【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别涉及一种用于半导体制造工厂的产品品质监控方法及监控系统。
技术介绍
1、半导体制程随着精度变高对半导体制造工厂（fabrication，简称fab）的环境要求也越来越高，28nm、40nm和55nm等高精度制程所生产产品的品质对环境变化的反应很敏感，各大半导体制造厂商都开始重视环境变化对产品品质的影响。当前频发环境异常影响产品品质的案例，通过对这些案例分析发现存在多种环境参数交互作用共同影响产品品质的现象，但目前缺乏对多种环境参数的交互作用进行分析的技术，因而无法基于环境参数精准监控产品品质。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供一种用于半导体制造工厂的产品品质监控方法及监控系统，旨在基于半导体制造工厂内的环境参数实现对半导体制造工厂所制造产品品质的精准监控。
2、根据本专利技术的第一方面，提供一种用于半导体制造工厂的产品品质监控方法，包括：
3、获取目标数据，所述目标数据包括监测半导体制造工厂多种环境参数而得到的环境数据和监测半导体制造工厂所制造产品的品质参数而得到的品质数据；
4、基于环境数据和品质数据进行偏相关分析，以从多种环境参数中确定出与品质参数相关的关键环境参数；
5、基于环境数据和品质数据拟合出所述关键环境参数与品质参数之间的回归方程式；
6、根据所述回归方程式对品质参数进行预测和/或通过调节所述关键环境参数对品质参数进行控制。
7、可选地，环境参数的监测频率低于品
8、所述产品品质监控方法还包括：提取与环境数据的监测时刻间隔最近的第一数量的品质数据，并将提取的所述第一数量的品质数据的均值确定为与该环境数据相匹配的品质数据。
9、可选地，多种环境参数的监测频率不完全相同且其中第一环境参数的监测频率最低，监测所述第一环境参数而得到第一环境数据；
10、提取与环境数据的监测时刻间隔最近的第一数量的品质数据，包括：提取与第一环境数据的监测时刻间隔最近的所述第一数量的品质数据。
11、可选地，多种环境参数包括所述第一环境参数和监测频率高于所述第一环境参数的第二环境参数，监测所述第二环境参数而得到第二环境数据；
12、所述产品品质监控方法还包括：提取与第一环境数据的监测时刻间隔最近的第二数量的第二环境数据，并将提取的所述第二数量的第二环境数据的均值确定为与该第一环境数据匹配的第二环境数据。
13、可选地，提取与第一环境数据的监测时刻间隔最近的所述第一数量的品质数据，包括：提取与第一环境数据的监测时刻间隔不大于第一时长的品质数据，所述第一时长从第一初始时长开始逐渐增大直到提取到所述第一数量的品质数据或在未提取到所述第一数量的品质数据的情况下增大到第一时长阈值；
14、提取与第一环境数据的监测时刻间隔最近的第二数量的第二环境数据，包括：提取与第一环境数据的监测时刻间隔不大于第二时长的第二环境数据，所述第二时长从第二初始时长开始逐渐增大直到提取到所述第二数量的第二环境数据或在未提取到所述第二数量的第二环境数据的情况下增大到第二时长阈值；
15、所述第一初始时长和所述第一时长阈值根据品质参数的监测频率确定且各自与品质参数监测频率负相关，所述第二初始时长和所述第二时长阈值根据所述第二环境参数的监测频率确定且各自与所述第二环境参数监测频率负相关。
16、可选地，所述第一数量根据监测品质参数而得到的品质数据的总量确定且二者之间呈正相关关系；
17、所述第二数量根据监测所述第二环境参数而得到的第二环境数据的总量确定且二者之间呈正相关关系。
18、可选地，所述产品品质监控方法还包括：
19、判断监测所述第一环境参数而得到的第一环境数据的总量是否不小于样本量阈值；
20、在监测得到的第一环境数据的总量不小于所述样本量阈值的情况下，提取与第一环境数据的监测时刻间隔最近的所述第一数量的品质数据，以及提取与第一环境数据的监测时刻间隔最近的第二数量的第二环境数据。
21、可选地，所述产品品质监控方法还包括在监测得到的第一环境数据的总量小于所述样本量阈值的情况下执行如下步骤：
22、在第一环境数据的监测时刻之前的时段内提取与该第一环境数据的监测时刻间隔最近的所述第一数量的品质数据和所述第二数量的第二环境数据，以得到与该第一环境数据对应的第一组品质数据和第一组第二环境数据；
