【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种opc建模方法、系统及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，产生光学邻近效应（optical proximity effect，ope）。一般在利用光刻机对晶圆实际作业前，为了修正ope现象，先通过光学邻近效应修正（optical proximity correction，opc）建模来尽量抵消ope影响，使得基于建模完成的opc模型得到的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
2、然而由于工艺节点的逐步推进，越来越多的内核函数被选入内核库中，以提高建立opc模型的效率，出现不同信号强度搭配不同阈值得到同一个模型仿真数据的现象，简称过度适配（over fitting），导致opc修正结果的准确度降低，影响产品良率及研发进度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种opc建模方法、系统及计算机可读存储介质，避免opc模型发生过度适配，降低opc模型的外差，即提高了opc模型的建模效率和准确度，亦提高了opc修正的准确度。
2、第一方面，为解决上述技术问题，本专利技术提供一种opc建模方法，包括：获取晶圆数据集，所述晶圆数据集包括掩膜版上目标图形在晶圆上曝光后关键尺寸的实际测量值。
3、基于晶圆数据集，确定所述掩膜版的初始opc模型，所述初始opc模型包括初始光学模型和初始抗蚀剂模型。
4、基于所述初始opc模型及其相应的初始光
5、基于所述光信号差异化函数，建立目标成本函数。
6、采用所述目标成本函数对所述初始opc模型进行调整，以得到所述目标图形的目标opc模型。
7、在一些可选的示例中，建立所述初始opc模型的步骤，可包括：确定光学模型的参数及参数的取值范围，确定抗蚀剂模型的参数及参数的取值范围，所述光学模型的参数为表征光刻机光学特性的参数，所述抗蚀剂模型的参数为表征光刻机抗蚀剂特性的参数。
8、针对所述光学模型的参数或所述抗蚀剂模型的参数，在所述取值范围内对相应的所述参数进行取值，得到相应模型的所述参数进行一次迭代运算所需的多组取值组合，并对所述参数进行预设次迭代运算，且在每次迭代运算时，均使用当次迭代运算所对应的所述多组取值组合对所述目标图形分别进行光刻仿真，以得到多组光刻仿真关键尺寸，并基于所述多组光刻仿真关键尺寸与所述晶圆数据集的差值的均方根值，确定出所述均方根值最小时所对应的光学模型和抗蚀剂模型。
9、将所述均方根值最小时所对应的光学模型和抗蚀剂模型作为所述初始光学模型和所述初始抗蚀剂模型，并对所述初始光学模型和初始抗蚀剂模型进行整合，以得到所述初始opc模型。
10、在一些可选的示例中，所述目标图形的仿真图形曲线可用于描述入射在晶圆上的光强随模型得到的光刻仿真关键尺寸的变化而变化的对应关系。
11、在一些可选的示例中，所述初始opc模型及相应的所述初始光学模型的光信号差异化函数可为：
12、
13、其中，s1为所述初始opc模型的光强阈值与其相应的所述目标图形的仿真图形曲线围成的封闭区域的面积，s2为所述初始opc模型包含的所述初始光学模型的光强阈值与其相应的所述目标图形的仿真图形曲线围成的封闭区域的面积，abs函数为绝对值函数，diff为光信号差异化函数。
14、在一些可选的示例中，所述目标成本函数可为：
15、
16、其中，c为目标成本函数，rms-all为建立所述初始opc模型过程中所进行的n次迭代的初始opc模型的n个仿真值和n个曝光试验数据的差值的标准偏差，k为系数，且k>0。
17、在一些可选的示例中，采用所述目标成本函数对所述初始opc模型进行调整的步骤，可包括：判断所述初始opc模型对应的目标成本函数值是否小于预置阈值；若否，则返回执行确定光学模型的参数及参数的取值范围，确定抗蚀剂模型的参数及参数的取值范围的步骤，直至所述初始opc模型对应的目标成本函数值小于所述预置阈值为止。
18、第二方面，基于相同的专利技术构思，本专利技术还提供了一种opc建模系统，包括：获取模块，用于获取晶圆数据集，所述晶圆数据集包括掩膜版上目标图形在晶圆上曝光后关键尺寸的实际测量值。
19、初始opc模型确定模块，用于基于晶圆数据集，确定所述掩膜版的初始opc模型，所述初始opc模型包括初始光学模型和初始抗蚀剂模型。
