【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路及半导体装置制造，尤其涉及用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。
技术介绍
1、场效应晶体管通常包括源极、漏极、在该源极与漏极间形成沟道区(channelregion)的本体、以及与该沟道区重叠的栅极电极。当向该栅极电极施加超过特征阈值电压的控制电压时，在位于该源极与漏极间的该本体的该沟道区中发生载流子流，以产生装置输出电流。
2、绝缘体上硅衬底包括块体衬底、装置层、以及设于该装置层与该块体衬底间的电性绝缘体层。利用绝缘体上硅衬底形成场效应晶体管的优点在于：由于该装置层与该块体衬底的电性隔离而导致寄生电容减小。在操作期间，该场效应晶体管的耗尽区可能仅部分延伸穿过该装置层。部分耗尽场效应晶体管受浮体效应(floating body effect)影响，其中，位于该装置层中的本体相对于该绝缘块体衬底形成电容器，且电荷积累于该电容器上。该积累电荷会对装置性能造成负面影响。
3、需要用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。
技术实现思路
1、在本专利技术的一个实施例中，提供一种用于场效应晶体管的结构。该结构包括一个或多个半导体层，位于该一个或多个半导体层上的栅极，包括位于该一个或多个半导体层中的第一部分以及位于该一个或多个半导体层中的第二部分的源极/漏极区，以及位于该一个或多个半导体层中的缺陷区。该缺陷区邻近该源极/漏极区的该第一部分设置。
2、在本专利技术的一个实施例中，提供一种形成用于场
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1.一种用于场效应晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该一个或多个半导体层包括第一半导体层以及位于该第一半导体层上的第二半导体层，且该第二半导体层完全设于该缺陷区与该栅极间。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一源极/漏极区的该第一部分设于该第一半导体层中，且该第一漏极/源极区的该第二部分设于该第二半导体层中。
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一半导体层沿界面邻接该第二半导体层，该栅极设于该第二半导体层上，且该界面设于该缺陷区与该第一源极/漏极区的该第二部分间。
5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，还包括：
7.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第二半导体层是包括与该第一半导体层相同的半导体材料的同质外延层。
8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该缺陷区围绕该第一源极/漏极区的该第一部分。
9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一源极/漏极区是该场效应晶
10.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
11.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该沟道区与该缺陷区相邻。
12.如权利要求11所述的结构，其特征在于，该沟道区没有缺陷。
13.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该第一源极/漏极区是该场效应晶体管的源极区，且该第二源极/漏极区是该场效应晶体管的漏极区。
14.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该缺陷区设于该沟道区与该第一源极/漏极区间。
15.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该第二源极/漏极区没有缺陷。
16.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该缺陷区包括位错。
17.一种形成用于场效应晶体管的结构的方法，其特征在于，该方法包括：
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，在该第一半导体层中形成该缺陷区后，形成该第二半导体层。
19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，在该第一半导体层中形成该缺陷区包括：
20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，该源极/漏极区形成于该第二半导体层的部分以及该第一半导体层的该重结晶半导体材料中。
...【技术特征摘要】
1.一种用于场效应晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该一个或多个半导体层包括第一半导体层以及位于该第一半导体层上的第二半导体层，且该第二半导体层完全设于该缺陷区与该栅极间。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一源极/漏极区的该第一部分设于该第一半导体层中，且该第一漏极/源极区的该第二部分设于该第二半导体层中。
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一半导体层沿界面邻接该第二半导体层，该栅极设于该第二半导体层上，且该界面设于该缺陷区与该第一源极/漏极区的该第二部分间。
5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，还包括：
7.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第二半导体层是包括与该第一半导体层相同的半导体材料的同质外延层。
8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该缺陷区围绕该第一源极/漏极区的该第一部分。
9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一源极/漏极区是该场效应晶体管的源极区。
10.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓文生，卓睿智，刘新福，陈欣，林克茂，王建威，张永富，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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