【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于覆铜板材料，具体涉及一种覆铜板及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着电子信息产业的迅速发展，电子产品的信号完整性的研究已经成为研发高频高速产品的关键性因素。电子产品线路板为了满足高频高速的信号传输需求，所使用的铜箔基板必须在高频下有良好的信号完整性表现，以避免严重的信号传输损耗。而根据趋肤效应，基板铜箔表面粗糙度会导致传输线的等效阻抗发生改变，从而影响信号传输。一般来说，铜箔的表面形貌越平坦，即铜箔的表面粗糙度越低，所形成的铜箔基板的信号完整性就越好。
2、目前，线路板往往选用传统单面处理铜箔，在制作流程中需进行棕化、粗化处理增大铜箔表面粗糙度，否则容易出现线路浮离、抗剥离强度差、粘结不牢固等缺陷，无法满足印制电路板的使用要求，但棕化处理工艺会影响板材电子信号传输。因此，如何在维持铜箔基板结合力的前提下，使铜箔基板具有良好的信号传输是目前亟待解决的一个问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种覆铜板及其制备方法和应用。本专利技术中，通过选用经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔制备覆铜板，去除了下游线路板加工流程的棕化、粗化处理，在保障铜箔与基材之间结合力的同时，能够提高基板的信号完整性以及减少信号的传输损耗。
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种覆铜板，所述覆铜板包括半固化片和设置于半固化片上、下表面的经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔。
4、本专利技
5、需要说明的是，超低轮廓hvlp铜箔具有毛面和光面，经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔是指对超低轮廓hvlp铜箔的毛面和光面均进行处理；而单面处理的超低轮廓hvlp铜箔是指只仅对超低轮廓hvlp铜箔的毛面进行处理。
6、本专利技术中，经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔的毛面与半固化片贴合。
7、以下作为本专利技术的优选技术方案，但不作为对本专利技术提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本专利技术的目的和有益效果。
8、作为本专利技术的优选技术方案，所述经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔包括铜质层和设置于铜质层表面的处理层；
9、所述处理层包括钝化处理层和偶联剂处理层；所述钝化处理层位于偶联剂处理层和铜质层之间。
10、作为本专利技术的优选技术方案，所述经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔采用如下方法制备得到，所述方法包括如下步骤：
11、对超低轮廓hvlp铜箔依次进行钝化处理和偶联剂处理，得到所述经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔。
12、需要说明的是，本专利技术对于钝化处理和偶联剂处理的工艺条件没有任何特殊的限制，本领域常用的钝化处理工艺条件和偶联剂处理工艺条件均适用。本专利技术中，通过对超低轮廓hvlp铜箔进行钝化处理后，得到钝化处理层，所述钝化处理层的材质示例性地包括但不限于：锌、钴、镍、锡中的任意一种或至少两种的组合。本专利技术中，通过对钝化处理后的超低轮廓hvlp铜箔进行偶联剂处理，得到偶联剂处理层，所述偶联剂处理过程中使用的偶联剂包括硅烷偶联剂，示例性地包括但不限于：烷氧基硅烷、乙烯基烷氧基硅烷。
13、作为本专利技术的优选技术方案，所述超低轮廓hvlp铜箔的厚度为12～35μm，例如可以是12μm、15μm、18μm、20μm、22μm、25μm、27μm、30μm、33μm或35μm等。
14、作为本专利技术的优选技术方案，所述超低轮廓hvlp铜箔包括光面和毛面；
15、作为本专利技术的优选技术方案，所述超低轮廓hvlp铜箔的光面的粗糙度rz≤1.0μm，例如可以是0.5μm、0.55μm、0.6μm、0.65μm、0.7μm、0.75μm、0.8μm、0.85μm、0.9μm、0.95μm或1.0μm等。
16、作为本专利技术的优选技术方案，所述超低轮廓hvlp铜箔的毛面的粗糙度rz≤0.5μm，例如可以是0.2μm、0.25μm、0.3μm、0.35μm、0.4μm、0.45μm或0.5μm等。
17、本专利技术中，通过选用光面粗糙度rz和毛面粗糙度rz在特定范围内的超低轮廓hvlp铜箔，对其进行钝化处理和偶联剂处理，得到的经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔可增强铜箔与基材之间结合力。若超低轮廓hvlp铜箔的光面粗糙度rz或毛面粗糙度rz过大，则会影响制备的线路板在高频下的信号完整性，造成严重的信号传输损耗。
