【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体功率器件领域，涉及一种分立器件多模驱动电路集成器件。
技术介绍
1、功率器件自专利技术以来，被广泛应用于电子电力领域，如消费电子，汽车电子等，工业自动化等领域中。而在功率器件的应用中，往往需要驱动电路来对器件进行控制。而当使用分立的功率器件时，器件与控制电路分立使用往往会占用较大的电路板面积，不利于设备小型化。所以在分立器件元胞区中直接集成驱动电路可以减小芯片面积，提高集成度。但与此同时，因为驱动电路集成在分立器件的元胞区中，所以在分立器件正向耐压时，耗尽区的扩展就会影响驱动电路的正常工作，甚至会导致驱动电路中器件的击穿。而且对于驱动电路来说，其一般为高压集成电路(hvic)，其中分为高压区与低压区，这两个区域也需要隔离来保证器件的正常工作。
技术实现思路
1、本专利技术针对
技术介绍
的不足之处，提出了一种分立器件多模驱动电路集成器件，通过在元胞区与浮动盆之间形成氧化介质槽与在驱动电路下方注入形成埋氧层来隔绝分立器件元胞区对驱动电路区的影响；并且将整个浮动盆结构至于分立器件的p阱中来避免浮动盆边缘氧化介质槽底部的提前击穿。在浮动盆内部，使用氧化介质槽对高压侧与低压侧的电路区进行隔离，保证在例如电平转换等工作状态时，高低压区的正常工作。本专利技术解决了分立器件在集成驱动电路时其对于驱动电路区的影响。并且本专利技术可应用于例如vdmos、igbt等多种分立器件结构中。
2、为实现上述专利技术目的，本专利技术技术方案如下：
3、一种分立器件多模驱
4、分立器件区由元胞区ⅱ和终端区ⅰ组成，
5、驱动电路区整体位于制作在分立器件元胞区中的浮动盆结构ⅲ中；浮动盆结构ⅲ整体集成在分立器件第二导电类型半导体阱区a201中，其包括位于底部的埋氧层403、位于浮动盆结构边界及内部高低压区之间的氧化介质槽402；浮动盆中集成bjt、cmos、或dmos器件用于搭建驱动电路。
6、作为优选方式，aa'为包含浮动盆结构的分立器件横截面；aa'线为从第二导电类型半导体场限环203结构指向浮动盆结构边缘氧化介质槽402的剖线；沿aa'剖线的器件截面包括：
7、分立器件元胞区vdmos中，包括第一导电类型半导体衬底101，第一导电类型半导体漂移区a102，第一导电类型半导体接触a103，第一导电类型半导体漂移区b104，第一导电类型半导体接触b105，第一导电类型半导体阱区a106，第一导电类型半导体接触区a107，第一导电类型半导体阱区b108，第一导电类型半导体接触区b109，第二导电类型半导体阱区a201，第二导电类型半导体接触区a202，第二导电类型半导体场限环结构203，第二导电类型半导体阱区b204，第二导电类型半导体接触区b205，第二导电类型半导体阱区c206，第二导电类型半导体阱区d207，第二导电类型半导体埋层a208，第二导电类型半导体区209，vdmos多晶硅栅301、dmos多晶硅栅302、cmos多晶硅栅303、场氧化层401、氧化介质槽402、埋氧层403；
8、其中，第一导电类型半导体衬底101、第一导电类型半导体漂移区a102、第一导电类型半导体接触a103、第二导电类型半导体阱区a201、第二导电类型半导体接触区a202、vdmos多晶硅栅301、场氧化层401组成了分立器件的元胞区ⅱ，第二导电类型半导体场限环结构203为分立器件的终端区ⅰ；第一导电类型漂移区b104、第一导电类型半导体接触b105、第一导电类型半导体阱区a106、第一导电类型接触a107、第一导电类型阱区b108、第一导电类型接触b109、第二导电类型阱区b204、第二导电类型接触区b205、第二导电类型阱区c206、第二导电类型阱区d207、dmos多晶硅栅302、cmos多晶硅栅303、氧化介质槽402、埋氧层403组成了浮动盆结构ⅲ；
9、其中，第一导电类型半导体漂移区a102位于第一导电类型半导体衬底101的上方，第二导电类型半导体阱区a201位于第一导电类型半导体漂移区a102上方；第一导电类型半导体接触a103与第二导电类型半导体接触a202位于第二导电类型半导体阱区a201内，第二导电类型半导体203位于器件元胞区外构成终端结构；vdmos多晶硅栅301位于第一导电类型半导体漂移区a102的上方，
10、浮动盆结构ⅲ整体位于第二导电类型半导体阱区a201内，其构成为：
11、埋氧层403位于第二导电类型半导体阱区b204的底部，氧化介质槽402位于浮动盆结构边缘与浮动盆结构内部不同器件之间，第一导电类型半导体漂移区b104位于第二导电类型半导体阱区b204的右侧，第二导电类型半导体b205位于第二导电类型半导体阱区b204内，第一导电类型半导体阱区a106位于第一导电类型半导体漂移区b104右侧，第一导电类型半导体接触b105位于第二导电类型半导体阱区b204内与第一导电类型半导体阱区a106内，多晶硅栅302覆盖在第二导电类型半导体阱区b204与第一导电类型半导体漂移区b104相邻处的半导体表面，第一导电类型半导体漂移区b104、第一导电类型半导体接触b105、第一导电类型半导体阱区a106、第二导电类型半导体阱区b204、第二导电类型半导体接触区b205与dmos多晶硅栅302构成了一颗dmos；第一导电类型半导体接触a107位于第二导电类型半导体阱区c206中，多晶硅栅303位于两个第一导电类型半导体接触a107之间的硅表面之上，第一导电类型半导体接触a107、第二导电类型半导体c206与cmos多晶硅栅303构成了一颗cmos管；第二导电类型半导体阱区d207位于第一导电类型半导体阱区b108中，第一导电类型半导体接触b109位于第二导电类型半导体阱区d207的表面，第一导电类型半导体阱区b108、第一导电类型半导体接触b109、第二导电类型半导体d207构成了一颗bjt管；
