System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 单位放大电路、放大器和接收电路制造技术_技高网

单位放大电路、放大器和接收电路制造技术

技术编号:44514950 阅读:0 留言:0更新日期:2025-03-07 13:10
提供了单位放大电路、放大器和接收电路。单位放大电路包括推挽电路、对称电路和路径控制电路,该推挽电路具有晶体管,该晶体管具有连接到输入端子的栅极,该对称电路对称地连接到推挽电路并且被配置为在第一运行模式下被关断并且在第二运行模式下被导通,该路径控制电路连接到晶体管的漏极并且被配置为在第一运行模式下将晶体管的漏极和输出端子连接并且在第二运行模式下将晶体管的漏极和输出端子断开。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及单位放大电路、放大器和接收电路


技术介绍

1、支持包括wi-fi和蓝牙(bluetooth)的无线通信技术的电子设备可以配备有射频集成芯片(radio-frequency integrated chip,rfic)。rfic可以包括用于发送rf信号的发送电路和用于接收rf信号的接收电路。例如,接收电路的功耗可能对电子设备的整体功耗具有显著影响。因此,可能需要rfic接收电路的低功率设计来降低电子设备的电池消耗并增加使用天数(day-of-usage,dou)。


技术实现思路

1、示例实施例提供了一种具有改进的放大相关特性的单位放大电路、放大器和接收电路。

2、根据示例实施例,单位放大电路包括:推挽电路,所述推挽电路具有晶体管,所述晶体管具有连接到输入端子的栅极;对称电路,所述对称电路对称地连接到所述推挽电路并且被配置为在第一运行模式下被关断并且在第二运行模式下被导通;以及路径控制电路,所述路径控制电路连接到所述晶体管的漏极,并且被配置为在所述第一运行模式下将所述晶体管的所述漏极和输出端子连接并在所述第二运行模式下将所述晶体管的所述漏极和所述输出端子断开。

3、根据示例实施例,放大器包括多个单位放大电路,所述多个单位放大电路各自被配置为在第一运行模式下以各自增益运行且在第二运行模式下以不同的各自增益运行。多个单位放大电路中的每一者可以包括:推挽电路,所述推挽电路具有晶体管,所述晶体管具有连接到输入端子的栅极;对称电路,所述对称电路对称地连接到所述推挽电路并且被配置为在所述第一运行模式下被关断并且在所述第二运行模式下被导通;以及路径控制电路,所述路径控制电路连接到所述晶体管的漏极,并且被配置为在所述第一运行模式下将所述晶体管的所述漏极和输出端子连接并在所述第二运行模式下将所述晶体管的所述漏极从所述输出端子断开。

4、根据示例实施例,接收电路包括:放大器,所述放大器被配置为通过多个单位放大电路放大接收信号,所述多个单位放大电路各自被配置为在第一运行模式下以各自增益运行且在第二运行模式下以不同的各自增益运行;混频器,所述混频器被配置为通过本地振荡器(local oscillator,lo)信号将所述接收信号转换为基带信号;以及模拟基带滤波器,所述模拟基带滤波器被配置为对所述基带信号进行滤波。所述多个单位放大电路中的每一者可以包括:推挽电路,所述推挽电路具有晶体管,所述晶体管具有被施加所述接收信号的栅极;对称电路,所述对称电路对称地连接到所述推挽电路并且被配置为在所述第一运行模式下被关断并且在所述第二运行模式下被导通;以及路径控制电路,所述路径控制电路连接到所述晶体管的漏极,并且被配置为在所述第一运行模式下将所述晶体管的所述漏极和所述混频器连接并在所述第二运行模式下将所述晶体管的所述漏极和所述混频器断开。

5、根据示例实施例,单位放大电路被配置为以放大模式和停用模式运行。该单位放大电路包括:推挽电路,所述推挽电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管各自具有交流(ac)耦合到输入端子的栅极,并且具有一对导电端子;对称电路,该对称电路对称地连接到所述推挽电路并且被配置为在所述放大模式下被关断并且在所述停用模式下被导通;以及路径控制电路,所述路径控制电路连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管并且被配置为在所述放大模式下闭合所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一者的所述一对导电端子中的一个导电端子与输出端子之间的相应电路路径,并且在所述停用模式下断开所述相应电路路径。

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【技术保护点】

1.一种单位放大电路,所述单位放大电路包括:

2.根据权利要求1所述的单位放大电路,其中,

3.根据权利要求2所述的单位放大电路,其中,

4.根据权利要求3所述的单位放大电路,其中,在所述第二运行模式下,所述对称电路被配置为:将所述第一N型晶体管的漏极接地,并将所述第一P型晶体管的漏极连接到所述电源电压。

5.根据权利要求3所述的单位放大电路,其中,

6.根据权利要求1所述的单位放大电路,所述单位放大电路还包括:

7.根据权利要求6所述的单位放大电路,其中,

8.根据权利要求6所述的单位放大电路,所述单位放大电路还包括:

9.根据权利要求8所述的单位放大电路,其中,

10.根据权利要求1所述的单位放大电路,其中,所述推挽电路被配置为:在所述第一运行模式下放大被施加到所述输入端子的输入信号并且将被放大的信号输出到所述输出端子,并且在所述第二运行模式下被停用。

11.一种放大器,所述放大器包括:

12.根据权利要求11所述的放大器,其中,所述输入端子和所述输出端子共同连接到所述多个单位放大电路。

13.根据权利要求11所述的放大器,其中,所述多个单位放大电路中的每一者被配置为:在所述第一运行模式下,放大被施加到所述输入端子的输入信号,并且将被放大的信号输出到所述输出端子。

14.根据权利要求11所述的放大器,所述放大器还包括:

15.根据权利要求11所述的放大器,其中,

16.根据权利要求15所述的放大器,其中,

17.根据权利要求11所述的放大器,其中,

18.一种接收电路,所述接收电路包括:

19.根据权利要求18所述的接收电路,其中,

20.根据权利要求19所述的接收电路,其中,

...

【技术特征摘要】

1.一种单位放大电路,所述单位放大电路包括:

2.根据权利要求1所述的单位放大电路,其中,

3.根据权利要求2所述的单位放大电路,其中,

4.根据权利要求3所述的单位放大电路,其中,在所述第二运行模式下,所述对称电路被配置为:将所述第一n型晶体管的漏极接地,并将所述第一p型晶体管的漏极连接到所述电源电压。

5.根据权利要求3所述的单位放大电路,其中,

6.根据权利要求1所述的单位放大电路,所述单位放大电路还包括:

7.根据权利要求6所述的单位放大电路,其中,

8.根据权利要求6所述的单位放大电路,所述单位放大电路还包括:

9.根据权利要求8所述的单位放大电路,其中,

10.根据权利要求1所述的单位放大电路,其中,所述推挽电路被配置为:在所述第一运行模式下放大被施加到所述输入端子的输入信号并且将被放大...

【专利技术属性】
技术研发人员:俞熙勇朴范裕姜棅中裵廷烈徐辅成刘相珉李钟洙
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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