【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电缆制造，尤其涉及一种量子计算机用超导同轴电缆及其制造方法。
技术介绍
1、现有技术中，量子计算机作为一种新型计算工具，具有超越传统计算机的计算能力，超导同轴电缆的核心是超导材料。目前，常用的超导材料有铌钛、铌三锡和钇钡铜氧等；超导同轴电缆通常由内导体、绝缘层、屏蔽层组成，内导体由超导材料制成，屏蔽层用于隔离电磁干扰。
2、中国专利公开号：cn118155939a公开了一种高强度合金导线、拖链电缆及其制备方法，包括以下步骤：(1)按照质量分数配比，将5～8％银、3～4％镍、1～2％锡、0.5～1％铌、余量电解铜原料放入熔炼坩埚中，加热至350～400℃预热10～20min。(2)开启抽真空系统对密闭熔炼坩埚进行抽真空处理至真空度小于2.0×10-3pa，随后通入高纯氩气；重新开启电源进行加热至温度达到1280～1320℃并保温30～40min，之后倒入至圆柱形浇注模具中冷却至室温，得到铜合金铸锭。(3)利用连铸机将铜合金铸锭轧成铜合金杆、拉丝机拉制成铜合金线材、退火处理，得到铜合金导线。(4)利用牵引机构将铜合金导线穿过助焊剂盛放槽、熔融锡液槽、具有锥形开口的负压腔、冷却装置、收卷，得到镀锡铜合金导线。由此可见，所述一种高强度合金导线、拖链电缆及其制备方法存在外导体由于机械性能和抗腐蚀性能弱导致在极端环境下发生被腐蚀从而导致电缆稳定性下降和由于外导体在镀铌后铌化物镀层不均匀导致组装过程稳定性下降的问题。
技术实现思路
1、为此，本专利技术提供一种量子计算机
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，包括：
3、将内绝缘层包覆在内导体外侧以形成内导体层，在不锈钢管内壁电镀铌化物镀层以形成外导体；
4、套接装置按照设定套接电机转速将单个所述内导体层套接进单个外导体以形成电缆导电层；
5、获取单个所述内导体层在单个所述外导体内部的行进速度变化曲线；
6、根据所述行进速度变化曲线确定第一速度突变类型和第二速度突变类型；
7、根据产生所述第一速度突变类型的外导体位置，确定电镀搅拌棒在所述外导体位置的上下搅拌速率；
8、控制所述电镀搅拌棒在所述外导体位置按照所述上下搅拌速率对所述不锈钢管内壁进行电镀；
9、根据所述第二速度突变类型的持续时长判定所述内导体层与所述外导体的摩擦程度；
10、根据所述内导体层与所述外导体的摩擦程度确定内导体运动调节方式，包括调节内导体层在外导体内的移动速度，
11、或，根据所述第二速度突变类型的速度变化量确定在外导体开始拉线时所述内导体层的旋转初始速率；
12、按照所述内导体运动调节方式将所述内导体层套接在所述外导体内，并对套接后的外导体进行拉线以使外导体包覆在内导体层上以形成电缆。
13、进一步地，根据所述行进速度变化曲线确定第一速度突变类型和第二速度突变类型，包括：
14、获取所述行进速度变化曲线上的突变速度和所述突变速度变化至匀速速度的速度变化范围；
15、若所述突变速度变化至所述匀速速度所用的时长大于预设第一时长且小于预设第二时长，则判定该速度变化范围为所述第一速度突变类型；
16、若所述突变速度变化至所述匀速速度所用的时长小于等于所述预设第一时长或大于等于所述预设第二时长，则判定该速度变化范围为所述第二速度突变类型；
17、其中，所述突变速度为不属于所述速度变化范围的导体层在单个所述外导体内部的行进速度。
18、进一步地，根据产生所述第一速度突变类型的外导体位置，确定电镀搅拌棒在所述外导体位置的上下搅拌速率，包括：
19、获取所述第一速度突变类型的第一突变速度；
20、计算所述匀速速度与所述第一突变速度的第一速度差值；
21、根据所述第一速度差值增加所述电镀搅拌棒的上下搅拌速率；
22、根据产生所述突变速度的外导体位置确定所述电镀搅拌棒按照所述上下搅拌速率进行搅拌的搅拌位置范围。
23、进一步地，所述搅拌位置范围为产生所述突变速度的外导体位置至所述第一速度突变类型的速度变化范围结束时的外导体位置。
24、进一步地，所述电镀搅拌棒的上下搅拌速率与所述第一速度差值呈正相关。
25、进一步地，调节内导体层在外导体内的移动速度，包括：
26、获取所述第二速度突变类型的持续时长；
27、若所述持续时长大于等于所述预设第二时长，判定所述内导体层与所述外导体的摩擦程度不符合要求，并获取套接过程中所述外导体的振动强度；
28、计算所述振动强度与预设振动强度的振动强度差值；
29、根据所述振动强度差值增加所述内导体层在所述外导体内的移动速度。
30、进一步地，所述移动速度与所述振动强度差值呈正相关。
31、进一步地，所述确定在外导体开始拉线时所述内导体层的旋转初始速率，包括：
32、若所述持续时长小于等于所述预设第一时长，判定所述内导体层与所述外导体之间的间隙均匀性不符合要求，并获取所述第二速度突变类型的第二突变速度；
