【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体金属互连结构的制备方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、在半导体芯片制备过程中，金属互连起着重要的作用，在这个过程中，由于金属铝al及金属钨w较低的电阻率，具体的，金属钨w的电阻率为8uω·cm（微欧姆·厘米），金属铝al的电阻率为 2.65uω·cm，故金属铝al及金属钨w常被应用于金属互连，因金属钨w优良的填充性能，其被广泛应用于半导体后段金属互连结构的填充工艺中，通常来说，金属铝al因其填充性能较差，通常被应用于半导体制备后段平面导线连接。
2、然而，对于较大的填孔宽度而言，例如cd>1.4um（微米），填孔深度depth>0.7um，孔洞侧壁角度angle≥80°（度）, 若完全填充的话，金属钨w 需求较厚，其应力会过大，会损坏半导体器件结构且给随后的制程带来难点，虽然金属铝al应力及电阻率较小，但其填充性能较差，因此单独使用金属钨w或单独使用金属铝al进行填充。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于至少提供一种半导体金属互连结构的制备方法、装置及电子设备，通过使用金属钨和金属铝联合对沟槽进行填充，提高填充性能的同时，防止对半导体器件造成损坏。
2、本申请主要包括以下几个方面：
3、第一方面，本申请实施例提供一种半导体金属互连结构的制备方法，方法包括：对预设半导体器件进行光刻处理后，形成金属互连基体，其中，金属互连基体的表面形成一沟槽；先后在金属互连基体的表面沉积金属钨和金属铝，
4、在一种可能的实施方式中，通过以下方式得到目标半导体金属互连结构：在金属互连基体的表面沉积金属钨，形成金属钨层；对金属钨层进行回刻工艺处理，得到由位于沟槽侧壁的目标金属钨结构层和金属互连基体形成的待处理结构层；在待处理结构层表面沉积金属铝，得到目标半导体金属互连结构。
5、在一种可能的实施方式中，在金属互连基体的表面沉积金属钨，形成金属钨层之前，方法还包括：在金属互连基体的表面进行粘附材料沉积，以在金属互连基体的表面形成一粘附隔离层。
6、在一种可能的实施方式中，通过以下方式得到目标半导体金属互连结构：在粘附隔离层的表面沉积金属钨，形成金属钨层；按照预设回刻工艺标准对粘附隔离层表面的金属钨层进行回刻，得到位于沟槽内侧壁处的粘附隔离层表面的目标金属钨结构层；由金属互连基体、粘附隔离层和目标金属钨结构层，形成目标待处理结构；在目标待处理结构的表面沉积金属铝，得到目标半导体金属互连结构。
7、在一种可能的实施方式中，金属互连基体对应材料为氧化硅，粘附隔离层对应材料为金属钛和氮化钛。
8、第二方面，本申请实施例还提供一种半导体金属互连结构的制备装置，装置包括：光刻模块，用于对预设半导体器件进行光刻处理后，形成金属互连基体，其中，金属互连基体的表面形成一沟槽；沉积模块，用于先后在金属互连基体的表面沉积金属钨和金属铝，得到目标半导体金属互连结构。
9、在一种可能的实施方式中，沉积模块还包括：第一沉积单元，用于在金属互连基体的表面沉积金属钨，形成金属钨层；回刻处理单元，用于对金属钨层进行回刻工艺处理，得到由位于沟槽侧壁的目标金属钨结构层和金属互连基体形成的待处理结构层；第二沉积单元，用于在待处理结构层表面沉积金属铝，得到目标半导体金属互连结构。
10、在一种可能的实施方式中，沉积模块还包括：第三沉积单元，用于在金属互连基体的表面沉积金属钨，形成金属钨层之前，在金属互连基体的表面进行粘附材料沉积，以在金属互连基体的表面形成一粘附隔离层。
11、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，存储器存储有处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，处理器与存储器之间通过总线进行通信，机器可读指令被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的半导体金属互连结构的制备方法的步骤。
12、第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的半导体金属互连结构的制备的步骤。
13、本申请实施例提供的半导体金属互连结构的制备方法、装置及电子设备，包括：对预设半导体器件进行光刻处理后，形成金属互连基体，其中，金属互连基体的表面形成一沟槽；先后在金属互连基体的表面沉积金属钨和金属铝，得到目标半导体金属互连结构。通过使用金属钨和金属铝联合对沟槽进行填充，提高填充性能的同时，防止对半导体器件造成损坏。
14、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种半导体金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下方式得到目标半导体金属互连结构：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述金属互连基体的表面沉积金属钨，形成金属钨层之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过以下方式得到目标半导体金属互连结构：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属互连基体对应材料为氧化硅，所述粘附隔离层对应材料为金属钛和氮化钛。
6.一种半导体金属互连结构的制备装置，其特征在于，所述装置包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述沉积模块还包括：
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述沉积模块还包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至5任一所述的半
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至5任一所述的半导体金属互连结构的制备方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体金属互连结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过以下方式得到目标半导体金属互连结构：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述金属互连基体的表面沉积金属钨，形成金属钨层之前，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过以下方式得到目标半导体金属互连结构：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属互连基体对应材料为氧化硅，所述粘附隔离层对应材料为金属钛和氮化钛。
6.一种半导体金属互连结构的制备装置，其特征在于，所述装置包括：
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：鄢江兵，卢金德，陈献龙，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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