【技术实现步骤摘要】
本技术属于图像获取，特别是涉及一种图像传感器、电子设备。
技术介绍
1、图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可以分为ccd(charge coupled device，电荷耦合元件)和cmos(complementary metal-oxidesemiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。随着cmos集成电路制造工艺特别是cmos图像传感器设计及制造工艺的不断发展，cmos图像传感器已经逐渐取代ccd图像传感器成为主流。cmos图像传感器相比较具有低电压、低功耗、低成本以及高集成度等优势，在机器视觉、消费电子、高清监控和医学成像等领域具有重要应用价值。
2、另外，近红外(nir)成像是一种非常有价值的技术，它可以用于多种应用，包括农业、食品检测、医学诊断和环境监测。近红外相机采用cmos技术，可以捕捉可见光之下的红外波长范围内的图像，为我们揭示了隐匿在普通光谱之下的信息。近红外成像是在可见光和热红外成像之间的红外波段，这个波段包括了人眼无法感知的光，可以用于测量物体的化学成分、水分含量和温度，因此在农业、医学和食品工业中有着广泛的应用。然而，近红外波段响应面临的主要问题是qe(quantum efficiency，量子效率)值小，例如，在一些cmos图像传感器中，在550nm处的qe有近70％，而在900nm处的qe只有约10％。此外，由于qe值很低，为了在近红外波段能成像，需要增加补光光源功率，这会导致系统热损失急剧上升，既增加了能源开销，又降低了系统的可靠性。
3、因
4、应该注意，上述对技术背景的介绍只是为了方便对本申请技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种图像传感器、电子设备，用于解决现有技术中图像传感器的量子效率低以及系统热损和功耗大等问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种图像传感器的制备方法，所述制备方法包括：
3、提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂类型的离子掺杂区；
4、在所述半导体衬底上形成器件功能层；
5、对所述半导体衬底进行热处理，使所述离子掺杂区的掺杂离子扩散至位于所述半导体衬底上方的材料层中，以形成光吸收驱动层；以及
6、在所述器件功能层中制备半导体器件，所述半导体器件包括与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的光电转换元件，以得到所述图像传感器。
7、可选地，所述光电转换元件具有延伸至所述光吸收驱动层中的延伸部，其中，所述延伸部的深度不超过所述光电转换元件的深度的20％。
8、可选地，形成所述器件功能层之前，所述制备方法还包括：
9、在所述半导体衬底上形成吸收辅助层，其中，进行所述热处理的过程中，所述离子掺杂区的掺杂离子至少扩散至所述吸收辅助层中。
10、可选地，所述吸收辅助层中形成有所述第一掺杂类型的预制离子掺杂层。
11、可选地，所述预制离子掺杂层包括n个子离子掺杂层，所述n个子离子掺杂层的浓度自所述半导体衬底朝向所述器件功能层的方向呈递减趋势。
12、可选地，所述预制离子掺杂层为浓度自所述半导体衬底朝向所述器件功能层的方向呈递减趋势的单层材料层。
13、可选地，进行所述热处理的过程中，所述预制离子掺杂层的掺杂离子扩散至位于所述半导体衬底上方的材料层中，以形成光吸收驱动辅助层。
14、可选地，当所述预制离子掺杂层包括n个子离子掺杂层时，顶层子离子掺杂层的厚度大于等于3μm。
15、可选地，所述热处理工艺的处理温度大于或等于950℃且小于或等于1150℃。
16、可选地，当所述半导体衬底上形成有吸收辅助层时，所述吸收辅助层的厚度介于1-6μm之间。
17、可选地，所述半导体衬底的所述第一掺杂类型的离子掺杂层的掺杂浓度大于预制离子掺杂层中的掺杂浓度大于所述器件功能层中的所述第一掺杂类型的离子掺杂的掺杂浓度。
18、可选地，所述半导体衬底中的离子掺杂区的掺杂浓度大于2e18 atom/cm3，所述器件功能层具有第一掺杂类型的掺杂，浓度小于2e15 atom/cm3，当所述图像传感器包括具有第一掺杂类型的预制离子掺杂层时，掺杂浓度介于5e15-1e17atom/cm3之间。
19、可选地，所述第一掺杂类型为p型，所述第二掺杂类型为n型。
20、本技术还提供一种图像传感器，所述图像传感器可以采用上述描述的制备方法制备得到，当然，也可以采用其他方法制备得到，所述图像传感器包括：
21、半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂类型的离子掺杂层；
22、器件功能层，位于所述半导体衬底上；
23、半导体器件，位于所述器件功能层中，所述半导体器件包括具有与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的光电转换元件；