23、在第一环境数据的监测时刻之后的时段内提取与该第一环境数据的监测时刻间隔最近的所述第一数量的品质数据和所述第二数量的第二环境数据，以得到与该第一环境数据对应的第二组品质数据和第二组第二环境数据；
24、将第一环境数据对应的第一组品质数据和第一组第二环境数据各自的均值和该第一环境数据作为一组相匹配的环境数据和品质数据，以及将第一环境数据对应的第二组品质数据和第二组第二环境数据各自的均值和该第一环境数据作为另一组相匹配的环境数据和品质数据。
25、可选地，多种环境参数包括表征环境特征的参数和产品制造过程中不同工艺步骤之间的等待时长。
26、根据本专利技术的第二方面，提供一种用于半导体制造工厂的产品品质监控系统，包括：处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现第一方面所述的任一种产品品质监控方法。
27、本申请意想不到的技术效果是：
28、本申请提供的用于半导体制造工厂的产品品质监控方法，包括：获取目标数据，目标数据包括监测半导体制造工厂多种环境参数而得到的环境数据和监测半导体制造工厂所制造产品的品质参数而得到的品质数据；基于环境数据和品质数据进行偏相关分析，以从多种环境参数中确定出与品质参数相关的关键环境参数；基于环境数据和品质数据拟合出关键环境参数与品质参数之间的回归方程式；根据回归方程式对品质参数进行预测和/或通过调节关键环境参数对品质参数进行控制。因而，本申请基于大数据通过偏相关分析以及拟合出回归方程式精准确定了多种环境参数交互作用共同对品质参数的影响，从而能够实现对半导体制造工厂所制造产品品质的精准监控。
29、进一步地，环境参数的监测频率低于品质参数的监测频率，相匹配的环境数据和品质数据用于进行偏相关分析和拟合回归方程式，本申请提供的产品品质监控方法还包括：提取与环境数据的监测时刻间隔最近的第一数量的品质数据，并将提取的第一数量的品质数据的均值确定为与该环境数据相匹配的品质数据，从而解决了环境参数监测频率低导致的环境数据与品质数据无法匹配的技术问题。此外，确定的与环境数据相匹配的品质数据较为合理，因而能够使得多种环境参数交互作用共同对品质参数的影响分析更加准确。
30、进一步地，多种环境参数包括第一环境参数和监测频率高于第一环境参数的第二环境本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于半导体制造工厂的产品品质监控方法，包括：
2.根据权利要求1所述的产品品质监控方法，其中，
3.根据权利要求2所述的产品品质监控方法，其中，
4.根据权利要求3所述的产品品质监控方法，其中，
5.根据权利要求4所述的产品品质监控方法，其中，
6.根据权利要求5所述的产品品质监控方法，其中，
7.根据权利要求4所述的产品品质监控方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的产品品质监控方法，还包括在监测得到的第一环境数据的总量小于所述样本量阈值的情况下执行如下步骤：
9.根据权利要求1所述的产品品质监控方法，其中，多种环境参数包括表征环境特征的参数和产品制造过程中不同工艺步骤之间的等待时长。
10.一种用于半导体制造工厂的产品品质监控系统，包括：处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-9中任意一项所述的产品品质监控方法。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体制造工厂的产品品质监控方法，包括：
2.根据权利要求1所述的产品品质监控方法，其中，
3.根据权利要求2所述的产品品质监控方法，其中，
4.根据权利要求3所述的产品品质监控方法，其中，
5.根据权利要求4所述的产品品质监控方法，其中，
6.根据权利要求5所述的产品品质监控方法，其中，
7.根据权利要求4所述的产品品质监控方法，还包括：
8.根据权利要求7所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙姗姗，王思民，刘波，徐东东，汪田莉，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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