【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆处理，尤其涉及一种晶圆处理装置、晶圆处理系统和方法。
技术介绍
1、相关技术中，为了提高空间利用效率并缩短晶圆的处理周期，采用垂直层叠的模块化设计。这种设计允许在紧凑的空间内集成更多的处理单元。然而，在现有的垂直层叠式晶圆处理系统中，往往缺乏有效的解决方案来实现晶圆在不同高度位置之间的高效转移，导致晶圆传输效率低下。因此，亟需一种晶圆处理装置、晶圆处理系统和方法以改善上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶圆处理装置、晶圆处理系统和方法，该装置用于提升晶圆在垂直层叠模块之间的传输效率。
2、第一方面，本专利技术提供一种晶圆处理装置，包括：第一层间机械手、第一层间框架组、第二层间框架组、第一液处理模组和第二液处理模组；所述第一液处理模组和所述第二液处理模组用于对晶圆表面进行不同的液处理工艺；所述第一液处理模组和所述第二液处理模组在竖直方向上层叠设置；所述第一层间框架组与所述第二层间框架组在竖直方向上层叠设置；所述第一层间框架组与所述第一液处理模组的第一侧对接，所述第一层间框架组用于容纳经过所述第一液处理模组处理的晶圆，和经过所述第一液处理模组处理后的晶圆；所述第一侧为所述第一液处理模组的水平侧；所述第一层间框架组内设有按竖直方向依次排列的n个第一层间接口，n为大于1的正整数；同一晶圆第n次进入所述第一层间框架组时，被放置在第n个所述第一层间接口上；所述第二层间框架组与所述第二液处理模组的第一侧对接，所述第二层间框架组用于容纳待所述第二
3、可选的，所述第一层间机械手包括至少一个执行器；所述执行器朝向所述第一层间框架组或所述第二层间框架组；所述执行器用于从所述第一层间接口上拿取晶圆，或将晶圆传送到所述第二层间接口上。
4、可选的，所述第一液处理模组或所述第二液处理模组内设置有涂胶单元、抗反射单元和溶剂旋涂单元中的至少一者；涂胶单元用于在晶圆表面涂覆光刻胶层；抗反射单元用于在晶圆表面涂覆抗反射涂层；溶剂旋涂单元用于在晶圆表面涂覆聚合物溶剂层。
5、可选的，所述第一液处理模组内设有第一液处理机械手、所述抗反射单元和所述溶剂旋涂单元；所述第二液处理模组内设有第二液处理机械手和所述涂胶单元；所述第一层间机械手用于将所述第一层间接口上的晶圆传送至所述第二层间接口。
6、可选的，还包括：第一热处理模组和/或第二热处理模组；第一热处理模组设于所述第一层间框架组远离所述第一液处理模组的一侧；第二热处理模组设于所述第二层间框架组远离所述第二液处理模组的一侧；第一热处理模组和第二热处理模组用于根据不同的加热参数对晶圆加热处理；加热参数包括加热温度和加热时间。
7、可选的，所述第一层间框架组和/或所述第二层间框架组内还设有冷却单元；所述冷却单元设置于至少一个第一层间接口的上表面和/或至少一个第二层间接口的上表面；所冷却单元与晶圆接触时用于吸收晶圆的热量。
8、可选的，所述第一热处理模组或所述第二热处理模组内设置有光刻胶烘烤单元、抗反射涂层烘烤单元和溶剂烘烤单元中的至少一者；光刻胶烘烤单元用于烘烤晶圆表面的光刻胶层，以使所述光刻胶层固化；抗反射涂层烘烤单元用于烘烤晶圆表面的抗反射涂层，以使所述抗反射涂层固化；溶剂烘烤单元用于烘烤晶圆表面的聚合物溶剂层，以使所述聚合物溶剂化层固化。
9、可选的，所述第一热处理模组或所述第二热处理模组内还设有边缘曝光单元；所述边缘曝光单元用于对晶圆的正面边缘进行曝光处理，以使晶圆表面的聚合物溶剂层边缘易于脱离。
10、可选的，还包括控制单元，所述控制单元用于控制所述第一层间机械手的工作状态为启用状态或禁用状态；当所述第一层间机械手的工作状态为禁用状态时，所述控制单元用于控制所述第一层间机械手移动至初始位置，所述初始位置设于所述第一层间框架组和第二层间框架组的外侧。
11、可选的，所述第一层间框架组和所述第二层间框架组一体设置为层间接口塔，或所述第一层间框架组与所述第二层间框架组可拆卸连接。
12、第二方面，本专利技术提供一种晶圆处理系统，包括第一方面中任一项所述的晶圆处理装置，还包括片盒模块；所述片盒模块包括进出站机械手、第三层间框架组和第四层间框架组；所述第三层间框架组与所述第四层间框架组在竖直方向上层叠设置；所述第三层间框架组与所述第一液处理模组的第二侧对接，所述第三层间框架组用于容纳待所述第一液处理模组处理的晶圆；所述第二侧为所述第一液处理模组的水平侧，所述第二侧与所述第一侧互为对侧；所述第三层间框架组内设有至少两个第三层间接口；至少两个所述第三层间接口按竖直方向依次排列，所述第三层间接口的排列顺序与同一晶圆进入所述第三层间框架组的顺序一致；所述第四层间框架组与所述第二液处理模组的第二侧对接，所述第四层间框架组用于容纳经过所述第二液处理模组处理的晶圆；所述第四层间框架组内设有至少两个第四层间接口；所述第二层间机械手用于将所述总接口上的晶圆传送至所述第三层间接口上；所述进出站机械手用于拿取所述第三层间接口上的晶圆。
13、可选的，还包括：总接口、片盒机械手、第一装载接口和第二装载接口；所述第一装载接口用于装载未经过处理的晶圆，所述第二装载接口用于装载已经过处理的晶圆；所述进出站机械手用于将所述第一装载接口上的晶圆传送至所述总接口上；所述进出站机械手还用于将所述第四层间接口上的晶圆传送至所述第二装载接口上；所述片盒机械手用于将天车上的晶圆传送到所述第一装载接口上；所述片盒机械手还用于将第二装载接口上的晶圆传送到天车上。
