膜晶体管开关的漏极上方；所述薄膜晶体管开关的漏极上方通过打井进入所述第一金属引线，所述第一金属引线将所述第一电极连接至所述薄膜晶体管开关的漏极。
4.根据权利要求1所述的基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述薄膜晶体管开关的栅极和所述放大场效应晶体管的栅极与所述第二电极采用同种材料在同一层次...
【专利技术属性】
技术研发人员：张永爱，翁书臣，邹振游，林怡彬，周雄图，吴朝兴，郭太良，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：
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