【技术实现步骤摘要】
本申请涉及放大器，特别是涉及一种低噪声放大器电路及低噪声放大器。
技术介绍
1、在无线接收机系统中，为了保证系统具有高灵敏度表现，接收机链路往往需要较低的噪声系数，而无线接收机系统的第一个模块往往是低噪声放大器，其噪声系数将会直接影响整个系统的噪声系数，因此，研究低噪声系数、高线性度的低噪声放大器具有重要的科研意义和现实意义。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种低噪声系数、高线性度的低噪声放大器电路及低噪声放大器。
2、第一方面，本申请提出一种低噪声放大器电路，包括：巴伦，所述巴伦用于将射频信号转换为第一输入信号和第二输入信号；第一交叉耦合电容单元，所述第一交叉耦合电容单元连接所述巴伦的输出端并用于根据所述第一输入信号和所述第二输入信号分别得到第一中间信号和第二中间信号；第二交叉耦合电容单元，所述第二交叉耦合电容单元连接所述第一交叉耦合电容单元的输出端并用于根据所述第一中间信号和所述第二中间信号分别得到第一输出信号和第二输出信号；负载电感，所述负载电感连接所述第二交叉耦合电容单元，所述负载电感的一端用于接收所述第一输出信号，所述负载电感的另一端用于接收所述第二输出信号，所述负载电感的中间抽头用于接收工作电压。
3、在其中一个实施例中，低噪声放大器电路还包括：增益控制单元，所述增益控制单元连接所述第一交叉耦合电容单元的输出端，所述增益控制单元用于进行增益控制。
4、在其中一个实施例中，所述第一交叉耦合电容单元包括：第一nmo
5、在其中一个实施例中，所述第一交叉耦合电容单元还包括：第三电阻和第四电阻，所述第一nmos管的漏极通过所述第三电阻连接所述第一nmos管的衬底，所述第二nmos管的漏极通过所述第四电阻连接所述第二nmos管的衬底。
6、在其中一个实施例中，所述第二交叉耦合电容单元包括：第三nmos管、第四nmos管、第三电容、第四电容、第五电阻和第六电阻，所述第三nmos管的源极分别连接所述第一交叉耦合电容单元和所述第三电容的一端并用于接收所述第一中间信号，所述第三电容的另一端连接所述第四nmos管的栅极，所述第四nmos管的源极分别连接所述第一交叉耦合电容单元和所述第四电容的一端并用于接收所述第二中间信号，所述第四电容的另一端连接所述第三nmos管的栅极，所述第三nmos管的栅极通过所述第五电阻接收第二偏置信号，所述第四nmos管的栅极通过所述第六电阻接收所述第二偏置信号，所述第三nmos管的漏极连接所述负载电感的一端，所述第四nmos管的漏极连接所述负载电感的另一端。
7、在其中一个实施例中，所述增益控制单元包括：第五nmos管、第六nmos管、第七电阻和第八电阻，所述第五nmos管的源极连接所述第一交叉耦合电容单元并用于接收所述第一中间信号，所述第六nmos管的源极连接所述第一交叉耦合电容单元并用于接收所述第二中间信号，所述第五nmos管的栅极通过所述第七电阻接收所述工作电压，所述第六nmos管的栅极通过所述第八电阻接收所述工作电压，所述第五nmos管的漏极和所述第六nmos管的漏极均接收所述工作电压。
8、在其中一个实施例中，低噪声放大器电路还包括：输入调谐电容和输出调谐电容，所述输入调谐电容连接所述巴伦，所述输入调谐电容的一端用于接收所述第一输入信号，所述输入调谐电容的另一端用于接收所述第二输入信号，所述输出调谐电容连接所述负载电感，所述输出调谐电容的一端用于接收所述第一输出信号，所述输出调谐电容的另一端用于接收所述第二输出信号。
9、第二方面，本申请还提出了一种低噪声放大器，包括上述第一方面实施例所述的低噪声放大器电路，所述巴伦为八边形巴伦，所述负载电感为八字电感。
10、在其中一个实施例中，所述八字电感嵌套在所述八边形巴伦中。
11、在其中一个实施例中，所述八边形巴伦包括：输入线圈和输出线圈，所述输入线圈和所述输出线圈位于同一平面内。
12、上述低噪声放大器电路及低噪声放大器，通过设置两个具备电容交叉耦合结构的第一交叉耦合电容单元和第二交叉耦合电容单元，在确保满足阻抗匹配的条件下可以实现较低的噪声系数，且设置的差分结构有助于消除偶次谐波。同时，通过设置负载电感和巴伦，通过磁场耦合提供了额外噪声路径以补偿其他支路输出的噪声，从而实现了更低的噪声系数。
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1.一种低噪声放大器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，还包括：增益控制单元，所述增益控制单元连接所述第一交叉耦合电容单元的输出端，所述增益控制单元用于进行增益控制。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一交叉耦合电容单元包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容、第一电阻和第二电阻，所述第一NMOS管的源极分别连接所述巴伦和所述第一电容的一端并用于接收所述第一输入信号，所述第一电容的另一端连接所述第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极分别连接所述巴伦和所述第二电容的一端并用于接收所述第二输入信号，所述第二电容的另一端连接所述第一NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的栅极通过所述第一电阻接收第一偏置信号，所述第二NMOS管的栅极通过所述第二电阻接收所述第一偏置信号，所述第一NMOS管的漏极用于输出所述第一中间信号，所述第二NMOS管的漏极用于输出所述第二中间信号。
