【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属加工，尤其涉及一种熔断器用高强度高导电性银带及其制备方法。
技术介绍
1、纯银带因其具备优异的导电性能，作为熔体材料广泛应用于熔断器行业。目前用作熔断器熔体材料的纯银带厚度主要为0.08-0.15mm，电阻率要求小于16.40，由于纯银原材料价格日益增加，为了降低成本、控制消耗，熔体材料逐步向超薄化发展。但是这种使用纯银加工成超薄纯银带的过程中，由于纯银力学性能较差，轧制超薄带时，为控制带材板型，需加大收放卷张力，纯银力学性能低容易导致轧制时断带，另一方面，纯银带制作熔断片时需冲压狭径，纯银强度不足易导致冲压时狭径处断裂等情况。
2、所以人们采取了多种方案，有一种方案如公开号为cn109686630a的中国专利公开的一种熔断器用银片，虽然有所得熔体具有良好导电性能、自灭弧能力，熔点适宜且具有优良加工性能，然而，其所述方案采用的是银铜合金外包纯银的结构，银铜合金的导电率介于银和铜之间，并且比纯银的导电率要低。这是因为合金中不同原子的存在会干扰电子的传导。在合金内部，晶格结构会因为两种不同金属原子的混合而发生改变，电子在这种复杂的晶格中运动时会受到更多的散射，从而降低了整个银片的导电率，所以无法应用于需求更加高端、反应要求更为灵敏的熔断器。
3、因此本领域技术人员致力于开发一种有高强度和高导电性的用于熔断器的银带及其制备方法。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种有高强度和高导电性的用于熔断器的银带及其制备方法。<...
【技术保护点】
1.一种熔断器用高强度高导电性银带，其特征在于：包括纯银和强化剂，所述强化剂质量为所述纯银质量的0.005-0.01％，所述强化剂为氧化锆、氧化钙、硼化钙和硼化锆中的一种或几种混合物。
2.如权利要求1所述的熔断器用高强度高导电性银带，其特征在于：所述纯银的纯度≥99.99％。
3.如权利要求1所述的熔断器用高强度高导电性银带，其特征在于：所述强化剂的纯度≥99.9％。
4.一种权利要求1至3任一所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
5.如权利要求4所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中熔炼温度为1150-1250℃，熔炼时间为40-50min。
6.如权利要求4所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：在步骤(4)中所得的含有强化剂的银熔融液倾斜荡炉5-10次后，以熔液温度1100-1200℃浇铸到模具中。
7.如权利要求4所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：在步骤(6)中热锻初始温度为500-600℃，一道次锻打为
8.如权利要求4所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：在步骤(8)中采用开坯轧机及精轧机轧制为0.02-0.15mm纯银成品带材。
9.如权利要求8所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：道次加工率为20-25％。
10.如权利要求1所述的熔断器用高强度高导电性银带，其特征在于：所述银带的厚度小于0.05mm。
...【技术特征摘要】
1.一种熔断器用高强度高导电性银带，其特征在于：包括纯银和强化剂，所述强化剂质量为所述纯银质量的0.005-0.01％，所述强化剂为氧化锆、氧化钙、硼化钙和硼化锆中的一种或几种混合物。
2.如权利要求1所述的熔断器用高强度高导电性银带，其特征在于：所述纯银的纯度≥99.99％。
3.如权利要求1所述的熔断器用高强度高导电性银带，其特征在于：所述强化剂的纯度≥99.9％。
4.一种权利要求1至3任一所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
5.如权利要求4所述熔断器用高强度高导电性银带的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中熔炼温度为1150-1250℃，熔炼时间为40-50min。
6.如权利要求4所述熔断...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴林，徐永红，杨贤军，唐朝，
申请(专利权)人：重庆川仪自动化股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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