【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波领域，特别涉及一种带温控的微波炉及低温干燥方法。
技术介绍
1、家用微波炉和隧道式工业微波炉已经广泛应用于家庭和工农业生产。微波炉利用微波对位于处理腔中的物料进行处理，包括但不限于加热、解冻、干燥、杀菌、烧结等。
2、普通微波炉包括处理腔，馈口和被处理材料。微波炉工作过程中，在被处理材料进行高温加热或者深度干燥等处理时，由于处理腔中的材料的密度和湿度不均匀，同时由于电磁场分布不均匀而且无法准确控制，导致被加热材料的处理不均匀而导致过热甚至燃烧。
3、上述
技术介绍
是为了便于理解本专利技术，并非是申请本专利技术之前已向普通公众公开的公知技术。
技术实现思路
1、针对上述缺陷，本专利技术提供一种带温控的微波炉，其旨在改善
技术介绍
提到的至少一种问题。
2、技术方案是：一种带温控的微波炉，包括至少一个处理腔以及围成处理腔的微波炉壳体，所述微波炉壳体上开设有至少一个馈口，至少一个馈口与一台微波源连接，微波源产生微波并通过馈口向处理腔内部馈入微波，至少一台微波源的电源线上串接一只温控开关。
3、进一步地，所述温控开关的温度感应部分穿过微波炉壳体，所述温控开关的温度感应部分进入微波炉壳体的深度可以从所述处理腔外加以调节。
4、进一步地，所述温控开关为常闭型，断开温度低于100°或60°。
5、进一步地，该微波炉还包括传送带，该传送带穿过处理腔，被处理材料位于所述传送带上。
6、进一步地，所述馈口设
7、进一步地，至少一个温控开关与至少一个馈口的沿所述传送带的运动方向的最小距离小于微波馈口横截面最大尺寸的0.5倍，该温控开关位于该馈口的沿传送带运动方向的后方。
8、进一步地，至少一个温控开关与至少一个馈口的沿所述传送带的运动方向的最小距离小于微波馈口横截面最大尺寸的0.2倍，该温控开关位于该馈口的沿传送带运动方向的后方。
9、所述馈口设置在所述处理腔的底部，所述温控开关设置在所述处理腔的底部或者顶部。较佳的设计，所述温控开关设置在所述处理腔的底部。
10、进一步地，所述处理腔的顶部设置有二维周期结构，该二维周期结构位于至少一个馈口的上方。在过至少一个馈口的几何中心点的法线与所述处理腔的顶部的交点沿水平方向向外的至少三个方向上所述二维周期结构的单元数目大于2。较佳的设计，在过每一个馈口的几何中心点的法线与所述处理腔的顶部的交点沿水平方向向外的所有四个方向上所述二维周期结构的单元数目都大于2。
11、进一步地，所述二维周期结构包括排成行和列的周期性的凸起或者凹陷。这种二维周期结构的设置是为了在所述处理腔的底部与顶部之间形成对微波的带阻结构，让工作频率的微波通过所述馈口馈入到所述处理腔后无法在所述处理腔的顶部和底部之间沿水平方向传播，而只能呈指数衰减。
12、本专利技术还提供一种低温干燥方法。
13、技术方案是：一种采用上述的带温控的微波炉的低温干燥方法，包括：
14、通过温控开关控制是否加热，对于普通的微波处理，温控开关的断开温度低于100°。对被处理材料的低温处理有利于保护其中的化学成分，温控开关的断开温度低于60°或低于30°；
15、通过二维周期结构阻止微波在水平面上的传播；
16、通过温控开关设置在每个馈口附近沿传送带运动方向的后方并将温控开关与对应的馈口的尽量靠近，便于迅速做出反应。
17、与现有技术相比，本专利技术的专利技术原理及有益效果在于：
18、本专利技术通过在处理腔的壳体上或者壳体内设置温控开关，可以防止被加热材料由于各种不均匀(包括但不限于材料密度不均匀、材料湿度不均匀和微波场强分布不均匀)导致的局部过热或者燃烧。通过采用二维光子晶体构成处理腔，让不同馈口之间互相隔离。同时对应每一个馈口设置有一个或者多个温控开关，当某馈口附近温度过高时，准确关闭该馈口微波源的电源以阻止温度的进一步升高，当该馈口附近温度降低后，该微波源恢复工作。进一步地，通过设置传送带构成光晶微波隧道炉，在每个馈口沿传送带运动方向的后方临近设置一个或者多个温控开关，防止隧道炉中过热或者燃烧。