20、光信号差异化函数确定模块，用于基于所述初始opc模型及其相应的初始光学模型的光强阈值和所述目标图形的仿真图形曲线，确定所述初始opc模型及其相应的所述初始光学模型的光信号差异化函数。
21、目标成本函数建立模块，用于基于所述光信号差异化函数，建立目标成本函数。
22、目标opc模型确定模块，用于采用所述目标成本函数对所述初始opc模型进行调整，以得到所述目标图形的目标opc模型。
23、在一些可选的示例中，所述初始opc模型确定模块可包括：
24、第一确定单元，用于确定光学模型的参数及参数的取值范围，确定抗蚀剂模型的参数及参数的取值范围，所述光学模型的参数为表征光刻机光学特性的参数，所述抗蚀剂模型的参数为表征光刻机抗蚀剂特性的参数。
25、第二确定单元，用于针对所述光学模型的参数或所述抗蚀剂模型的参数，在所述取值范围内对相应的所述参数进行取值，得到相应模型的所述参数进行一次迭代运算所需的多组取值组合，并对所述参数进行预设次迭代运算，且在每次迭代运算时，均使用当次迭代运算所对应的所述多组取值组合对所述目标图形分别进行光刻仿真，以得到多组光刻仿真关键尺寸，并基于所述多组光刻仿真关键尺寸与所述晶圆数据集的差值的均方根值，确定出所述均方根值最小时所对应的光学模型和抗蚀剂模型。
26、整合单元，用于将所述均方根值最小时所对应的光学模型和抗蚀剂模型作为所述初始光学模型和所述初始抗蚀剂模型，并对所述初始光学模型和初始抗蚀剂模型进行整合，以得到所述初始opc模型。
27、在一些可选的示例中，所述目标opc模型确定模块具体可用于：判断所述初始opc模型对应的目标成本函数值是否小于预置阈值；若否，则返回执行确定光学模型的参数及参数的取值范围，确定抗蚀剂模型的参数及参数的取值范围的步骤，直至所述初始opc模型对应的目标成本函数值小于所述预置阈值为止。
28、第三方面，本专利技术还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；
29、存储器，用于存放计算机程序；
30、处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的opc建模的方法步骤。
31、第四方面，本发本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种OPC建模方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，建立所述初始OPC模型的步骤，包括：
3.如权利要求1所述的OPC建模方法，其特征在于，所述目标图形的仿真图形曲线用于描述入射在晶圆上的光强随模型得到的光刻仿真关键尺寸的变化而变化的对应关系。
4.如权利要求3所述的OPC建模方法，其特征在于，所述初始OPC模型及相应的所述初始光学模型的光信号差异化函数为：
5.如权利要求4所述的OPC建模方法，其特征在于，所述目标成本函数为：
6.如权利要求2所述的OPC建模方法，其特征在于，采用所述目标成本函数对所述初始OPC模型进行调整的步骤，包括：
7.一种OPC建模系统，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的OPC建模系统，其特征在于，所述初始OPC模型确定模块包括：
9.如权利要求7所述的OPC建模系统，其特征在于，所述目标OPC模型确定模块用于：
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，
...【技术特征摘要】
1.一种opc建模方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的opc建模方法，其特征在于，建立所述初始opc模型的步骤，包括：
3.如权利要求1所述的opc建模方法，其特征在于，所述目标图形的仿真图形曲线用于描述入射在晶圆上的光强随模型得到的光刻仿真关键尺寸的变化而变化的对应关系。
4.如权利要求3所述的opc建模方法，其特征在于，所述初始opc模型及相应的所述初始光学模型的光信号差异化函数为：
5.如权利要求4所述的opc建模方法，其特征在于，所述目标成本函数为：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：王康，罗招龙，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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