18、需要说明的是，本专利技术中，使用非接触式激光共聚焦显微镜ols5000测量超低轮廓hvlp铜箔毛面和光面的粗糙度。
19、作为本专利技术的优选技术方案，所述经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔与所述半固化片的剥离强度≥0.53n/mm2，例如可以是0.53n/mm2、0.55n/mm2、0.60n/mm2、0.70n/mm2、0.80n/mm2、0.90n/mm2、0.95n/mm2、1.00n/mm2、1.10n/mm2、1.20n/mm2、1.30n/mm2、1.40n/mm2、1.50n/mm2或1.60n/mm2等。
20、作为本专利技术的优选技术方案，所述半固化片的介电损耗(df)≤0.0015，例如可以是0.0005、0.0006、0.0007、0.0008、0.0009、0.0010、0.0011、0.0012、0.0013、0.0014或0.0015等。
21、介电损耗(df)采用spdr(split post dielectric resonator)法进行测试，测试条件为a态，10ghz。本专利技术为了改善线路板在高频下的信号完整性及信号传输损耗选择使用双面处理的超低轮廓hvlp铜箔，对信号传输损耗追求极致严苛的应用需求是高端超低损耗(ultra low loss)的高频高速覆铜板，所以进一步优选覆铜板中的基材半固化片的介电损耗(df)≤0.0015，在这个高速等级，使用双面处理的超低轮廓hvlp铜箔改善信号传输损耗的效果更明显。
22、本专利技术中，对于半固化片的具体制备原料及制备方法没有任何特殊的限制，优选半固化片的介电损耗(df)≤0.0015即可(在超低损耗的覆铜板才对进一步改善信号传输损耗有更高需求)，因此，本领域满足介电损耗≤0.0015的半固化片均适用。所述半固化片的制备原料包括树脂和玻纤布，所述树脂示例性地包括但不限于：含氟树脂、碳氢树脂、聚苯醚树脂等。所述玻纤布示例性地包括但不限于：e玻纤、ne玻纤、石英玻纤以及上述几种的混纺玻纤。
23、第二方面，本专利技术提供一种如第一方面所述的覆铜板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种覆铜板，其特征在于，所述覆铜板包括半固化片和设置于半固化片上、下表面的经双面处理的超低轮廓HVLP铜箔。
2.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述经双面处理的超低轮廓HVLP铜箔包括铜质层和设置于铜质层表面的处理层；
3.根据权利要求1或2所述的覆铜板，其特征在于，所述经双面处理的超低轮廓HVLP铜箔采用如下方法制备得到，所述方法包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述超低轮廓HVLP铜箔的厚度为12～35μm。
5.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述超低轮廓HVLP铜箔包括光面和毛面；
6.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述经双面处理的超低轮廓HVLP铜箔与所述半固化片的剥离强度≥0.53N/mm2。
7.根据权利要求1-6任一项所述的覆铜板，其特征在于，所述半固化片的介电损耗≤0.0015。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的覆铜板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特
10.一种印制电路板，其特征在于，所述印制电路板包括如权利要求1-7任一项所述的覆铜板；
...【技术特征摘要】
1.一种覆铜板，其特征在于，所述覆铜板包括半固化片和设置于半固化片上、下表面的经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔。
2.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于，所述经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔包括铜质层和设置于铜质层表面的处理层；
3.根据权利要求1或2所述的覆铜板，其特征在于，所述经双面处理的超低轮廓hvlp铜箔采用如下方法制备得到，所述方法包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述超低轮廓hvlp铜箔的厚度为12～35μm。
5.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于，所述超低轮廓hvlp...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐国坊，曾一航，
申请(专利权)人：广东生益科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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