【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏太阳电池制备，尤其是涉及一种低成本太阳电池的制备方法及其系统。
技术介绍
1、异质结太阳电池具有高效率、低衰减等性能已经受到行业的广泛关注，但由于异质结电池需要用到低温银浆作为栅线导致其成本居高不下，一直限制其进一步大规模量产。“无银化”技术发展是光伏行业的大趋势，铜电镀制备铜栅线异质结太阳电池及组件的技术方案，该技术摒弃传统银栅线电极采用廉价的铜替代银金属，大幅度降低异质结太阳电池的制备成本。
2、铜电镀成本中占比最大的就是感光胶，感光胶分为干膜和湿膜两种路线，干膜由于成本昂贵正在逐渐的被光伏行业淘汰，目前湿膜成本相对更低越来越得到企业的青睐，但是如何进一步降低湿膜的用量将是行业将面临的一大挑战。
3、目前湿膜技术是在双面沉积好金属种子层的样品正背面印刷10μm-30μm厚的均匀的湿膜，对湿膜进行烘干，将湿膜内的有机物挥发，然后对样品进行正背面曝光处理，最后显影形成待电镀的沟槽。该方法使用的是无图形网板进行整面印刷，其存在如下缺陷：
4、（一）、所用的湿膜材料用量与成本相对较高，难以进一步下降成本；
5、（二）、印刷过程会对电池片造成损伤，降低电池片的效率。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少改善现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种低成本太阳电池的制备方法及其系统。
2、一种低成本太阳电池的制备方法，其中，包括：
3、提供正面和背面已沉积金属种子层的太阳电池硅片；>
4、提供具有图形的印刷版，所述印刷版上图形呈间隔分布，图形材料为柔性材料；
5、采用具有图形的印刷版在所述太阳电池硅片的正面和背面印刷一层油墨层；
6、经烘干、曝光、显影处理得到含栅线沟槽的中间硅片；
7、经电镀、去除油墨制得所述太阳电池。
8、在第一方面的一种可能的实现方式中，所述具有图形的印刷版中的图形包括多个图形子单元依次阵列，每个图形子单元均包括第一栅线、第二栅线和第三栅线，其中第一栅线的宽度范围为80μm～500μm，第二栅线和第三栅线为填充作用，第二栅线和第三栅线的宽度范围为50μm～160μm，所述第一栅线和所述第二栅线之间的间距范围为10μm～80μm，所述第二栅线和所述第三栅线之间的间距范围为30μm～150μm，所述第三栅线和另一图形子单元中的第一栅线之间的间距（即相邻图形子单元之间的间距）范围为10μm～80μm。基于本专利技术的网版图形设计，可根据油墨的流动性、搭配本专利技术图形栅线的线宽以及栅线之间的间距得到很好的印刷效果。工作人员会先按照栅线的位置需求和栅线高度需求，制作丝网印刷网板。
9、值得一提的是，若本专利技术中的网版图形栅线的线宽以及栅线之间的间距设计不合理，超出上述范围，会导致印刷后，局部位置缺印或者印刷后得到的油墨层厚度一致，无法达到栅线位置油墨厚度高，非栅线位置油墨厚度低的效果。
10、在第一方面的一种可能的实现方式中，所述油墨层的湿膜材料为绝缘油墨或感光油墨。
11、在第一方面的一种可能的实现方式中，在提供正面和背面已沉积种子层的太阳电池硅片之前，所述方法还包括：
12、硅片清洗：对硅片正面和背面进行制绒清洗，形成正面和背面带有金字塔陷光结构且洁净的硅表面；
13、在清洗后的硅片正面和背面沉积硅薄膜；
14、在所述硅薄膜的正面和背面依次沉积一层透明导电氧化层薄膜和一层金属种子层薄膜。
15、在第一方面的一种可能的实现方式中，所述金属种子层为金属单质或金属合金，其中金属元素包括铜、锡、镍、银。
16、根据本专利技术实施例的低成本太阳电池的制备方法，相较于传统整面均匀印刷技术，也能制备出高度大于10μm的沟槽图形，在保证质量的情况下，电镀出的铜栅线性能和形状保持一致，同时降低丝网印刷过程对电池片的损伤而提高效率，相较于现有技术，能够降低40%以上的湿膜用量大幅度降低了生产成本。
17、根据本专利技术实施例的低成本太阳电池的制备方法，方法简单易行，操作简单，所用原料价格低廉、易得，无需贵重精密仪器设备即可获得同等性能的太阳电池，性价比高。
18、一种低成本太阳电池的制备系统，其中，所述系统包括采用如上述的低成本太阳电池的制备方法对太阳电池进行低成本制作。
19、一种计算机设备，其中，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述的低成本太阳电池的制备方法。
20、一种计算机存储介质，其中，所述计算机存储介质中存储有指令，所述指令在计算机上执行时，使得所述计算机执行如上述的低成本太阳电池的制备方法。
21、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，所述图形包括多个图形子单元依次阵列，每个图形子单元均包括第一栅线、第二栅线和第三栅线。
3.根据权利要求2所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一栅线的宽度范围为80μm～500μm，所述第二栅线和所述第三栅线的宽度范围为50μm～160μm。
4.根据权利要求2所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，所述油墨层的湿膜材料为绝缘油墨或感光油墨。
6.根据权利要求1所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，在提供正面和背面已沉积种子层的太阳电池硅片之前，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，所述金属种子层为金属单质或金属合金，其中金属元素包括铜、锡、镍、银。
8.一种低成本太阳电池的制备系统，其特征在于，所述系统包括采用如权利要求1至7中任意一项所述的低成本太阳电
9.一种计算机设备，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的低成本太阳电池的制备方法。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有指令，所述指令在计算机上执行时，使得所述计算机执行如权利要求1至7中任一项所述的低成本太阳电池的制备方法。
...【技术特征摘要】
1.一种低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，所述图形包括多个图形子单元依次阵列，每个图形子单元均包括第一栅线、第二栅线和第三栅线。
3.根据权利要求2所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一栅线的宽度范围为80μm～500μm，所述第二栅线和所述第三栅线的宽度范围为50μm～160μm。
4.根据权利要求2所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，所述油墨层的湿膜材料为绝缘油墨或感光油墨。
6.根据权利要求1所述的低成本太阳电池的制备方法，其特征在于，在提供正面和背面已沉积种子层的太阳...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，王伟，田宏波，李世岚，宿世超，
申请(专利权)人：国电投新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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