【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种封装方法和封装结构。
技术介绍
1、无线通信设备的射频(radio frequency，简称rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surface acoustic wave，简称saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，简称baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，简称mems)滤波器、集成无源装置(integrated passive devices，简称ipd)滤波器等。
2、当无线通信技术逐步演进，无线通信设备的使用范围越来越广，对滤波器的尺寸、可靠性要求也越来越高。压电声表面波滤波器作为目前无线通信设备中使用较为广泛的滤波器，小尺寸、高可靠性的封装形式使用越来越广泛。
3、因此，需要持续对滤波器进行更小尺寸的改进。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种封装方法和封装结构，以对滤波器的尺寸进行改进。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种封装方法，包括：提供基板，所述基板包括相对的第一侧和第二侧；提供芯片，将所述芯片设置于所述基板第一侧；在所述基板第一侧形成第一隔离膜，所述第一隔离膜覆盖所述基板第一侧表面、所述芯片的侧壁表面和顶部表面，所述第一隔离膜自所述芯片的侧壁表面延伸至所述基板第一侧表面；在所述第一隔离膜表面形成第二隔离膜，所述第
3、可选的，所述第二隔离膜的形成方法包括：采用喷涂工艺在所述第一隔离膜表面喷涂形成初始第二隔离膜；对所述初始第二隔离膜进行固化，在所述第一隔离膜表面形成第二隔离膜。
4、可选的，对所述初始第二隔离膜进行固化的方法包括：对所述初始第二隔离膜进行热处理，所述热处理的工艺参数包括：温度范围为70摄氏度～200摄氏度，加热时间范围为5分钟～210分钟。
5、可选的，所述第二隔离膜的材料包括包含有纳米颗粒的有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
6、可选的，所述纳米颗粒包括金属颗粒，所述金属颗粒的材料包括铜或铜合金。
7、可选的，在所述基板第一侧表面形成第一隔离膜，包括：在所述基板第一侧表面贴覆初始第一隔离膜；对所述初始第一隔离膜进行固化，形成所述第一隔离膜。
8、可选的，所述第一隔离膜的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
9、可选的，所述第二隔离膜的厚度范围为10微米至20微米。
10、可选的，所述第一隔离膜的厚度范围为小于或等于20微米至100微米。
11、可选的，所述基板包括芯片区和非芯片区，所述芯片设置于所述芯片区的第一侧；还包括：沿所述非芯片区对所述基板进行切割。
12、相应地，本专利技术技术方案还提供一种封装结构，包括：基板，基板包括相对的第一侧和第二侧；设置于所述基板第一侧的芯片；位于所述基板第一侧的第一隔离膜，所述第一隔离膜覆盖所述基板第一侧表面、所述芯片的侧壁表面和顶部表面，所述第一隔离膜自所述芯片的侧壁表面延伸至所述基板第一侧表面；位于所述第一隔离膜表面的第二隔离膜，所述第二隔离膜的硬度大于所述第一隔离膜的硬度。
13、可选的，所述第二隔离膜的材料包括包含有纳米颗粒的有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
14、可选的，所述纳米颗粒包括金属颗粒，所述金属颗粒的材料包括铜或铜合金。
15、可选的，所述第一隔离膜的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
16、可选的，所述第二隔离膜的厚度范围为10微米至20微米。
17、可选的，所述第一隔离膜的厚度范围为20微米至100微米。
18、可选的，所述芯片包括功率放大器芯片、天线开关芯片、射频滤波器芯片、多工器芯片或低噪声放大器芯片；所述射频滤波器芯片包括压电声表面波滤波器芯片、压电体声波滤波器芯片、微机电系统滤波器芯片或集成无源装置滤波器芯片。
19、与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
20、本专利技术的封装方法，在基板第一侧表面形成第一隔离膜，在第一隔离膜表面形成第二隔离膜，所述第二隔离膜的硬度大于所述第一隔离膜的硬度，可以提高封装结构的抗压力、抗湿度、隔离、耐高温、抗干扰以及导热性能，且适用于薄型封装，实现器件小型化。
21、进一步，采用喷涂工艺在所述第一隔离膜表面喷涂形成初始第二隔离膜，喷涂工艺方便可控；所述第二隔离膜的材料包括含有金属纳米颗粒的有机材料，使得所述第二隔离膜具有较高的强度，进而提高封装结构的强度；所述第一隔离膜能够在喷涂形成初始第二隔离膜时阻挡所述初始第二隔离膜的材料进入到芯片功能面表面，避免出现金属纳米颗粒影响芯片性能的情况。
22、本专利技术的封装结构，基板第一侧表面具有第一隔离膜，第一隔离膜表面具有第二隔离膜，所述第二隔离膜的硬度大于所述第一隔离膜的硬度，可以提高封装结构的抗压力、抗湿度、隔离、耐高温、抗干扰以及导热性能，且适用于薄型封装，实现器件小型化。
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1.一种封装方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离膜的形成方法包括：采用喷涂工艺在所述第一隔离膜表面喷涂形成初始第二隔离膜；对所述初始第二隔离膜进行固化，在所述第一隔离膜表面形成第二隔离膜。
3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，对所述初始第二隔离膜进行固化的方法包括：对所述初始第二隔离膜进行热处理，所述热处理的工艺参数包括：温度范围为70摄氏度～200摄氏度，加热时间范围为5分钟～210分钟。
4.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离膜的材料包括包含有纳米颗粒的有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述纳米颗粒包括金属颗粒，所述金属颗粒的材料包括铜或铜合金。
6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述基板第一侧表面形成第一隔离膜，包括：在所述基板第一侧表面贴覆初始第一隔离膜；对所述初始第一隔离膜进行固化，形成所述第一隔离膜。
7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离膜的材料包
8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离膜的厚度范围为10微米至20微米。
9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离膜的厚度范围为20微米至100微米。
10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述基板包括芯片区和非芯片区，所述芯片设置于所述芯片区的第一侧；还包括：沿所述非芯片区对所述基板进行切割。
11.一种封装结构，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第二隔离膜的材料包括包含有纳米颗粒的有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
13.如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述纳米颗粒包括金属颗粒，所述金属颗粒的材料包括铜或铜合金。
14.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第一隔离膜的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
15.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第二隔离膜的厚度范围为10微米至20微米。
16.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第一隔离膜的厚度范围为20微米至100微米。
17.如权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述芯片包括功率放大器芯片、天线开关芯片、射频滤波器芯片、多工器芯片或低噪声放大器芯片；所述射频滤波器芯片包括压电声表面波滤波器芯片、压电体声波滤波器芯片、微机电系统滤波器芯片或集成无源装置滤波器芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离膜的形成方法包括：采用喷涂工艺在所述第一隔离膜表面喷涂形成初始第二隔离膜；对所述初始第二隔离膜进行固化，在所述第一隔离膜表面形成第二隔离膜。
3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，对所述初始第二隔离膜进行固化的方法包括：对所述初始第二隔离膜进行热处理，所述热处理的工艺参数包括：温度范围为70摄氏度～200摄氏度，加热时间范围为5分钟～210分钟。
4.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离膜的材料包括包含有纳米颗粒的有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述纳米颗粒包括金属颗粒，所述金属颗粒的材料包括铜或铜合金。
6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述基板第一侧表面形成第一隔离膜，包括：在所述基板第一侧表面贴覆初始第一隔离膜；对所述初始第一隔离膜进行固化，形成所述第一隔离膜。
7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述第一隔离膜的材料包括有机材料，所述有机材料包括环氧树脂。
8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述第二隔离膜的厚度范围为10微米至20微米。
9.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：缪东华，张斌，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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