【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电容保护领域，特别涉及一种低电容浪涌保护器。
技术介绍
1、低电容浪涌保护器是一种进行电子电路保护的结构，用于保护使用便携式设备的高频的内部电子电路，在外部突然性施加到便携式设备的过电压电击的产品，随着科技的不断发展，人们对于低电容浪涌保护器的制造工艺要求也越来越高。
2、现有的低电容浪涌保护器在使用时存在一定的弊端，一般相同用途的部件包括有诸如varistor和zener diode之类的部件。 varistor由于高静电容量，当应用于使用高频的电子电路时,会发生电子信号的失真，因此不合适，并且存在对通过gnd端子流入的surge型高电压反应速度较慢的缺点，在zener diode形态的情况下，由于耐电压特性低，当施加高电压时，形成破坏，导致电子电路中断的问题，为此，我们提出一种低电容浪涌保护器。
技术实现思路
1、解决的技术问题：针对现有技术的不足，本技术提供了一种低电容浪涌保护器，利用ltcc材料，在产品内部形成相互对应的电极，并在电极之间形成空隙，利用从外部施加高压时，对应的电极之间的放电特性，使施加的高电压无法向电子电路方向发展，使用低介电常数ltcc材料实现低静电容量，从而防止电子电路信号失真，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
2、技术方案：为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种低电容浪涌保护器，包括ltcc陶瓷结构，所述ltcc陶瓷结构的底部定位有外部电极，所述ltcc陶瓷结构的内部定位有内部电极，所述内部电极的中部开设有谐振腔体
3、优选的，所述内部电极形成在多个ltcc陶瓷结构之间，并与多个ltcc陶瓷结构同时烧结成型。
4、优选的，所述内部电极通过ltcc陶瓷结构基板中的一个或多个通孔连接到外部形成的端子上。
5、优选的，所述ltcc陶瓷结构内部形成的谐振腔体在彼此相对应的内部电极之间形成。
6、有益效果：与现有技术相比，本技术提供了一种低电容浪涌保护器，具备以下有益效果：该一种低电容浪涌保护器，利用ltcc材料，在产品内部形成相互对应的电极，并在电极之间形成空隙，利用从外部施加高压时，对应的电极之间的放电特性，使施加的高电压无法向电子电路方向发展，使用低介电常数ltcc材料实现低静电容量，从而防止电子电路信号失真；
7、低电容电源用于保护电子电路被外部施加的过电压破坏,目前随着电子电路使用频率的增加,需要低电容的产品。 因此,本专利技术的目的是通过使用低介电常数ltcc材料代替现有的高介电常数材料来实现低电容,以防止在高频带中的信号失真,并且通过使用在产品内部形成的对应电极之间的空隙，利用外部施加的高电压放点效果，防止流入内部电子电路，从而保护电子电路，整个低电容浪涌保护器结构简单，操作方便，使用的效果相对于传统方式更好。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低电容浪涌保护器，包括LTCC陶瓷结构（1），其特征在于：所述LTCC陶瓷结构（1）的底部定位有外部电极（5），所述LTCC陶瓷结构（1）的内部定位有内部电极（2），所述内部电极（2）的中部开设有谐振腔体（4），所述内部电极（2）与外部电极（5）之间定位有通孔（3），所述LTCC陶瓷结构（1）设置有若干组，所述LTCC陶瓷结构（1）为介电常数小于10的低介电常数结构。
2.根据权利要求1所述的一种低电容浪涌保护器，其特征在于：所述内部电极（2）形成在多个LTCC陶瓷结构（1）之间，并与多个LTCC陶瓷结构（1）同时烧结成型。
3.根据权利要求1所述的一种低电容浪涌保护器，其特征在于：所述内部电极（2）通过LTCC陶瓷结构（1）基板中的一个或多个通孔（3）连接到外部形成的端子上。
4.根据权利要求1所述的一种低电容浪涌保护器，其特征在于：所述LTCC陶瓷结构（1）内部形成的谐振腔体（4）在彼此相对应的内部电极（2）之间形成。
【技术特征摘要】
1.一种低电容浪涌保护器，包括ltcc陶瓷结构（1），其特征在于：所述ltcc陶瓷结构（1）的底部定位有外部电极（5），所述ltcc陶瓷结构（1）的内部定位有内部电极（2），所述内部电极（2）的中部开设有谐振腔体（4），所述内部电极（2）与外部电极（5）之间定位有通孔（3），所述ltcc陶瓷结构（1）设置有若干组，所述ltcc陶瓷结构（1）为介电常数小于10的低介电常数结构。
2.根据权利要求1所述的一种低电容浪涌保护器，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑海暎，
申请(专利权)人：苏州艾成科技技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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