【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种用于电阻率量测的样片及其制备方法。
技术介绍
1、直拉法生长的单晶硅广泛用于制造半导体电子器件，通过掺杂可以生长出不同电阻率的硅晶体。对于某些器件要求如先进的无线通信应用、绝缘栅双极晶体管(igbt)和低功率、低泄漏器件，要求硅片有着很高电阻率(超过500ohm.cm)。高阻值的硅片有利于减小器件间寄生电容的影响，器件可以更密集地堆积在硅片表面，同时可以降低器件间的信号传输损耗。
2、电阻率是评价12英寸单晶硅材料主要性质参数，电阻率量测需要用到的半导体设备包括四探针检测仪、qcs、汞cv、srp等。为确定量测设备的准确性、稳定性、测试线性关系，这些设备需要一系列不同电阻率的样片进行校准，调试以及量产过程monitor监控。硅片按导电类型分类包括磷或砷掺杂n型电阻硅片，硼掺杂p型电阻硅片，p型、n型间隔分布的多层电阻硅片、重掺低阻硅片、本征高电阻硅片等类型。目前12英寸单晶样片主要使用提拉法制备，从硅溶液中引晶、提拉出硅晶棒。如需要一系列多个电阻率的样片，则要求提拉多根晶棒，每一个晶棒要经过研磨、抛光处理，才能用于电阻率的量测。整个制样过程存在耗损高，时间长等缺陷问题。
3、需要说明的是，公开于该专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于电阻率量测的样片及其制备方法，
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于电阻率量测样片的制备方法，包括：
3、提供一晶棒，将所述晶棒切割成若干硅片，并将所述硅片作为衬底，所述衬底具有第一面和第二面；
4、在所述衬底的第一面形成掺杂的外延层，在形成外延层时，通过控制掺杂气体的种类和流量，在至少一衬底分别形成具有不同电阻率的外延层；
5、将所述衬底去除，获取样片。
6、优选地，在形成外延层之前，该制备方法还包括：
7、在衬底的第二面形成氧化层；
8、将所述衬底去除，获取样片还包括：
9、将所述氧化层去除。
10、优选地，所述氧化层的材料为二氧化硅，且二氧化硅沉积的厚度大于等于
11、优选地，所述在所述衬底的第一面形成外延层包括：
12、在所述衬底的第一面形成单层外延层，所述单层外延层掺杂同一种杂质。
13、优选地，所述在所述衬底的第一面形成外延层包括：
14、在衬底的第一面形成多层外延层，且通过控制掺杂气体的种类和掺杂气体的流量，形成的每一层的外延层的电阻率均不同。
15、优选地，所述外延层的厚度大于等于700μm。
16、优选地，所述外延层掺杂的杂质种类包括硼烷、磷烷和砷烷中的任一种或两种或三种的组合。
17、优选地，形成外延层时，掺杂气体的流量为0～500sccm。
18、优选地，将所述衬底去除时，该制备方法还包括：
19、去除靠近衬底一面的外延层10～20μm。
20、基于相同的专利技术思想，本专利技术还提供了一种用于电阻率量测的样片，包括采用上述所述的制备方法制备多个具有不同电阻率的样片。
21、与现有技术相比，本专利技术的用于电阻率量测样片的制备方法具有如下优点：
22、本专利技术通过提供一晶棒，将所述晶棒切割成若干硅片，并将所述硅片作为衬底，所述衬底具有第一面和第二面。在所述衬底的第一面形成掺杂的外延层，在形成外延层时，通过控制掺杂气体的种类和流量，在至少一衬底分别形成具有不同电阻率的外延层，所述外延层的掺杂种类与所述衬底的掺杂种类不同。将所述衬底去除，获取样片。由此，本专利技术提供的用于电阻率量测样片的制备方法，由于通过将一晶棒切割成若干硅片作为衬底，并在不同的衬底形成具有不同电阻率的外延层。最后，去除衬底，获取样片。不仅缩短了制样的时间，还降低了晶棒的损耗。
23、本专利技术提供的用于电阻率量测的样片与本专利技术提供的用于电阻率量测样片的制备方法属于同一专利技术构思，因此，本专利技术提供的用于电阻率量测的样片至少具有本专利技术提供的用于电阻率量测样片的制备方法的所有优点，采用上述的制备方法制备的多个具有不同电阻率的样片，能够减少晶棒的损耗。
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1.一种用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，在形成外延层之前，该制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述氧化层的材料为二氧化硅，且二氧化硅沉积的厚度大于等于
4.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一面形成外延层包括：
5.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一面形成外延层包括：
6.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述外延层的厚度大于等于700μm。
7.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述外延层掺杂的气体种类包括硼烷、磷烷和砷烷中的任一种或两种或三种的组合。
8.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，形成外延层时，掺杂气体的流量为0～500sccm。
9.根据权利要求1所述的用于电阻率量
10.一种用于电阻率量测的样片，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，在形成外延层之前，该制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述氧化层的材料为二氧化硅，且二氧化硅沉积的厚度大于等于
4.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一面形成外延层包括：
5.根据权利要求1所述的用于电阻率量测样片的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底的第一面形成外延层包括：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：王华杰，曹共柏，林志鑫，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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