【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种半导体封装件及其制法，特别是关于一种包含有重布线层的半导体封装件及其制法。
技术介绍
1、现有以覆晶(flip chip)技术制成的半导体封装结构，其厚度通常无法满足薄型化要求，而且对于接点数较少的功率组件，其制造成本较高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装件及其制法，使用打线制程取代植球制程以降低成本，并且利用重布线制程来降低整体封装件厚度。
2、为达上述目的，本专利技术之半导体封装件包含：第一芯片，具有相对的顶面与底面；复数第一焊垫，设置在所述第一芯片的所述顶面上；复数第一导电块，分别设置在所述复数第一焊垫上，所述复数第一导电块与所述第一芯片电性连接；成型层，覆盖所述第一芯片的所述顶面，并裸露出所述复数第一导电块；以及重布线层，设置在所述成型层上，并与所述复数第一导电块电性连接。
3、本专利技术之半导体封装件的制法包含：设置第一芯片于载板上，其中所述第一芯片具有相对的顶面与底面；以打线制程于所述第一芯片的所述顶面上形成复数第一导电块，其中所述复数第一导电块与所述第一芯片电性连接；形成成型层以覆盖所述复数第一导电块与所述第一芯片；对所述成型层研磨以裸露出所述复数第一导电块；在所述成型层上形成重布线层以与所述复数第一导电块电性连接；以及移除所述载板。
4、根据本专利技术之半导体封装件，使用打线制程取代植球制程以降低成本，并且利用重布线制程来降低整体封装件的厚度至0.15mm以下。
5、为了让本
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1.一种半导体封装件的制法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1之半导体封装件的制法，其特征在于，还包含：
3.如权利要求1或2之半导体封装件的制法，其特征在于，所述复数第一导电块以金线、铜线及合金线其中之一形成。
4.如权利要求1或2之半导体封装件的制法，其特征在于，所述成型层具有底面，其与所述第一芯片的所述底面齐平。
5.如权利要求1或2之半导体封装件的制法，其特征在于，还包含：
6.如权利要求2之半导体封装件的制法，其特征在于，所述第一芯片与所述第二芯片并列设置。
7.一种半导体封装件，其特征在于，包含：
8.如权利要求7之半导体封装件，其特征在于，还包含：
9.如权利要求7或8之半导体封装件，其特征在于，所述成型层具有底面，其与所述第一芯片的所述底面齐平。
10.如权利要求7或8之半导体封装件，其特征在于，还包含：
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件的制法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1之半导体封装件的制法，其特征在于，还包含：
3.如权利要求1或2之半导体封装件的制法，其特征在于，所述复数第一导电块以金线、铜线及合金线其中之一形成。
4.如权利要求1或2之半导体封装件的制法，其特征在于，所述成型层具有底面，其与所述第一芯片的所述底面齐平。
5.如权利要求1或2之半导体封装件的制法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：董悦明，杨家铭，谢村隆，潘冠霖，颜伯晏，
申请(专利权)人：华泰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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