System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电容器元件制造技术_技高网

电容器元件制造技术

技术编号:44523371 阅读:2 留言:0更新日期:2025-03-07 13:15
电容器元件(2)包括:电容器部(10),其包含阳极板(11)、电介质层(13)和阴极层(12),阳极板(11)在芯部(11A)的至少一个主面具有多孔质部(11B),电介质层(13)设于多孔质部(11B)的表面,阴极层(12)设于电介质层(13)的表面;贯通导体(20),其在厚度方向上贯通电介质层(13)和阳极板(11);密封层(30),其以覆盖电容器部(10)的方式设置;导体配线层(40A、40B),其设于密封层(30)的表面;以及外侧绝缘层(50),其以覆盖密封层(30)和导体配线层(40A、40B)的方式设置。贯通导体(20)包含与阴极层(12)电连接的阴极贯通导体(20A、20C)和与阳极板(11)电连接的阳极贯通导体(20B、20D)。导体配线层(40A、40B)与阴极贯通导体(20A)和阳极贯通导体(20B)中的任一者电连接。阴极贯通导体(20A)包含第1阴极贯通导体(20A1)和第2阴极贯通导体(20A2)。阳极贯通导体(20B)包含第1阳极贯通导体(20B1)。在从阳极板(11)的厚度方向俯视时,第1阳极贯通导体(20B1)与第1阴极贯通导体(20A1)的中心间距离和第1阳极贯通导体(20B1)与第2阴极贯通导体(20A2)的中心间距离相等。第1阴极贯通导体(20A1)、第2阴极贯通导体(20A2)以及第1阳极贯通导体(20B1)分别是在厚度方向上贯通密封层(30)和电容器部(10)而在端部处与导体配线层(40A)或导体配线层(40B)连接的直接贯通导体。阴极贯通导体(20C)还包含至少一根第5阴极贯通导体(20C5)。第5阴极贯通导体(20C5)是在厚度方向上贯通外侧绝缘层(50)、密封层(30)以及电容器部(10)而在侧面处与导体配线层(40A)连接的间接贯通导体。在从阳极板(11)的厚度方向俯视时,第5阴极贯通导体(20C5)与第1阴极贯通导体(20A1)的中心间距离和第5阴极贯通导体(20C5)与第2阴极贯通导体(20A2)的中心间距离相等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及电容器元件


技术介绍

1、在专利文献1中公开了电容器阵列,该电容器阵列包括:多个固体电解电容器元件,其由一片固体电解电容器片分割而成;片状的第1密封层;以及片状的第2密封层。上述固体电解电容器片包括:阳极板,其由阀作用金属形成;多孔质层,其设于上述阳极板的至少一个主面;电介质层,其设于上述多孔质层的表面;以及阴极层,其包含设于上述电介质层的表面的固体电解质层,上述固体电解电容器片具有在厚度方向上相对的第1主面和第2主面。上述多个固体电解电容器元件各自的上述第1主面侧配置于上述第1密封层上。上述第2密封层以从上述第2主面侧覆盖上述第1密封层上的上述多个固体电解电容器元件的方式配置。上述固体电解电容器元件间由狭缝状的片去除部分割。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2020-167361号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、在专利文献1中记载了如下主旨:优选的是,设有在厚度方向上贯通第1密封层或第2密封层的贯通电极,阳极板或阴极层与外部电极经由贯通电极连接。例如,在专利文献1的图22a和图22b中记载了如下构造:阳极和阴极呈交错格子状配置,阳极板在阳极贯通电极的壁面处直接连接。

