【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种气体混合装置及半导体设备。
技术介绍
1、在半导体设备中，气路混合装置通常扮演着至关重要的角色，具备高精度和高稳定性的特点。这些装置负责将多种特种气体和载气按照精确的比例混合，以满足半导体制造过程中的特定需求，保证工艺正常进行。特别是epi(epitaxial layer，外延层)工艺中，气体纯度，混合比例和流动形态要求极高，任何微小的偏差都可能对晶圆表面单晶的生长产生缺陷。
2、气路混合装置一般采用多层结构设计，通过多个气流通道将不同气体引入混合室，在混合室中缓冲混合，并利用特殊的搅拌装置实现气体的快速、均匀输送。通常具有上述结构的气路设计和混气管路结构设计精密复杂，制造成本高，维护代价大。
3、有鉴于此，有必要提出一种气体混合装置及半导体设备以解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种气体混合装置及半导体设备，用以改善现有的气路混合装置结构结构设计精密复杂，制造成本高的问题。
2、本技术提供了一种气体混合装置，包括：混气管和至少一个导气管，所述导气管设于所述混气管的侧壁上且延申至所述混气管内，位于所述混气管内部的导气管设有至少一个出气孔，所述出气孔的朝向与所述混气管内载气的流动方向一致。
3、在一种可能的实施例中，所述导气管为呈阵列分布的一组，所述导气管可以呈水平、竖直或斜向设置；或者，
4、所述导气管为至少两组且同一组的所述导气管平行布置，不同组的所述导气管错开设置，
5、所述导气管为至少一组，每组所述导气管呈环形阵列分布。
6、在一种可能的实施例中，所述导气管为平行设置的一组，所述出气孔呈倾斜设置，相邻两个所述导气管上出气孔的倾斜方向相反。
7、在一种可能的实施例中，气体混合装置还包括设于所述混气管内且位于所述导气管后方的层流分布组件，所述层流分布组件设有间隔分布的若干个分流通道。
8、在一种可能的实施例中，所述层流分布组件包括间隔分布的若干个分流板，所述分流板支撑地设于所述混气管的内壁上，相邻两个所述分流板间形成所述分流通道；和/或，
9、所述层流分布组件为至少两个，不同所述层流分布组件上分流通道的设置方向不相同。
10、在一种可能的实施例中，所述层流分布组件设有间隔分布的若干组分流孔。
11、在一种可能的实施例中，所述混气管包括主体段以及分别设于所述主体段两端的扩张段；
12、所述扩张段包括靠近所述主体段的第一端和远离所述主体段的第二端，所述第二端用于与载气的输送管路连接，所述第二端的通流截面积与所述输送管路的通流截面积相等，所述扩张段的通流截面积自所述第二端至所述第一端的方向逐渐增大。
13、在一种可能的实施例中，所述出气孔为若干个且沿所述导气管的长度方向间隔设置。
14、在一种可能的实施例中，所述导气管呈直线状或弯折状；其中弯折状的所述导气管上具有所述出气孔的一部分的朝向与所述混气管内载气的流动方向一致。
15、另外，本技术还提供了一种半导体设备，包括：如上述中任一实施例中的气体混合装置。
16、本技术提供的气体混合装置的有益效果在于：通过在混气管上设置导气管，工艺气体通过导气管导入混气管内，以实现工艺气体与导气管内载气的混合，本技术气体混合装置与精密复杂的气体混合装置相比，具有结构简单、制造成本低、便于管路改造与维护等特点。在进一步的方案中，通过设置层流分布组件，使载气与工艺特气均匀混合，使气流稳定均匀输送。在更进一步的方案中，通过对混气管进行变径设置，减缓载气流速，减小流体混合时的压差。
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1.一种气体混合装置，其特征在于，包括：混气管和至少一个导气管，所述导气管设于所述混气管的侧壁上且延申至所述混气管内，位于所述混气管内部的导气管设有至少一个出气孔，所述出气孔的朝向与所述混气管内载气的流动方向一致。
2.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述导气管为呈阵列分布的一组，所述导气管可以呈水平、竖直或斜向设置；或者，
3.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述导气管为平行设置的一组，所述出气孔呈倾斜设置，相邻两个所述导气管上出气孔的倾斜方向相反。
4.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，还包括设于所述混气管内且位于所述导气管后方的层流分布组件，所述层流分布组件设有间隔分布的若干个分流通道。
5.根据权利要求4所述的气体混合装置，其特征在于，所述层流分布组件包括间隔分布的若干个分流板，所述分流板支撑地设于所述混气管的内壁上，相邻两个所述分流板间形成所述分流通道；和/或，
6.根据权利要求4所述的气体混合装置，其特征在于，所述层流分布组件设有间隔分布的若干组分流孔。
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8.根据权利要求1-7中任一所述的气体混合装置，其特征在于，所述出气孔为若干个且沿所述导气管的长度方向间隔设置。
9.根据权利要求1-7中任一所述的气体混合装置，其特征在于，所述导气管呈直线状或弯折状；其中弯折状的所述导气管上具有所述出气孔的一部分的朝向与所述混气管内载气的流动方向一致。
10.一种半导体设备，其特征在于，包括：如权利要求1-9中任一所述的气体混合装置。
...【技术特征摘要】
1.一种气体混合装置，其特征在于，包括：混气管和至少一个导气管，所述导气管设于所述混气管的侧壁上且延申至所述混气管内，位于所述混气管内部的导气管设有至少一个出气孔，所述出气孔的朝向与所述混气管内载气的流动方向一致。
2.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述导气管为呈阵列分布的一组，所述导气管可以呈水平、竖直或斜向设置；或者，
3.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，所述导气管为平行设置的一组，所述出气孔呈倾斜设置，相邻两个所述导气管上出气孔的倾斜方向相反。
4.根据权利要求1所述的气体混合装置，其特征在于，还包括设于所述混气管内且位于所述导气管后方的层流分布组件，所述层流分布组件设有间隔分布的若干个分流通道。
5.根据权利要求4所述的气体混合装置，其特征在于，所述层流分布组...
【专利技术属性】
技术研发人员：类延瑞，王伟，邢超，丁慧莹，张晓雪，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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