【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种金属-氧化物-金属电容及其制造方法。
技术介绍
1、电容器是集成电路中的重要元器件，其中金属-氧化物-金属(mom，metal-oxide-metal)电容是通过后段金属布线工艺寄生产生的，并且不会额外增加工艺制造的成本和难度，是集成电路制造工艺中最为常见的电容结构。随着集成电路制造工艺的演进和发展，工艺尺寸不断的缩小，金属-氧化物-金属电容的面积也会随着缩减。这就要求金属-氧化物-金属电容的电容密度需要不断的提高，因此通过改进金属-氧化物-金属电容的结构和制造工艺，来提升金属-氧化物-金属电容的电容密度，是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种金属-氧化物-金属电容及其制造方法，以解决现有技术中金属-氧化物-金属电容的电容密度需要不断提高的技术问题。
2、本专利技术提供的一种金属-氧化物-金属电容，包括：
3、半导体衬底；
4、底层金属层，设置在所述半导体衬底的表面上，所述底层金属层包括金属连线；
5、层间介质层，设置在所述底层金属层的表面上，所述层间介质层上形成底部沟槽与顶部沟槽的至少一种，所述底部沟槽、所述顶部沟槽内设置有金属插塞，其中，所述底部沟槽与所述底层金属层的金属连线连通，和/或，所述顶部沟槽与所述底层金属层之间分隔；以及
6、顶层金属层，设置在所述层间介质层的表面上，所述顶层金属层包括金属连线，其中，所述底部沟槽与所述顶层金属层之间分隔，和/或，所述顶部沟槽
7、其中，所述底层金属层的金属连线与所述顶层金属层的金属连线对应。
8、在本专利技术的一个实施例中，所述底层金属层的金属连线，被区分为第一类金属连线和第二类金属连线，所述第一类金属连线和所述第二类金属连线之间呈插指状间隔交错；
9、所述顶层金属层的金属连线，被区分为第一类金属连线和第二类金属连线，所述第一类金属连线和所述第二类金属连线之间呈插指状间隔交错；
10、所述底层金属层的第一类金属连线与所述顶层金属层的第一类金属连线位于相同一侧且电连接，所述底层金属层的第二类金属连线与所述顶层金属层的第二类金属连线位于相同一侧且电连接。
11、在本专利技术的一个实施例中，所述底层金属层的第一类金属连线与所述顶层金属层的第二类金属连线对应，所述底层金属层的第二类金属连线与所述顶层金属层的第一类金属连线对应。
12、在本专利技术的一个实施例中，金属-氧化物-金属电容还包括：
13、第一缓冲层，设置在所述层间介质层的表面上，所述第一缓冲层将所述底部沟槽与所述顶层金属层进行分隔，所述顶部沟槽贯穿所述第一缓冲层，所述顶部沟槽与所述顶层金属层连通。
14、在本专利技术的一个实施例中，金属-氧化物-金属电容还包括：
15、第二缓冲层，设置在所述底层金属层的表面上，所述第二缓冲层将所述顶部沟槽与所述底层金属层进行分隔，所述底部沟槽贯穿所述缓冲层，所述底部沟槽与所述底层金属层连通。
16、在本专利技术的一个实施例中，所述金属连线包括：
17、边沿段；
18、多个连线段，电连接至所述边沿段上，多个所述连线段平行设置，相邻两个所述连线段之间存在间隙；
19、其中，所述底层金属层的金属连线与所述顶层金属层的金属连线之间，通过所述边沿段电连接。
20、在本专利技术的一个实施例中，在所述顶层金属层或者所述底层金属层中，所述第一类金属连线的连线段与所述第二类金属连线的连线段交替分布。
21、本专利技术还提出一种金属-氧化物-金属电容的制造方法，包括：
22、提供一半导体衬底；
23、在所述半导体衬底的表面上形成底层金属层，在所述底层金属层上形成金属连线；
24、在所述底层金属层的表面上形成层间介质层，在所述层间介质层上形成底部沟槽和顶部沟槽的至少一种，在所述底部沟槽、所述顶部沟槽内设置金属插塞，其中，所述底部沟槽与所述底层金属层的金属连线连通，和/或，所述顶部沟槽与所述底层金属层之间分隔；
25、在所述层间介质层的表面上形成顶层金属层，在所述顶层金属层上形成金属连线，其中，所述底部沟槽与所述顶层金属层之间分隔，和/或，所述顶部沟槽与所述顶层金属层的金属连线连通；
26、将所述顶层金属层的金属连线与所述底层金属层的金属连线进行对应。
27、在本专利技术的一个实施例中，所述在所述底层金属层上形成金属连线的步骤，包括：
28、将所述底层金属层上的金属连线，区分为第一类金属连线和第二类金属连线；
29、将所述第一类金属连线和所述第二类金属连线按照插指状间隔交错分布。
30、在本专利技术的一个实施例中，所述在所述顶层金属层上形成金属连线的步骤，包括：
31、将所述顶层金属层上的金属连线，区分为第一类金属连线和第二类金属连线，将所述第一类金属连线和所述第二类金属连线按照插指状间隔交错分布；
32、将所述顶层金属层的第一类金属连线与所述底层金属层的第一类金属连线设于相同一侧，并进行电连接，将所述顶层金属层的第二类金属连线与所述底层金属层的第二类金属连线设于相同一侧，并进行电连接。
33、本专利技术的有益效果：本专利技术提出一种金属-氧化物-金属电容及其制造方法，在相邻两个金属层之间，利用不同金属层之间金属插塞的电容效应，可增加电容的有效寄生面积，从而达到提高电容密度的目的。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种金属-氧化物-金属电容，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述底层金属层的金属连线，被区分为第一类金属连线和第二类金属连线，所述第一类金属连线和所述第二类金属连线之间呈插指状间隔交错；
3.根据权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述底层金属层的第一类金属连线与所述顶层金属层的第二类金属连线对应，所述底层金属层的第二类金属连线与所述顶层金属层的第一类金属连线对应。
4.根据权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求2或3所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述金属连线包括：
7.根据权利要求6所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，在所述顶层金属层或者所述底层金属层中，所述第一类金属连线的连线段与所述第二类金属连线的连线段交替分布。
8.一种金属-氧化物-金属电容的制造方法，其特征在于，包括：
9.根据权
10.根据权利要求9所述金属-氧化物-金属电容的制造方法，其特征在于，所述在所述顶层金属层上形成金属连线的步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种金属-氧化物-金属电容，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述底层金属层的金属连线，被区分为第一类金属连线和第二类金属连线，所述第一类金属连线和所述第二类金属连线之间呈插指状间隔交错；
3.根据权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述底层金属层的第一类金属连线与所述顶层金属层的第二类金属连线对应，所述底层金属层的第二类金属连线与所述顶层金属层的第一类金属连线对应。
4.根据权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的金属-氧化物-金属电容，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：奚鹏程，范春晖，李岩，张维，生驹贵英，张莉玮，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。