12、以上所述的位于浮动盆结构中的器件，dmos与bjt、dmos与cmos、cmos与bjt之间横向上均采用氧化介质槽402隔离。
13、作为优选方式，位于浮动盆结构底部的埋氧层403替换为注入形成的第二导电类型半导体埋层208。
14、作为优选方式，浮动盆结构中氧化介质槽402更换为第二导电类型半导体区209。
15、作为优选方式，靠近浮动盆结构边缘的第二导电类型半导体阱区a201边缘截止在截止氧化介质槽402处，利用槽底注入形成第二导电类型半导体埋层b210。
16、作为优选方式，扩大氧化介质槽402的宽度和槽底注入形成的大小，使第二导电类型半导体埋层b210在cmos和bjt器件下方直接相连形成隔离。
17、作为优选方式，浮动盆结构边缘氧化介质槽402更换为第二导电类型半导体区209。
18、作为优选方式，终端区ⅰ替换为场板结构、结终端扩展结构。
19、作为优选方式，分立器件元胞区ⅱ替换为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：包括分立器件区和驱动电路区，
2.根据权利要求1所述的一种分立器件多模驱动电路集成技术，其特征在于：AA'为包含浮动盆结构的分立器件横截面；AA'线为从第二导电类型半导体场限环(203)结构指向浮动盆结构边缘氧化介质槽(402)的剖线；沿AA'剖线的器件截面包括：
3.根据权利要求2所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：位于浮动盆结构底部的埋氧层(403)替换为注入形成的第二导电类型半导体埋层(208)。
4.根据权利要求3所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：浮动盆结构中氧化介质槽(402)更换为第二导电类型半导体区(209)。
5.根据权利要求2所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：靠近浮动盆结构边缘的第二导电类型半导体阱区A(201)边缘截止在截止氧化介质槽(402)处，利用槽底注入形成第二导电类型半导体埋层B(210)。
6.根据权利要求5所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：扩大氧化介质槽(402)的宽度和
7.根据权利要求1所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：浮动盆结构边缘氧化介质槽(402)更换为第二导电类型半导体区(209)。
8.根据权利要求2所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：终端区Ⅰ替换为场板结构、结终端扩展结构。
9.根据权利要求2所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：分立器件元胞区Ⅱ替换为VDMOS、IGBT。
...【技术特征摘要】
1.一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：包括分立器件区和驱动电路区，
2.根据权利要求1所述的一种分立器件多模驱动电路集成技术，其特征在于：aa'为包含浮动盆结构的分立器件横截面；aa'线为从第二导电类型半导体场限环(203)结构指向浮动盆结构边缘氧化介质槽(402)的剖线；沿aa'剖线的器件截面包括：
3.根据权利要求2所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：位于浮动盆结构底部的埋氧层(403)替换为注入形成的第二导电类型半导体埋层(208)。
4.根据权利要求3所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：浮动盆结构中氧化介质槽(402)更换为第二导电类型半导体区(209)。
5.根据权利要求2所述的一种分立器件多模驱动电路集成器件，其特征在于：靠近浮动盆结构边缘...
【专利技术属性】
技术研发人员：章文通，慕江南，胡哲恺，坤雨潇，谭开洲，乔明，李肇基，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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