【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超导磁体，尤其涉及一种基于超导磁体的氮冷装置。
技术介绍
1、磁体降温后成为超导磁体，其电阻为零。可以通过向磁体中通入电流来产生强大的磁场。应对不同的磁体，各种降温技术应运而生，可采用液氮浸泡或者低温制冷机等形式对磁体进行降温。
2、传统的氮冷装置对冷量的利用不够充分，导致了能源的浪费。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种基于超导磁体的氮冷装置，用以解决传统的氮冷装置对冷量的利用不够充分，导致了能源的浪费的问题。
2、本专利技术提供一种基于超导磁体的氮冷装置，包括：
3、壳体，内部形成有低温氮气储存腔；
4、真空箱，设置于低温氮气储存腔内，内部形成有真空腔；
5、氮浴室，设置于真空腔内，用于盛装液氮和磁体；
6、氮气通道，形成于真空箱的顶部；氮气通道的底部与氮浴室连通；氮气通道上设置有出氮孔；
7、铜排，穿设于氮气通道内，底端通过电流引线与磁体连接。
8、在其中一些实施例中，铜排的至少一侧边形成有换热槽；每侧换热槽内等间距地设置有多个换热鳍片。
9、在其中一些实施例中，铜排的顶部贯穿壳体的顶部。
10、在其中一些实施例中，出氮孔形成于氮气通道的顶部的至少一侧。
11、在其中一些实施例中，氮气通道的至少一侧壁上形成有氮气路径延长流道。
12、在其中一些实施例中，壳体的至少一侧设置有爪式真空泵。
13、在其中一些实施
14、液氮流入管，竖直设置，底端延伸至氮浴室内。
15、在其中一些实施例中，还包括：
16、液位仪，竖直设置，底端延伸至氮浴室内。
17、本专利技术的有益效果如下：本专利技术的基于超导磁体的氮冷装置通过设置壳体、真空箱、氮浴室、氮气通道和铜排。壳体内部形成有低温氮气储存腔。真空箱设置于低温氮气储存腔内。真空箱的内部形成有真空腔。氮浴室设置于真空腔内。氮浴室用于盛装液氮和待降温的磁体。氮气通道形成于真空箱的顶部。真空腔为封闭腔室，不与氮气通道连通。氮气通道的底部通过两个以上引流管与氮浴室连通。在氮气通道上设置有出氮孔。铜排穿设于氮气通道内，底端通过电流引线与磁体连接。通过铜排和电流引线向磁体中通入电流，以产生强大的磁场。氮浴室内液氮挥发产生的低温氮气沿着引流管上升至氮气通道内，并通过出氮孔流入壳体内。低温氮气流经铜排和电流引线的表面时，对铜排和电流引线进行降温，避免铜排和电流引线将大量热量引入氮浴室内，减少了液氮的挥发量，降低了液氮的损耗量。通过增设壳体，能够将真空箱与外部环境隔离，避免外部环境与真空箱发生热交换，有利于降低氮浴室内冷量的损失，减少了液氮损耗量。而且，流入低温氮气储存腔内的低温氮气使得低温氮气储存腔内温度远低于外部环境，在真空箱的外周营造低温环境，进一步地有利于降低氮浴室内冷量的损失，减少了磁体降温所消耗的液氮的量。整体上，使得液氮的冷量被充分利用，减少了能源的浪费，降低了运行成本。
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1.一种基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述铜排的至少一侧边形成有换热槽；每侧所述换热槽内等间距地设置有多个换热鳍片。
3.根据权利要求1所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述铜排的顶部贯穿所述壳体的顶部。
4.根据权利要求1至3任一项所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述出氮孔形成于所述氮气通道的顶部的至少一侧。
5.根据权利要求1至3任一项所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述氮气通道的至少一侧壁上形成有氮气路径延长流道。
6.根据权利要求1至3任一项所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述壳体的至少一侧设置有爪式真空泵。
7.根据权利要求1至3任一项所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1至3任一项所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述铜排的至少一侧边形成有换热槽；每侧所述换热槽内等间距地设置有多个换热鳍片。
3.根据权利要求1所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述铜排的顶部贯穿所述壳体的顶部。
4.根据权利要求1至3任一项所述的基于超导磁体的氮冷装置，其特征在于，所述出氮孔形成于所述氮气通道的顶部的至少一侧。...
【专利技术属性】
技术研发人员：马韬，胡磊，戴少涛，伍宇扬，伍锐，刘敬忠，蒋国忠，余俊炜，周光福，李芳昕，
申请(专利权)人：江西联创光电超导应用有限公司，
类型：发明
国别省市：
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