【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种背照式cmos图像传感器。
技术介绍
1、cmos图像传感器按照光线入射方向分为前照式(fsi)和背照式(bsi)，其中，背照式cmos图像传感器中，光从传感器的背面入射，较前照式可以更加直接地进入衬底内的光电传感区域(即像素)，减少了光线损失，在同一单位时间内，单个像素能获取的光能量更大，对画质有明显提升，因而bsi技术将cmos成像的灵敏度提升到了一个新的水平。
2、一种背照式cmos图像传感器的制作工艺中，在经过减薄的衬底背面沉积隔离介质层，并在隔离介质层上形成金属格栅(backside metal grid，bmg)以及金属导线，并进行焊盘连接区域工艺(pad open)，所述金属导线为实心的线条。然而，在对相应的传感器进行高温模拟使用寿命的可靠性测试后发现，在金属导线之间的沟槽内容易产生泡状缺陷(如图1中虚线圈出位置所示)，使得不能通过可靠性测试，表明相应结构的传感器的可靠性及质量较差。
技术实现思路
1、为了避免在金属导线之间的沟槽中产生泡状缺陷，提高背照式cmos图像传感器的质量和可靠性，本专利技术提供一种背照式cmos图像传感器。
2、本专利技术提供的背照式cmos图像传感器包括：
3、像素基底，所述像素基底中具有多个光电传感区域，每个所述光电传感区域用于感测从所述像素基底的背面进入的光线；
4、隔离介质层，覆盖所述像素基底的背面；以及
5、金属导线，间隔着所述隔离介质层设
6、可选的，所述背照式cmos图像传感器包括：
7、深沟槽，设置在所述像素基底的背面，所述深沟槽用于隔开进入相邻所述光电传感区域的光线，所述隔离介质层填充所述深沟槽并覆盖所述深沟槽外的像素基底背面。
8、可选的，所述隔离介质层包括：
9、高介电常数层，随形地覆盖所述深沟槽的内表面和所述深沟槽外的像素基底背面；以及
10、氧化层，堆叠在所述高介电常数层上并填充所述深沟槽，所述氧化层具有平坦的上表面。
11、可选的，所述背照式cmos图像传感器包括：
12、金属格栅，对应于所述深沟槽并间隔着所述隔离介质层设置在所述像素基底的背面。
13、可选的，所述金属格栅和所述金属导线包括包括钨或铝。
14、可选的，所述像素基底包括像素区和外围区，所述金属导线对应于所述外围区设置。
15、可选的，所述金属导线的宽度为5μm～250μm。
16、可选的，所述应力释放插槽的横截面形状为三角形、四边形、五边形、六边形、圆形或者椭圆形。
17、可选的，所述金属导线被暴露所述隔离介质层的沟槽隔离，所述沟槽使所述金属导线隔断，至少部分区段的所述沟槽的宽度小于或等于15μm；所述应力释放插槽设置于所述沟槽侧面的所述金属导线内。
18、本专利技术提供的背照式cmos图像传感器中，金属导线间隔着隔离介质层设置在所述像素基底的背面，并且至少部分所述金属导线内具有暴露所述隔离介质层的应力释放插槽。所述应力释放插槽可以有效分担及缓释从金属导线指向两侧沟槽方向上的应力，减小所述沟槽内的应力聚集，降低产生泡状缺陷的几率，有助于满足可靠性测试要求；并且，所述应力释放插槽的设置降低了传感器背面的金属材料密度，可以降低金属材料对像素基底整体产生的应力，避免像素基底向上翘曲，有助于提高背照式cmos图像传感器的质量和可靠性。
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1.一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离介质层包括：
4.如权利要求2所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属格栅和所述金属导线包括相同的金属材料。
6.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属导线的材料包括钨或铝。
7.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素基底包括像素区和外围区，所述金属导线对应于所述外围区设置。
8.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属导线的宽度为5μm～250μm。
9.如权利要求1所述的背照式CMOS图像传感器，其特征在于，所述应力释放插槽的横截面形状为三角形、四边形、五边形、六边形、圆形或者椭圆形。
10.如权利要求1至9任一项所述的背照式CM
...【技术特征摘要】
1.一种背照式cmos图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的背照式cmos图像传感器，其特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的背照式cmos图像传感器，其特征在于，所述隔离介质层包括：
4.如权利要求2所述的背照式cmos图像传感器，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的背照式cmos图像传感器，其特征在于，所述金属格栅和所述金属导线包括相同的金属材料。
6.如权利要求1所述的背照式cmos图像传感器，其特征在于，所述金属导线的材料包括钨或铝。
7.如权利要求1所述的背照式cmos图像传感器，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：李镇宇，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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