33、计算所述匀速速度与所述第二突变速度的第二速度差值；
34、根据所述第二速度差值增加在外导体开始拉线时所述内导体层的旋转初始速率；
35、其中，所述预设第一时长小于所述预设第二时长。
36、进一步地，所述旋转初始速率与所述第二速度差值呈正相关。
37、本专利技术还提供一种量子计算机用超导同轴电缆，所述超导同轴电缆的组成材料包括：内导体材料为铌钛合金，外导体材料为内壁有铌化物镀层的不锈钢管，内绝缘层材料为ptfe，
38、其中，所述不锈钢管的壁厚为0.06mm，所述铌化物镀层的厚度为0.01mm。
39、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于，本专利技术所述方法通过检测内导体层样本在与外导体组装的过程中对于电镀层的影响进而确定电镀搅拌棒的上下搅拌速率或确定内导体层在外导体内的移动速度和旋转初始速率，由于电镀过程中镀层不均匀导致套接过程中内导体层碰撞到镀层不均匀的突起部分，或由于内导体层由于套接设备与内导体层的共振导致内导体层对电镀层产生剐蹭，通过确定上下搅拌速率，实现了镀层均匀性的增加，通过确定移动速度，减少了套接设备和内导体层的共振影响，通过确定旋转初始速率，减少因内导体层刮蹭下来的丝状铌化物分别与内导体层和外导体勾连导致外导体拉线过程的稳定性的降低，实现了电缆导电性能的提升和生产效率的增加，同时，还能有效减少因内导体层与外导体摩擦产生的热量，从而减少了因温度升高导致的材料性能退化和材料膨胀。通过控制内导体层与本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，根据所述行进速度变化曲线确定第一速度突变类型和第二速度突变类型，包括：
3.根据权利要求2所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，根据产生所述第一速度突变类型的外导体位置，确定电镀搅拌棒在所述外导体位置的上下搅拌速率，包括：
4.根据权利要求3所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，所述搅拌位置范围为产生所述突变速度的外导体位置至所述第一速度突变类型的速度变化范围结束时的外导体位置。
5.根据权利要求4所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，所述电镀搅拌棒的上下搅拌速率与所述第一速度差值呈正相关。
6.根据权利要求5所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，调节内导体层在外导体内的移动速度，包括：
7.根据权利要求6所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，所述移动速度与所述振动强度差值呈正相关。
9.根据权利要求8所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，所述旋转初始速率与所述第二速度差值呈正相关。
10.一种使用权利要求1-9任一项权利要求所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法所制成的超导同轴电缆，其特征在于，所述超导同轴电缆的组成材料包括：内导体材料为铌钛合金，外导体材料为内壁有铌化物镀层的不锈钢管，内绝缘层材料为PTFE，
...【技术特征摘要】
1.一种量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，根据所述行进速度变化曲线确定第一速度突变类型和第二速度突变类型，包括：
3.根据权利要求2所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，根据产生所述第一速度突变类型的外导体位置，确定电镀搅拌棒在所述外导体位置的上下搅拌速率，包括：
4.根据权利要求3所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，所述搅拌位置范围为产生所述突变速度的外导体位置至所述第一速度突变类型的速度变化范围结束时的外导体位置。
5.根据权利要求4所述的量子计算机用超导同轴电缆的制造方法，其特征在于，所述电镀搅拌棒的上下搅拌速率与所述第一速度差值呈正相关。
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：马涛，周赤伟，石志宽，岳双元，丁一，万杰顺，
申请(专利权)人：嘉兴翼波电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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