19、本专利技术可以用于各种材料的膨化、杀菌、深度干燥和烧结等，可以安全地用于低温干燥，特别是低温深度干燥。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带温控的微波炉，包括至少一个处理腔(1)以及围成处理腔(1)的微波炉壳体，所述微波炉壳体上开设有至少一个馈口(2)，至少一个馈口(2)与一台微波源连接，微波源产生微波并通过馈口(2)向处理腔(1)内部馈入微波，其特征在于，至少一台微波源的电源线上串接一只温控开关(4)。
2.根据权利要求1所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述温控开关(4)的温度感应部分穿过微波炉壳体，所述温控开关(4)的温度感应部分进入微波炉壳体的深度可以从所述处理腔(1)外加以调节。
3.根据权利要求1所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述温控开关(4)为常闭型，断开温度低于100°或60°。
4.根据权利要求1-3任一项所述的带温控的微波炉，其特征在于，该微波炉还包括传送带(6)，该传送带(6)穿过处理腔(1)，被处理材料(3)位于所述传送带(6)上。
5.根据权利要求4所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述馈口(2)设置在所述处理腔(1)的底部(11)。
6.根据权利要求4所述的带温控的微波炉，其特征在于，至少一个温控开关(4)与至少一个
7.根据权利要求4所述的带温控的微波炉，其特征在于，至少一个温控开关(4)与至少一个馈口(2)的沿所述传送带(6)的运动方向的最小距离小于微波馈口横截面最大尺寸的0.2倍，该温控开关(4)位于该馈口(2)的沿传送带(6)运动方向的后方。
8.根据权利要求1-7任一项所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述处理腔(1)的顶部设置有二维周期结构(5)，所述馈口(2)设置在所述处理腔(1)的底部；在过至少一个馈口(2)的几何中心点的法线与所述处理腔(1)的顶部的交点沿水平方向向外的至少三个方向上所述二维周期结构(5)的单元数目大于2。
9.根据权利要求8所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述二维周期结构(5)包括排成行和列的周期性的凸起或者凹陷。
10.一种采用权利要求1-9任一项所述的带温控的微波炉的低温干燥方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种带温控的微波炉，包括至少一个处理腔(1)以及围成处理腔(1)的微波炉壳体，所述微波炉壳体上开设有至少一个馈口(2)，至少一个馈口(2)与一台微波源连接，微波源产生微波并通过馈口(2)向处理腔(1)内部馈入微波，其特征在于，至少一台微波源的电源线上串接一只温控开关(4)。
2.根据权利要求1所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述温控开关(4)的温度感应部分穿过微波炉壳体，所述温控开关(4)的温度感应部分进入微波炉壳体的深度可以从所述处理腔(1)外加以调节。
3.根据权利要求1所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述温控开关(4)为常闭型，断开温度低于100°或60°。
4.根据权利要求1-3任一项所述的带温控的微波炉，其特征在于，该微波炉还包括传送带(6)，该传送带(6)穿过处理腔(1)，被处理材料(3)位于所述传送带(6)上。
5.根据权利要求4所述的带温控的微波炉，其特征在于，所述馈口(2)设置在所述处理腔(1)的底部(11)。
6.根据权利要求4所述的带温控的微波炉，其特征在于，至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：王清源，
申请(专利权)人：无锡碳中科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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