背接触电池及光伏组件制造技术

本技术公开了一种背接触电池及光伏组件，所述背接触电池包括：硅片；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层设于所述硅片的厚度方向的一侧表面的一部分；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层设于所述隧穿氧化层的厚度方向上的远离所述硅片的一侧，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为d<subgt;1</subgt;，其中，所述d<subgt;1</subgt;满足：60nm≤d<subgt;1</subgt;≤80nm。根据本技术的背接触电池，通过在硅片一侧表面的部分设置特定厚度和特定有效掺杂浓度的第一掺杂多晶硅层，同时保证了第一掺杂多晶硅层的接触性能和优异钝化效果。这样，可以降低第一掺杂多晶硅层的吸光效应，从而大大提升了背接触电池的短路电流，进而提升了背接触电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏背接触电池，尤其是涉及一种背接触电池及光伏组件。

技术介绍

1、现有技术中，背接触异质结高效太阳能背接触电池正面一般会用非晶硅钝化和氮化硅减反射层。背面采用隧穿氧化硅和多晶硅实现钝化和接触。然而多晶硅和非晶硅一样都存在一定的吸光效应，限制了短路电流的提升，从而影响背接触电池转化效率。

技术实现思路

1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种背接触电池，背接触电池转化效率高。

2、本技术的另一个目的在于提出一种光伏组件。

3、根据本技术第一方面的实施例，本技术提供了一种背接触电池，包括：硅片；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层设于所述硅片的厚度方向的一侧表面的一部分；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层设于所述隧穿氧化层的厚度方向上的远离所述硅片的一侧，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为d1，其中，所述d1满足：60nm≤d1≤80nm。

4、根据本技术具体实施例的背接触电池，通过在硅片一侧表面的部分设置特定厚度（60nm～80nm）和特定有效掺杂浓度（1e20cm-3～1.5e21cm-3）的第一掺杂多晶硅层，使得第一掺杂多晶硅层的有效掺杂浓度与第一掺杂多晶硅层的厚度相匹配，同时保证了第一掺杂多晶硅层的接触性能具有优异钝化效果。这样，可以降低第一掺杂多晶硅层的吸光效应，从而大大提升了背接触电池的短路电流，进而提升了背接触电池的转化效率。

5、根据本技术的一些实施例，还包括：第一本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅层至少设于所述第一掺杂多晶硅层的厚度方向的一侧；第二掺杂微晶硅层，所述第二掺杂微晶硅层设于所述第一本征非晶硅层的厚度方向上远离所述硅片的一侧；优选地，所述第二掺杂微晶硅层为硼掺杂微晶硅层。

6、根据本技术的一些实施例，所述第二掺杂微晶硅层的厚度为d2，其中，所述d2满足：35nm≤d2≤45nm；和/或所述第一本征非晶硅层的厚度为d3，其中，所述d3满足：4nm≤d3≤6nm。

7、根据本技术的一些实施例，还包括：第二本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层设于所述硅片的厚度方向的另一侧；第三掺杂微晶硅层，所述第三掺杂微晶硅层设于所述第二本征非晶硅层的厚度方向上远离所述硅片的一侧；优选地，所述第三掺杂微晶硅层为磷掺杂微晶硅层。

8、根据本技术的一些实施例，所述第三掺杂微晶硅层的厚度为d4，其中，所述d4满足：35nm≤d4≤45nm；和/或所述第二本征非晶硅层的厚度为d5，其中，所述d5满足：4nm≤d5≤6nm。

9、根据本技术的一些实施例，隧穿氧化层的厚度为d6，其中，所述d6满足：1nm≤d6≤2nm；优选地，1.3nm≤d6≤1.8nm。

10、根据本技术的一些实施例，所述硅片为n型182半片硅片；和/或所述硅片的电阻率为0.9ω/cm2～4ω/cm2。

11、根据本技术的一些实施例，还包括：透明导电氧化层，所述透明导电氧化层设于所述第二掺杂微晶硅层的厚度方向上远离所述硅片的一侧。

12、根据本技术的一些实施例，所述透明导电氧化层为ito层和/或vtto层；优选地，所述透明导电氧化层为掺杂氢气的ito层和/或掺杂氢气的vtto层。

13、根据本技术第二方面的实施例，本技术提供一种光伏组件，包括：根据本技术第一方面实施例所述的背接触电池。

14、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。

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【技术保护点】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述第二掺杂微晶硅层为硼掺杂微晶硅层。

4.根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述第二掺杂微晶硅层的厚度为d2，其中，所述d2满足：35nm≤d2≤45nm；和/或

5.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的背接触电池，其特征在于，所述第三掺杂微晶硅层为磷掺杂微晶硅层。

7.根据权利要求5所述的背接触电池，其特征在于，所述第三掺杂微晶硅层的厚度为d4，其中，所述d4满足：35nm≤d4≤45nm；和/或

8.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，隧穿氧化层的厚度为d6，其中，所述d6满足：1nm≤d6≤2nm。

9.根据权利要求8所述的背接触电池，其特征在于，所述d6进一步满足：1.3nm≤d6≤1.8nm。

10.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述硅片为n型182半片硅片；和/或

11.根据权利要求2-4中任一项所述的背接触电池，其特征在于，还包括：

12.根据权利要求11所述的背接触电池，其特征在于，所述透明导电氧化层为ITO层和/或VTTO层。

13.根据权利要求12所述的背接触电池，其特征在于，所述透明导电氧化层为掺杂氢气的ITO层和/或掺杂氢气的VTTO层。

14.一种光伏组件，其特征在于，包括根据权利要求1-13中任一项所述的背接触电池。

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【技术特征摘要】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述第二掺杂微晶硅层为硼掺杂微晶硅层。

4.根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述第二掺杂微晶硅层的厚度为d2，其中，所述d2满足：35nm≤d2≤45nm；和/或

5.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5所述的背接触电池，其特征在于，所述第三掺杂微晶硅层为磷掺杂微晶硅层。

7.根据权利要求5所述的背接触电池，其特征在于，所述第三掺杂微晶硅层的厚度为d4，其中，所述d4满足：35nm≤d4≤45nm；和/或

8.根据权利要求1所述的背接触电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张强，李硕，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：