一种绝缘分立器件的封装结构制造技术

本技术公开了一种绝缘分立器件的封装结构，属于半导体分立器件技术领域；包括塑封外壳，塑封外壳内包覆有，金属散热板，金属散热板上设有芯片，金属散热板的一端设有金属引脚，金属引脚远离金属散热板的一端伸出塑封外壳。上述技术方案的有益效果是：由于采用以上技术方案，分立器件的背面绝缘，无需增加绝缘垫片，节省了生产成本和操作环节，提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体分立器件，尤其涉及一种绝缘分立器件的封装结构。

技术介绍

1、目前，市面上igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极晶体管)的分立器件在使用时，因分立器件背面外露与内部不绝缘，即背面导电，使得客户在安装的时候需要使用绝缘垫片，导致材料成本增加，同时增加了工序，最终增加了整机生产环节和生产成本，影响了生产效率。

技术实现思路

1、本技术的目的在于，提供一种绝缘分立器件的封装结构，解决以上技术问题；

2、一种绝缘分立器件的封装结构，包括，

3、塑封外壳，所述塑封外壳内包覆有，

4、金属散热板，所述金属散热板上设有芯片，所述金属散热板的一端设有金属引脚，所述金属引脚远离所述金属散热板的一端伸出所述塑封外壳。

5、优选地，所述塑封外壳的形状为长方形，所述塑封外壳的长为20mm～30mm，所述塑封外壳的宽为10mm～20mm，所述塑封外壳的厚度为2mm～7mm；

6、所述金属散热板的尺寸小于所述塑封外壳的尺寸。

7、优选地，所述芯片为绝缘栅双极晶体管、场效应管、二极管以及晶闸管中的至少一个。

8、优选地，所述金属引脚的数目为2～4，所述金属引脚之间的间隙为1mm～10mm，所述金属引脚的宽为0.5mm～3mm，所述金属引脚的厚度为0.4mm～1mm。

9、优选地，所述塑封外壳在长度方向上包括第一凸台、连接部以及第二凸台；

10、所述连接部包括第一连接部和第二连接部，所述第一连接部位于所述第二连接部的上方。

11、优选地，所述第一连接部的斜边、所述第二连接部的斜边以及所述第二凸台的斜边的倾斜角度为4°～20°。

12、优选地，所述第一凸台的厚度、所述第二连接部的厚度以及所述第二凸台的厚度为2mm～5mm。

13、优选地，所述第一凸台的长度为8mm～15mm、所述第一连接部的长度为10mm～20mm，所述第二凸台的长度为3mm～8mm，所述第二凸台的宽度为1mm～4mm。

14、优选地，所述塑封外壳与所述金属散热板之间的距离为0.2mm～1mm。

15、优选地，所述塑封外壳上设有用于散热的圆孔，所述圆孔的直径为2mm～5mm。

16、本技术的有益效果是：由于采用以上技术方案，分立器件的背面绝缘，无需增加绝缘垫片，节省了生产成本和操作环节，提高了生产效率。

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【技术保护点】

1.一种绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述塑封外壳(1)的形状为长方形，所述塑封外壳(1)的长为20mm～30mm，所述塑封外壳(1)的宽为10mm～20mm，所述塑封外壳(1)的厚度为2mm～7mm；

3.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述芯片(5)为绝缘栅双极晶体管、场效应管、二极管以及晶闸管中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述金属引脚(3)的数目为2～4，所述金属引脚(3)之间的间隙为1mm～10mm，所述金属引脚(3)的宽为0.5mm～3mm，所述金属引脚(3)的厚度为0.4mm～1mm。

5.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述第一连接部(13)的斜边、所述第二连接部(14)的斜边以及所述第二凸台(12)的斜边的倾斜角度为4°～20°。

6.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述第一凸台(11)的厚度、所述第二连接部(14)的厚度以及所述第二凸台(12)的厚度为2mm～5mm。

7.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述第一凸台(11)的长度为8mm～15mm、所述第一连接部(13)的长度为10mm～20mm，所述第二凸台(12)的长度为3mm～8mm，所述第二凸台(12)的宽度为1mm～4mm。

8.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述塑封外壳(1)与所述金属散热板(2)之间的距离为0.2mm～1mm。

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【技术特征摘要】

1.一种绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述塑封外壳(1)的形状为长方形，所述塑封外壳(1)的长为20mm～30mm，所述塑封外壳(1)的宽为10mm～20mm，所述塑封外壳(1)的厚度为2mm～7mm；

3.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述芯片(5)为绝缘栅双极晶体管、场效应管、二极管以及晶闸管中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的绝缘分立器件的封装结构，其特征在于，所述金属引脚(3)的数目为2～4，所述金属引脚(3)之间的间隙为1mm～10mm，所述金属引脚(3)的宽为0.5mm～3mm，所述金属引脚(3)的厚度为0.4mm～1mm。

5.根据权利要求1所述的绝缘分...

【专利技术属性】
技术研发人员：田哲伟，
申请(专利权)人：浙江谷蓝电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：