3、然而,在专利文献1所记载的电容器阵列中,在降低电容器阵列所包含的单个的电容器元件的等效串联电阻(esr)和等效串联电感(esl)这一点上存在改善的余地。

4、此外,不限于包含多个电容器元件的电容器阵列,在单独的电容器元件中也在降低等效串联电阻和等效串联电感这一点上存在改善的余地。

5、本专利技术的目的在于提供能够降低等效串联电阻和等效串联电感的电容器元件。

6、用于解决问题的方案

7、本专利技术的电容器元件包括:电容器部,其包含阳极板、电介质层和阴极层,该阳极板在芯部的至少一个主面具有多孔质部,该电介质层设于上述多孔质部的表面,该阴极层设于上述电介质层的表面;贯通导体,其在厚度方向上贯通上述电介质层和上述阳极板;密封层,其以覆盖上述电容器部的方式设置;导体配线层,其设于上述密封层的表面;以及外侧绝缘层,其以覆盖上述密封层和上述导体配线层的方式设置。上述贯通导体包含与上述阴极层电连接的阴极贯通导体和与上述阳极板电连接的阳极贯通导体。上述导体配线层与上述阴极贯通导体和上述阳极贯通导体中的任一者电连接。上述阴极贯通导体包含第1阴极贯通导体和第2阴极贯通导体。上述阳极贯通导体包含第1阳极贯通导体。在从上述阳极板的厚度方向俯视时,上述第1阳极贯通导体与上述第1阴极贯通导体的中心间距离和上述第1阳极贯通导体与上述第2阴极贯通导体的中心间距离相等。上述第1阴极贯通导体、上述第2阴极贯通导体以及上述第1阳极贯通导体分别是在上述厚度方向上贯通上述密封层和上述电容器部而在端部处与上述导体配线层连接的直接贯通导体。上述阴极贯通导体还包含至少一根第5阴极贯通导体。上述第5阴极贯通导体是在上述厚度方向上贯通上述外侧绝缘层、上述密封层以及上述电容器部而在侧面处与上述导体配线层连接的间接贯通导体。在从上述阳极板的厚度方向俯视时,上述第5阴极贯通导体与上述第1阴极贯通导体的中心间距离和上述第5阴极贯通导体与上述第2阴极贯通导体的中心间距离相等。

8、专利技术的效果

9、根据本专利技术,能够提供能降低等效串联电阻和等效串联电感的电容器元件。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容器元件,其中,

2.根据权利要求1所述的电容器元件,其中,

3.根据权利要求2所述的电容器元件,其中,

4.根据权利要求2所述的电容器元件,其中,

5.根据权利要求2所述的电容器元件,其中,

6.根据权利要求1~5中任一项所述的电容器元件,其中,

7.根据权利要求6所述的电容器元件,其中,

8.根据权利要求7所述的电容器元件,其中,

9.根据权利要求7所述的电容器元件,其中,

10.根据权利要求7所述的电容器元件,其中,

11.根据权利要求2~5中任一项所述的电容器元件,其中,

12.根据权利要求11所述的电容器元件,其中,

13.根据权利要求12所述的电容器元件,其中,

14.根据权利要求12或13所述的电容器元件,其中,

15.根据权利要求7~10中任一项所述的电容器元件,其中,

16.根据权利要求15所述的电容器元件,其中,

17.根据权利要求16所述的电容器元件,其中,</p>

18.根据权利要求16或17所述的电容器元件,其中,

19.根据权利要求1~18中任一项所述的电容器元件,其中,

20.根据权利要求6~10、15~18中任一项所述的电容器元件,其中,

21.根据权利要求20所述的电容器元件,其中,

22.一种电容器元件,其中,

23.根据权利要求22所述的电容器元件,其中,

24.一种电容器元件,其中,

25.一种电容器元件,其中,

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电容器元件,其中,

2.根据权利要求1所述的电容器元件,其中,

3.根据权利要求2所述的电容器元件,其中,

4.根据权利要求2所述的电容器元件,其中,

5.根据权利要求2所述的电容器元件,其中,

6.根据权利要求1~5中任一项所述的电容器元件,其中,

7.根据权利要求6所述的电容器元件,其中,

8.根据权利要求7所述的电容器元件,其中,

9.根据权利要求7所述的电容器元件,其中,

10.根据权利要求7所述的电容器元件,其中,

11.根据权利要求2~5中任一项所述的电容器元件,其中,

12.根据权利要求11所述的电容器元件,其中,

13.根据权利要求12所述的电容器元件,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:高桥章友古川刚史姬田高志
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

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