【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构及半导体工艺的检测方法。
技术介绍
1、在mems(micro electromechanical system，微电子机械系统)器件的制造工艺中，经常需要对硅衬底进行深硅孔刻蚀，而后采用孔填充工艺对硅深孔填充导电材料。孔填充工艺异常通常会导致导电材料填充缺失，从而降低产品良率。在目前的技术中，缺陷扫描机台只能监测硅深孔表面的填充情况，无法监测硅深孔内部的填充情况，导致无法准确获取孔填充工艺的异常情况，不利于提高产品的良率。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种半导体结构及半导体工艺的检测方法。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构，用于检测半导体工艺的缺陷，包括：
3、衬底结构，所述衬底结构上设有至少一目标孔以及至少一模拟孔；所述目标孔和所述模拟孔均沿所述衬底结构的厚度方向，由所述衬底结构的表面朝所述衬底结构内延伸；所述模拟孔的孔径等于所述目标孔的孔径，所述模拟孔的深度小于所述目标孔的深度；
4、阻挡层，覆盖于所述衬底结构的表面、所述目标孔的孔壁、以及所述模拟孔的孔壁。
5、在其中一个实施例中，所述模拟孔的数量为多个，多个所述模拟孔于所述衬底结构上间隔排布。
6、在其中一个实施例中，所述模拟孔的种类为多种，同一种类的所述模拟孔的深度相同，不同种类的所述模拟孔的深度不同；
7、同一种类模拟孔中的所述模拟孔数量为至少一个。
8、在
9、在其中一个实施例中，所述目标孔的深度与孔径之比为n，所述模拟孔的种类数为正整数m；
10、所述m与所述n满足关系：m+1≥n。
11、在其中一个实施例中，同一种类模拟孔中的所述模拟孔数量为多个；所述目标孔的数量为多个；所述衬底结构上设有一个第一曝光区和多个第二曝光区；
12、多个所述目标孔位于所述第一曝光区；同一种类的所述模拟孔位于同一所述第二曝光区，且不同种类的所述模拟孔分别位于不同的所述第二曝光区。
13、在其中一个实施例中，在同一所述第二曝光区中，各所述模拟孔均匀排布；
14、和/或，各所述目标孔在所述第一曝光区内均匀排布。
15、在其中一个实施例中，在同一所述第二曝光区中，相邻的两个所述模拟孔的间距等于所述模拟孔的孔径；
16、和/或，相邻的两个所述目标孔的间距等于所述目标孔的孔径。
17、在其中一个实施例中，所述衬底结构包括层叠设置的基底和介质层，所述目标孔和所述模拟孔由所述介质层的表面朝所述基底延伸。
18、本申请实施例提供的半导体结构，可以应用于孔填充工艺缺陷的检测，具体地，对待检测的孔填充工艺进行检测时，可以采用待检测的孔填充工艺对模拟孔和目标孔进行填充，填充完成后，模拟孔表面的填充情况可以表征目标孔内部某一段孔的填充情况，因此，通过缺陷扫描设备对目标孔和模拟孔的表面进行扫描和比对，即可获取孔填充工艺在某一段上是否存在缺陷，有利于提高产品良率。
19、第二方面，本申请实施例提供一种半导体工艺的检测方法，包括：
20、提供第一方面任一实施例所述的半导体结构；
21、采用预设工艺于所述半导体结构的目标孔和模拟孔中填充导电层；
22、获取所述目标孔和所述模拟孔的表面图像，并基于所述目标孔和所述模拟孔的表面图像确定所述预设工艺的性能参数。
23、在其中一个实施例中，所述提供第一方面任一实施例所述的半导体结构的步骤，包括：
24、提供衬底结构；
25、于所述衬底结构上形成所述目标孔及所述模拟孔；所述目标孔和所述模拟孔均沿所述衬底结构的厚度方向，由所述衬底结构的表面至所述衬底结构内延伸；所述模拟孔的孔径等于所述目标孔的孔径，所述模拟孔的深度小于所述目标孔的深度；
26、于所述衬底结构上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖于所述衬底结构的表面、所述目标孔的孔壁、以及所述模拟孔的孔壁。
27、在其中一个实施例中，所述采用预设工艺于所述半导体结构的目标孔和模拟孔中填充导电层的步骤，包括：
28、采用预设工艺于所述半导体结构的衬底结构上形成导电材料层，所述导电材料层填充于所述目标孔和所述模拟孔中，且覆盖于所述衬底结构的表面；
29、去除所述衬底结构表面的导电材料层，以暴露所述目标孔的表面和所述模拟孔的表面。
30、本申请实施例提供的半导体工艺的检测方法，利用模拟孔表面的填充情况表征目标孔内部某一段孔的填充情况，从而通过模拟孔和目标孔的表面图像获取孔填充工艺对应的子段工艺是否存在缺陷，有利于提高产品良率。
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1.一种半导体结构，用于检测半导体工艺的缺陷，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述模拟孔的数量为多个，多个所述模拟孔于所述衬底结构上间隔排布。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述模拟孔的种类为多种，同一种类的所述模拟孔的深度相同，不同种类的所述模拟孔的深度不同；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在所有的模拟孔种类中，不同种类的所述模拟孔的深度按照预设步长递增。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述目标孔的深度与孔径之比为n，所述模拟孔的种类数为正整数m；
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，同一种类模拟孔中的所述模拟孔数量为多个；所述目标孔的数量为多个；所述衬底结构上设有一个第一曝光区和多个第二曝光区；
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在同一所述第二曝光区中，各所述模拟孔均匀排布；
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在同一所述第二曝光区中，相邻的两个所述模拟孔的间距等于所
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底结构包括层叠设置的基底和介质层，所述目标孔和所述模拟孔由所述介质层的表面朝所述基底延伸。
10.一种半导体工艺的检测方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述提供如权利要求1-9中任一项所述的半导体结构的步骤，包括：
12.根据权利要求10所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述采用预设工艺于所述半导体结构的目标孔和模拟孔中填充导电层的步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，用于检测半导体工艺的缺陷，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述模拟孔的数量为多个，多个所述模拟孔于所述衬底结构上间隔排布。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述模拟孔的种类为多种，同一种类的所述模拟孔的深度相同，不同种类的所述模拟孔的深度不同；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，在所有的模拟孔种类中，不同种类的所述模拟孔的深度按照预设步长递增。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述目标孔的深度与孔径之比为n，所述模拟孔的种类数为正整数m；
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，同一种类模拟孔中的所述模拟孔数量为多个；所述目标孔的数量为多个；所述衬底结构上设有一个第一曝光区和多个第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚威，简志宏，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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