【技术实现步骤摘要】
本公开设计半导体发光器件，具体涉及一种显示芯片和显示装置及其制备方法。
技术介绍
1、目前，发光二极管(light emitting diode，led)的散热性能有待进一步提高，尤其是随着科技发展，led尺寸微小化，对于尺寸微小化后的微型发光二极管(micro-led)等显示器件，由于其具有较高的注入电流密度且拥有高亮度等因素，面临更为严重的散热问题。
技术实现思路
1、本公开提供一种显示芯片和显示装置及其制备方法，能够改善显示芯片的散热性能。
2、第一方面，本公开实施例提供一种显示芯片，包括：
3、外延层，所述外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为n型半导体层、另一者为p型半导体层；
4、第一反射层，位于所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧；
5、第一金属绑定层，位于所述第一反射层背离所述外延结构的一侧；
6、散热层，所述散热层包括第一散热层和/或第二散热层，所述第一散热层位于所述外延结构与所述第一反射层之间，所述第二散热层位于所述第一反射层背离所述外延结构的一侧，所述第二散热层设有暴露所述第一反射层的第一开口，所述第一金属绑定层设于所述第二散热层背离所述第一反射层的一侧、并填充所述第一开口。
7、第二方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括芯片结构和第二衬底，所述芯片结构由前述显示芯片形成，所述芯片结构通过所述第一金属绑定层与所
8、第三方面，本公开实施例提供一种前述显示芯片的制备方法，包括以下步骤：
9、提供用于形成所述外延层的外延片；
10、在所述外延片的所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧形成所述第一反射层；
11、在所述第一反射层上形成所述第一金属绑定层；
12、其中，
13、先在所述外延片的所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧形成第一散热层后，再在所述第一散热层背离所述第二半导体层的一侧形成所述第一反射层；
14、和/或，
15、在所述第一反射层背离所述外延片的一侧形成介质层；
16、对所述介质层进行图形化处理，以形成暴露出所述第一反射层的第二开口；
17、然后形成填充所述第二开口的所述第二散热层；
18、再刻蚀去除所述介质层，以形成暴露出所述第一反射层的第一开口；
19、再在所述第二散热层背离所述第一反射层的一侧形成所述第一金属绑定层，并使所述第一金属绑定层填充所述第一开口。
20、第四方面，本公开实施例提供一种前述显示装置的制备方法，包括以下步骤：
21、按照前述显示芯片的制备方法，制得所述显示芯片；
22、将所述显示芯片通过所述第一金属绑定层与所述第二衬底绑定，制得所述显示装置。
23、本公开提供的显示芯片和显示装置及其制备方法，通过在外延结构与第一反射层之间设置第一散热层和/或在第一反射层背离外延结构的一侧设置具有第一开口的第二散热层，当存在第二散热层时，第一金属绑定层位于第二散热层背离第一反射层的一侧并填充第一开口。由此，通过设置第一散热层和/或特定结构的第二散热层，能够改善显示芯片的散热性能，并可提高芯片的发光亮度等性能。本公开尤其可适用于改善micro-led等微型显示器件的散热性能，并提升其发光亮度等性能。
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1.一种显示芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，所述外延层为InGaN基外延结构，所述第一半导体层为n型半导体层，所述第二半导体层为p型半导体层。
4.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述第一半导体层包括n-AlxGa1-xN/n-GaN超晶格层、以及位于所述n-AlxGa1-xN/n-GaN超晶格层与所述量子阱发光层之间的n-AlyGa1-yN/n-GaN超晶格层，所述n-AlxGa1-xN/n-GaN超晶格层的霍尔电子浓度大于所述n-AlyGa1-yN/n-GaN超晶格层的霍尔电子浓度。
5.根据权利要求4所述的显示芯片，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述外延层还包括第二u-GaN层、u-InaGa1-aN/u-GaN超晶格层、u-InbGa1-bN/n-GaN超晶格层，所述n型半导体层、所述第二u-GaN层、所述u-InaGa1-aN/u-GaN超晶格层、所述u-InbGa1-bN/n-GaN
7.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述外延层还包括设于所述量子阱发光层与所述第二半导体层之间的第三u-GaN层和/或设于所述第二半导体层与所述第一反射层之间的第一透明导电层。
8.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述第二半导体层包括依次层叠设于所述量子阱发光层背离所述第一半导体层的一侧的电子阻挡层、空穴提供层和p型欧姆接触层，其中，
9.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，还包括基体层，所述基体层包括位于所述第一半导体层背离所述第二半导体层的一侧的第一衬底；其中，
10.根据权利要求1或3所述的显示芯片，其特征在于，所述量子阱发光层包括蓝光量子阱发光层、绿光量子阱发光层或红光量子阱发光层中的一种或多种。
11.根据权利要求10所述的显示芯片，其特征在于，
12.根据权利要求1或2所述的显示芯片，其特征在于，所述外延层为AlGaInP基外延结构，所述第一半导体层为p型半导体层，所述第二半导体层为n型半导体层。
13.一种显示装置，其特征在于，包括芯片结构和第二衬底，所述芯片结构由权利要求1-12任一项所述的显示芯片形成，所述芯片结构通过所述第一金属绑定层与所述第二衬底绑定。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，还包括设于所述芯片结构表面的第三散热层，所述第三散热层包括位于所述第一半导体层背离所述第二半导体层的一侧的第一层部、以及与所述第一层部连接的第二层部，所述第二层部沿所述芯片结构的侧壁延伸、直至覆盖所述第一金属绑定层的侧壁。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，还包括依次设于所述芯片结构表面的第二反射层、钝化层和第二透明导电层，所述第三散热层位于所述第二透明导电层的表面；
17.一种权利要求1-12任一项所述的显示芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
18.根据权利要求17所述的显示芯片的制备方法，其特征在于，所述介质层包括二氧化硅。
19.一种权利要求13-16任一项所述的显示装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
20.根据权利要求19所述的显示装置的制备方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种显示芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，所述外延层为ingan基外延结构，所述第一半导体层为n型半导体层，所述第二半导体层为p型半导体层。
4.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述第一半导体层包括n-alxga1-xn/n-gan超晶格层、以及位于所述n-alxga1-xn/n-gan超晶格层与所述量子阱发光层之间的n-alyga1-yn/n-gan超晶格层，所述n-alxga1-xn/n-gan超晶格层的霍尔电子浓度大于所述n-alyga1-yn/n-gan超晶格层的霍尔电子浓度。
5.根据权利要求4所述的显示芯片，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述外延层还包括第二u-gan层、u-inaga1-an/u-gan超晶格层、u-inbga1-bn/n-gan超晶格层，所述n型半导体层、所述第二u-gan层、所述u-inaga1-an/u-gan超晶格层、所述u-inbga1-bn/n-gan超晶格层、所述量子阱发光层依次层叠设置；其中，
7.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述外延层还包括设于所述量子阱发光层与所述第二半导体层之间的第三u-gan层和/或设于所述第二半导体层与所述第一反射层之间的第一透明导电层。
8.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，所述第二半导体层包括依次层叠设于所述量子阱发光层背离所述第一半导体层的一侧的电子阻挡层、空穴提供层和p型欧姆接触层，其中，
9.根据权利要求3所述的显示芯片，其特征在于，还包括基体层，所述基体层包括位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄振，王程功，李铎，李晓凯，
申请(专利权)人：北京字跳网络技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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