【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及原子层沉积，尤其涉及一种原子层沉积镀膜腔室。
技术介绍
1、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)工艺是一种在微纳米尺度上精确控制薄膜厚度和成分的方法，其温度对于沉积过程和薄膜性能具有重要影响。
2、在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子，因此也称为单原子层沉积。原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，但是不适当的气流运动方向阻碍了镀膜分子在表面的形成。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种原子层沉积镀膜腔室。
2、具体地，本专利技术是通过如下技术方案实现的：
3、根据本专利技术的第一方面，提供一种原子层沉积镀膜腔室，包括：
4、壳体，用于样品镀膜；所述壳体内设置有容纳腔；
5、进气孔，用于向所述容纳腔内输入反应气体；所述进气孔设置于所述壳体上，且与所述容纳腔连接；
6、出气孔，用于排出所述容纳腔内的气体；所述出气孔设置于所述壳体上，且与所述容纳腔连接。
7、可选地，所述进气孔设置于所述壳体的底壁上。
8、可选地，所述出气孔设置于所述壳体的底壁上。
9、可选地，所述进气孔和所述出气孔分别设置于所述容纳腔的两侧。
10、可选地，所述容纳腔的内部设置有凹槽。
11、可选地，
12、可选地，所述容纳腔上靠近所述进气孔的侧壁设置为圆弧曲面。
13、可选地，所述容纳腔上靠近所述出气孔的侧壁设置为圆弧曲面。
14、可选地，所述凹槽上靠近所述进气孔的侧壁边角设置为圆弧曲面。
15、可选地，所述凹槽上靠近所述出气孔的侧壁边角设置为圆弧曲面。
16、本专利技术提供的技术方案至少带来以下有益效果：
17、本申请提供的一种原子层沉积镀膜腔室的容纳腔内壁设置为曲面，可以实现圆滑过渡，有利于气流更加柔和均匀地扩散到整个腔室内，提高样品表面所镀薄膜的均匀性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述进气孔设置于所述壳体的底壁上。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述出气孔设置于所述壳体的底壁上。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述进气孔和所述出气孔分别设置于所述容纳腔的两侧。
5.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述容纳腔的内部设置有凹槽。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述容纳腔的内底壁向内凹陷形成所述凹槽。
7.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述容纳腔上靠近所述进气孔的侧壁设置为圆弧曲面。
8.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述容纳腔上靠近所述出气孔的侧壁设置为圆弧曲面。
9.根据权利要求6所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述凹槽上靠近所述进气孔的侧壁边角设置为圆弧曲面。
10.根据权利要求6所述的原子层沉积镀膜腔
...【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述进气孔设置于所述壳体的底壁上。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述出气孔设置于所述壳体的底壁上。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述进气孔和所述出气孔分别设置于所述容纳腔的两侧。
5.根据权利要求1所述的原子层沉积镀膜腔室，其特征在于，所述容纳腔的内部设置有凹槽。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积镀膜腔室，...
【专利技术属性】
技术研发人员：闻梦瑶，明帅强，李明，王浙加，李国庆，戴昕童，车睿远，张亦哲，徐硕，
申请(专利权)人：嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。