【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构具有两种不同折射率的封装层，以让发光二极管封装结构的光形更集中。
技术介绍
1、一般光源，例如发光二极管(led)，其发光强度在空间分布为朗伯(lambertian)辐射模式，其光束角约120度，由于光束角度和光能量不够集中，无法满足需求。为了提升光汇聚效果及配合实际光学应用产品(例如照明装置)，需要对发光二极管的光源进行配光。现有技术一般是在光学应用产品内，额外增设多个二次光学透镜，以实现小角度光分布。然而，此类的产品结构复杂且体积大，不利于产品尺寸的精简化。
2、因此，如何通过结构设计的改良，使光学应用产品达到小角度出光，且精简其结构，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的一项重要课题。
技术实现思路
1、本技术实施例的目的在于提供一种发光二极管封装结构，通过封装层的结构的改良，以减少侧面的杂散光线，使发光角度集中，中心的光强度提高，从而提升光汇聚效果。
2、为达上面所描述的目的，本技术其中一实施例所提供的一种发光二极管封装结构，其包括一光发射元件、一第一封装层及一第二封装层。所述第一封装层包覆所述光发射元件，所述第一封装层具有第一折射率且形成有一第一出光面。所述第二封装层覆盖所述第一封装层的所述第一出光面，且界定出一交界处，所述第二封装层具有第二折射率且形成有一第二出光面。其中所述第二折射率大于所述第一折射率；其中所述第一封装层及所述第二封装层的其中至少一个形成有一曲面。
4、根据本技术其中的一个实施方式，所述发光二极管封装结构含包括一承载件，所述承载件具有相对的第一表面及第二表面，所述光发射元件设置于所述承载件的所述第一表面，所述第一封装层设置于所述第一表面且完全包覆所述光发射元件的发光面和侧面。
5、根据本技术其中的一个实施方式，所述第二封装层完全且直接覆盖所述第一封装层的所述第一出光面，所述第二封装层与所述第一封装层之间界定出所述交界处。
6、根据本技术其中的一个实施方式，所述第二折射率大于所述第一折射率至少0.1。
7、根据本技术其中的一个实施方式，所述第一封装层的所述第一出光面是平面状，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状。
8、根据本技术其中的一个实施方式，所述第一封装层的所述第一出光面形成凹凸微结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状。
9、根据本技术其中的一个实施方式，所述第一封装层的所述第一出光面呈突出的曲面结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈内凹的弧面状的曲面结构。
10、根据本技术其中的一个实施方式，所述第一封装层的所述第一出光面呈凹陷状的曲面结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状的曲面结构。
11、根据本技术其中的一个实施方式，所述发光二极管封装结构还包括一壳体，所述壳体围绕所述光发射元件配置且具有一空腔，所述第一封装层填充于所述空腔，所述第二封装层配置并覆盖于所述第一封装层的所述第一出光面上。
12、根据本技术其中的一个实施方式，所述第一封装层与所述第二封装层的材料是硅胶、环氧树脂、或硅胶与环氧树脂的混合物。
13、为达上面所描述的目的，本技术另一实施例所提供的一种发光二极管封装结构，其包括一光发射元件、一第一封装层以及一第二封装层，所述第一封装层具有第一折射率且包覆所述光发射元件；所述第二封装层直接与所述第一封装层连接，所述第二封装层具有第二折射率且形成有一出光面；其中所述第二折射率大于所述第一折射率；其中所述第一封装层及所述第二封装层的其中至少一个形成有一曲面。
14、本技术的有益效果可以在于，依本技术的实施例所提供的发光二极管封装结构的封装材料具有低折射率(第一折射率)与高折射率(第二折射率)的双折射封装架构，可以提供较集中的光形。利用封装层折射率的转变，光发射元件所发出大角度的光从具低折射率的第一封装层至具高折射率的第二封装层时，光线将偏向法线，让较侧边的光线不会直接向外侧散射出去，所以除了可以减少杂散光之外，还可将该杂散光回收，使得光强度可以提升。简言之，本实施例的发光二极管封装结构的光线可以朝中心偏折而较为汇聚。
15、为使能更进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本技术加以限制。
【技术保护点】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的最大厚度大于或等于所述光发射元件的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括一承载件，所述承载件具有相对的第一表面及第二表面，所述光发射元件设置于所述承载件的所述第一表面，所述第一封装层设置于所述第一表面且完全包覆所述光发射元件的发光面和侧面。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第二封装层完全且直接覆盖所述第一封装层的所述第一出光面，所述第二封装层与所述第一封装层之间界定出所述交界处。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第二折射率大于所述第一折射率至少0.1。
6.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的所述第一出光面是平面状，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状。
7.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中
8.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的所述第一出光面呈突出的曲面结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈内凹的弧面状的曲面结构。
9.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的所述第一出光面呈凹陷状的曲面结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状的曲面结构。
10.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括一壳体，所述壳体围绕所述光发射元件配置且具有一空腔，所述第一封装层填充于所述空腔，所述第二封装层配置并覆盖于所述第一封装层的所述第一出光面上。
11.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层与所述第二封装层的材料是硅胶、环氧树脂、或硅胶与环氧树脂的混合物。
12.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一封装层的最大厚度大于或等于所述光发射元件的厚度。
14.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一封装层与所述第二封装层的材料是硅胶、环氧树脂、或硅胶与环氧树脂的混合物，其中所述第二折射率大于所述第一折射率至少0.1。
15.根据权利要求12至14任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二封装层与所述第一封装层之间界定出一交界处，所述交界处形成平面状。
16.根据权利要求12至14任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二封装层与所述第一封装层之间界定出一交界处，所述交界处形成凹凸微结构。
17.根据权利要求12至14任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二封装层与所述第一封装层之间界定出一交界处，所述交界处呈曲面结构。
18.根据权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括一承载件，所述承载件具有相对的第一表面及第二表面，所述光发射元件设置于所述承载件的所述第一表面，所述第一封装层设置于所述第一表面且完全包覆所述光发射元件的发光面和侧面。
19.根据权利要求18所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括一壳体，所述壳体围绕所述光发射元件配置且具有一空腔，所述第一封装层填充于所述空腔，所述第二封装层配置并覆盖于所述第一封装层的第一出光面上。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的最大厚度大于或等于所述光发射元件的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括一承载件，所述承载件具有相对的第一表面及第二表面，所述光发射元件设置于所述承载件的所述第一表面，所述第一封装层设置于所述第一表面且完全包覆所述光发射元件的发光面和侧面。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第二封装层完全且直接覆盖所述第一封装层的所述第一出光面，所述第二封装层与所述第一封装层之间界定出所述交界处。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第二折射率大于所述第一折射率至少0.1。
6.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的所述第一出光面是平面状，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状。
7.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的所述第一出光面形成凹凸微结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状。
8.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的所述第一出光面呈突出的曲面结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈内凹的弧面状的曲面结构。
9.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一封装层的所述第一出光面呈凹陷状的曲面结构，所述第二封装层的所述第二出光面呈突出的弧面状的曲面结构。
10.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括一壳体，所述壳体围绕所述光发射元件配置且具有一空腔，所述第一封装层填充...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明修，林昱良，李训瑜，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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