24、其中，所述半导体衬底与所述器件功能层的界面区间形成有光吸收驱动层。
25、可选地，所述光吸收驱动层自所述器件功能层的底部向内部延伸设置并具有所述第一掺杂类型的离子掺杂。
26、可选地，所述图像传感器还包括吸收辅助层，所述吸收辅助层位于所述半导体衬底和所述器件功能层之间，所述光吸收驱动层自所述吸收辅助层的底部向内部延伸设置。
27、可选地，所述吸收辅助层包括预制离子掺杂层，所述预制离子掺杂层具有所述第一掺杂类型的离子掺杂，所述光吸收驱动层至少形成于所述预制离子掺杂层中。
28、可选地，所述预制离子掺杂层包括n个子离子掺杂层，所述n个子离子掺杂层的浓度自所述半导体衬底朝向所述器件功能层的方向呈递减趋势；或者，所述预制离子掺杂层为浓度自所述半导体衬底朝向所述器件功能层的方向呈递减趋势的单层材料层。
29、可选地，所述图像传感器还包括光吸收驱动辅助层，所述光吸收驱动辅助层自所述器件功能层底部向内部延伸并具有所述第一掺杂类型的离子掺杂。
30、可选地，所述图像传感器还包括若干个呈阵列排布的像素单元，相邻所述像素单元之间具有隔离结构，各所述像素单元共享所述光吸收驱动层，且当存在吸收辅助层时，各所述像素单元共享所述光吸收驱动层。
31、可选地，所述图像传感器为前照式图像传感器。
32、本技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括如上述方案中任意一项所述的图像传感器。
33、如上所述，本技术的图像传感器、电子设备具有如下有益效果：本技术的图像传感器结构中包括光吸收驱动层，此外，本技术的图像传感器的制备中，基于对半导体衬底进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括吸收辅助层，位于所述半导体衬底和所述器件功能层之间，所述光吸收驱动层自所述吸收辅助层的底部向内部延伸设置。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述吸收辅助层包括预制离子掺杂层，所述预制离子掺杂层具有所述第一掺杂类型的离子掺杂，所述光吸收驱动层至少形成于所述预制离子掺杂层中。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，当所述预制离子掺杂层包括N个子离子掺杂层时，顶层子离子掺杂层的厚度大于等于3μm。
5.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述吸收辅助层的厚度介于1-6μm之间。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括若干个呈阵列排布的像素单元，相邻所述像素单元之间具有隔离结构，各所述像素单元共享所述光吸收驱动层，且当存在吸收辅助层时，各所述像素单元共享所述吸收辅助层。
7.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换元件具有延伸至所
8.如权利要求1-7中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括光吸收驱动辅助层，所述光吸收驱动辅助层自所述器件功能层的底部向内部延伸设置并具有所述第一掺杂类型的离子掺杂。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-8中任意一项所述的图像传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括吸收辅助层，位于所述半导体衬底和所述器件功能层之间，所述光吸收驱动层自所述吸收辅助层的底部向内部延伸设置。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述吸收辅助层包括预制离子掺杂层，所述预制离子掺杂层具有所述第一掺杂类型的离子掺杂，所述光吸收驱动层至少形成于所述预制离子掺杂层中。
4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，当所述预制离子掺杂层包括n个子离子掺杂层时，顶层子离子掺杂层的厚度大于等于3μm。
5.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述吸收辅助层的厚度介于1-6μm之间。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括若干个呈阵列排布的像素单元，相邻所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李壮，万皓，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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