4.根据权利要求3所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一交叉耦合电容单元还包括：第三电
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第二交叉耦合电容单元包括：第三NMOS管、第四NMOS管、第三电容、第四电容、第五电阻和第六电阻，所述第三NMOS管的源极分别连接所述第一交叉耦合电容单元和所述第三电容的一端并用于接收所述第一中间信号，所述第三电容的另一端连接所述第四NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的源极分别连接所述第一交叉耦合电容单元和所述第四电容的一端并用于接收所述第二中间信号，所述第四电容的另一端连接所述第三NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的栅极通过所述第五电阻接收第二偏置信号，所述第四NMOS管的栅极通过所述第六电阻接收所述第二偏置信号，所述第三NMOS管的漏极连接所述负载电感的一端，所述第四NMOS管的漏极连接所述负载电感的另一端。
6.根据权利要求2所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述增益控制单元包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第七电阻和第八电阻，所述第五NMOS管的源极连接所述第一交叉耦合电容单元并用于接收所述第一中间信号，所述第六NMOS管的源极连接所述第一交叉耦合电容单元并用于接收所述第二中间信号，所述第五NMOS管的栅极通过所述第七电阻接收所述工作电压，所述第六NMOS管的栅极通过所述第八电阻接收所述工作电压，所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极均接收所述工作电压。
7.根据权利要求1至6任一项所述的低噪声放大器电路，其特征在于，还包括：输入调谐电容和输出调谐电容，所述输入调谐电容连接所述巴伦，所述输入调谐电容的一端用于接收所述第一输入信号，所述输入调谐电容的另一端用于接收所述第二输入信号，所述输出调谐电容连接所述负载电感，所述输出调谐电容的一端用于接收所述第一输出信号，所述输出调谐电容的另一端用于接收所述第二输出信号。
8.一种低噪声放大器，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的低噪声放大器电路，所述巴伦为八边形巴伦，所述负载电感为八字电感。
9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述八字电感嵌套在所述八边形巴伦中。
10.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述八边形巴伦包括：输入线圈和输出线圈，所述输入线圈和所述输出线圈位于同一平面内。
...【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，还包括：增益控制单元，所述增益控制单元连接所述第一交叉耦合电容单元的输出端，所述增益控制单元用于进行增益控制。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一交叉耦合电容单元包括：第一nmos管、第二nmos管、第一电容、第二电容、第一电阻和第二电阻，所述第一nmos管的源极分别连接所述巴伦和所述第一电容的一端并用于接收所述第一输入信号，所述第一电容的另一端连接所述第二nmos管的栅极，所述第二nmos管的源极分别连接所述巴伦和所述第二电容的一端并用于接收所述第二输入信号，所述第二电容的另一端连接所述第一nmos管的栅极，所述第一nmos管的栅极通过所述第一电阻接收第一偏置信号，所述第二nmos管的栅极通过所述第二电阻接收所述第一偏置信号，所述第一nmos管的漏极用于输出所述第一中间信号，所述第二nmos管的漏极用于输出所述第二中间信号。
4.根据权利要求3所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一交叉耦合电容单元还包括：第三电阻和第四电阻，所述第一nmos管的漏极通过所述第三电阻连接所述第一nmos管的衬底，所述第二nmos管的漏极通过所述第四电阻连接所述第二nmos管的衬底。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第二交叉耦合电容单元包括：第三nmos管、第四nmos管、第三电容、第四电容、第五电阻和第六电阻，所述第三nmos管的源极分别连接所述第一交叉耦合电容单元和所述第三电容的一端并用于接收所述第一中间信号，所述第三电容的另一端连接所述第四nmos管的栅极，所述第四nmos管的源极分别连接所述第一交叉耦合电容单元和所述第四电容的一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱柏智，董昊煜，舒胜鹏，郝泽，潘少辉，冯海刚，
申请(专利权)人：广州安凯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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