【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是指一种硅片边缘研磨方法和装置。
技术介绍
1、对硅片进行加工的主要流程包括：对硅片进行线切割，对线切割后的硅片进行边缘研磨，对边缘研磨后的硅片进行双面研磨，对双面研磨后的硅片进行刻蚀处理，对刻蚀处理后的硅片进行双面抛光，对双面抛光后的硅片进行清洗处理，得到加工完成的硅片。
2、在上述的对线切割后的硅片进行边缘研磨的工艺中，一般是设定好对硅片进行边缘研磨后的半径，之后获取线切割后的硅片，利用硅片缺口(notch)对硅片进行定位，以硅片原有的圆心作为半径，并根据设定好的对硅片进行边缘研磨后的半径对硅片进行边缘研磨，研磨后对硅片进行清洗和干燥的操作。
3、但是由于在对硅片进行线切割后，靠近硅片边缘处往往会存在一些崩边缺陷，该崩边缺陷按照上述的边缘研磨工艺往往无法完全去除，这导致硅片在后续制程过程中会发生碎片。
4、因此，需要在对硅片进行边缘研磨的过程中，将崩边缺陷研磨掉，以保证后续的硅片的质量，但是按照现有的边缘研磨方式，往往不能有效地研磨掉崩边缺陷，导致该硅片被报废，硅片的良品率低。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种硅片边缘研磨方法和装置，用以解决现有技术中对硅片进行边缘研磨时，无法有效地研磨掉崩边缺陷的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：
3、本专利技术实施例提供一种硅片边缘研磨方法，包括：
4、对经过线切割后的硅片进行检测，得到所述硅片的边缘
5、根据所述崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心；
6、根据所述研磨中心和目标半径，对所述硅片进行边缘研磨，其中，所述目标半径为对所述硅片进行边缘研磨后的硅片半径。
7、一些实施例中，对经过线切割后的硅片进行检测，得到所述硅片的边缘区域的崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，包括：
8、利用激光束在所述线切割后的硅片的表面进行扫描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射强度；
9、根据所述反射强度，得到所述硅片表面上的崩边缺陷的位置信息和尺寸信息。
10、一些实施例中，利用激光束在所述线切割后的硅片的表面进行扫描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射强度，包括：
11、控制所述硅片旋转；
12、在所述硅片旋转过程中，控制所述激光束由所述线切割后的硅片的表面圆心，沿径向方向移动至所述线切割后的硅片的表面边缘，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射强度。
13、一些实施例中，根据所述崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
14、根据所述位置信息和所述尺寸信息，确定所述崩边缺陷上距离所述线切割后的硅片的表面圆心最近的第一位置坐标；
15、根据所述第一位置坐标确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心。
16、一些实施例中，根据所述第一位置坐标确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
17、在所述崩边缺陷的数量为两个的情况下，获取两个所述崩边缺陷中的第一崩边缺陷对应的第一位置坐标和两个所述崩边缺陷中的第二崩边缺陷对应的第一位置坐标；
18、根据所述第一崩边缺陷对应的第一位置坐标和所述线切割后的硅片的表面半径，确定第一预选中心坐标；
19、根据所述第二崩边缺陷对应的第一位置坐标和所述线切割后的硅片的表面半径，确定第二预选中心坐标；
20、根据所述第一预选中心坐标和所述第二预选中心坐标，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心。
21、一些实施例中，根据所述第一位置坐标确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
22、在所述崩边缺陷的数量大于或等于3的情况下，根据所述位置信息和所述尺寸信息，确定所述崩边缺陷中的第三崩边缺陷、第四崩边缺陷和中心崩边缺陷；
23、获取所述第三崩边缺陷对应的第一位置坐标、所述第四崩边缺陷对应的第一位置坐标和所述中心崩边缺陷对应的第一位置坐标；
24、根据所述第三崩边缺陷对应的第一位置坐标、所述第四崩边缺陷对应的第一位置坐标、所述中心崩边缺陷对应的第一位置坐标，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心。
25、一些实施例中，根据所述位置信息和所述尺寸信息，确定所述崩边缺陷中的第三崩边缺陷、第四崩边缺陷和中心崩边缺陷，包括：
26、确定所述崩边缺陷中，沿所述硅片的圆周的顺时针方向上，距离所述硅片的缺口最近的崩边缺陷为所述第三崩边缺陷；
27、确定所述崩边缺陷中，沿所述硅片的圆周的逆时针方向上，距离所述硅片的缺口最近的崩边缺陷为所述第四崩边缺陷；
28、确定所述崩边缺陷中，沿所述硅片的圆周方向上，距离所述硅片的缺口最远的崩边缺陷为所述中心崩边缺陷。
29、一些实施例中，根据所述第三崩边缺陷对应的第一位置坐标、所述第四崩边缺陷对应的第一位置坐标、所述中心崩边缺陷对应的第一位置坐标，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
30、在所述第三崩边缺陷对应的第一位置坐标和所述中心崩边缺陷对应的第一位置坐标之间生成第一线段；
31、在所述第四崩边缺陷对应的第一位置坐标和所述中心崩边缺陷对应的第一位置坐标之间生成第二线段；
32、将所述第一线段的中垂线和所述第二线段的中垂线的交点作为对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心。
33、一些实施例中，根据所述研磨中心和目标半径，对所述硅片进行边缘研磨，包括：
34、根据所述位置信息和所述尺寸信息，确定所述崩边缺陷上距离所述研磨中心最近的第二位置坐标；
35、在所述第二位置坐标与所述研磨中心之间的距离大于所述目标半径的情况下，根据所述研磨中心和目标半径，对所述硅片进行边缘研磨。
36、本专利技术实施例还提供一种硅片边缘研磨装置，包括：
37、第一处理模块，用于对经过线切割后的硅片进行检测，得到所述硅片的边缘区域的崩边缺陷的位置信息和尺寸信息；
38、第一确定模块，用于根据所述崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心；
39、第二处理模块，用于根据所述研磨中心和目标半径，对所述硅片进行边缘研磨，其中，所述目标半径为对所述硅片进行边缘研磨后的硅片半径。
40、本专利技术的实施例具有以下有益效果：
41、本专利技术实施例提供的硅片边缘研磨方法，对经过线切割后的硅片进行检测，得到所述硅片的边缘区域的崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，考虑崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，确定对硅片进行边缘研磨时的研磨中心，该研磨中心并非是切割后的硅片的表面圆心，根据该研磨中心和预先设定对硅片进行研磨后的目标半径，对硅片进行边缘研磨，通过上述方式，可以在边缘研磨的过程中，更加有效地研磨本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种硅片边缘研磨方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对经过线切割后的硅片进行检测，得到所述硅片的边缘区域的崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，利用激光束在所述线切割后的硅片的表面进行扫描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射强度，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述第一位置坐标确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述第一位置坐标确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述位置信息和所述尺寸信息，确定所述崩边缺陷中的第三崩边缺陷、第四崩边缺陷和中心崩边缺陷，包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述第三崩边缺陷对应的第一位置坐标、所述第四崩边缺
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述研磨中心和目标半径，对所述硅片进行边缘研磨，包括：
10.一种硅片边缘研磨装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种硅片边缘研磨方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对经过线切割后的硅片进行检测，得到所述硅片的边缘区域的崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，利用激光束在所述线切割后的硅片的表面进行扫描，得到所述激光束在所述硅片表面的不同位置上的反射强度，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述崩边缺陷的位置信息和尺寸信息，确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述第一位置坐标确定对所述硅片进行边缘研磨的研磨中心，包括：
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘成隆，王诚，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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