14、可选的，还包括增粘单元，所述增粘单元用于在加热环境下对晶圆表面喷施增粘剂；所述第二层间机械手用于将所述总接口上的晶圆传送至所述增粘单元；所述第二层间机械手还用于将所述增粘单元中的晶圆传送至所述第三层间框架组。
15、第三方面，本专利技术提供一种晶圆处理方法，用于控制所述第一方面中任一项所述的装置，包括：获取所述第一层间机械手的工作状态，所述工作状态包括启用状态；当所述第一层间机械手的工作状态为启用状态时，控制所述第一层间机械手将所述第一层间接口上的晶圆传送至所述第二层间接口；或将所述第二层间接口上的晶圆传送至所述第一层间接口。
16、可选的，所述工作状态还包括禁用状态，所述方法，还包括：当所述第一层间机械手的工作状态为禁用状态时，所述控制单元用于控制所述第一层间机械手移动至初始位置，所述初始位置设于所述第一层间框架组和第二层间框架组的外侧。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：通过将第一液处理模组和第二液处理模组本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：第一层间机械手、第一层间框架组、第二层间框架组、第一液处理模组和第二液处理模组；
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一液处理模组或所述第二液处理模组内设置有涂胶单元、抗反射单元和溶剂旋涂单元中的至少一者；
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一液处理模组内设有第一液处理机械手、所述抗反射单元和所述溶剂旋涂单元；所述第二液处理模组内设有第二液处理机械手和所述涂胶单元；
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：第一热处理模组和/或第二热处理模组；
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一层间框架组和/或所述第二层间框架组内还设有冷却单元；
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一热处理模组或所述第二热处理模组内设置有光刻胶烘烤单元、抗反射涂层烘烤单元和溶剂烘烤单元中的至少一者；
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一热处理模组或所述第二热处理模组内还设
9.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元用于控制所述第一层间机械手的工作状态为启用状态或禁用状态；
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一层间框架组和所述第二层间框架组一体设置为层间接口塔，或所述第一层间框架组与所述第二层间框架组可拆卸连接。
11.一种晶圆处理系统，包括所述权利要求1至10中任一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括片盒模块；
12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，还包括：总接口、片盒机械手、第一装载接口和第二装载接口；
13.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，还包括增粘单元，所述增粘单元用于在加热环境下对晶圆表面喷施增粘剂；
14.一种晶圆处理方法，用于控制所述权利要求1至10中任一项所述的装置，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述工作状态还包括禁用状态，所述方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：第一层间机械手、第一层间框架组、第二层间框架组、第一液处理模组和第二液处理模组；
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一液处理模组或所述第二液处理模组内设置有涂胶单元、抗反射单元和溶剂旋涂单元中的至少一者；
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一液处理模组内设有第一液处理机械手、所述抗反射单元和所述溶剂旋涂单元；所述第二液处理模组内设有第二液处理机械手和所述涂胶单元；
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：第一热处理模组和/或第二热处理模组；
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一层间框架组和/或所述第二层间框架组内还设有冷却单元；
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一热处理模组或所述第二热处理模组内设置有光刻胶烘烤单元、抗反射涂层烘烤单元和溶剂烘烤单元中的至少一者；
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张建，王超群，陈兴隆，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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