System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 薄膜材料击穿测试区域筛选方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸_技高网

薄膜材料击穿测试区域筛选方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:44514074 阅读:0 留言:0更新日期:2025-03-07 13:09
本发明专利技术涉及绝缘介质脉冲击穿性能测试技术领域,公开了薄膜材料击穿测试区域筛选方法、装置、设备及存储介质,该方法包括:将薄膜材料划分为多个待测区域,并计算每个待测区域在脉冲电场下对应的含时脉冲介电常数;基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数,并基于每个待测区域的权重系数计算均权重系数;基于每个待测区域的权重系数与均权重系数计算每个待测区域的偏离度,并基于偏离度与偏离度因子的关系将每个待测区域确定为缺陷区域或正常区域;将确定为正常区域的待测区域作为脉冲高电压击穿测试区域,本发明专利技术实现了非破坏性方法预先评估高电压击穿测试所需要薄膜材料的几何区域,保证无损检测,节省了材料成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及绝缘介质脉冲击穿性能测试,具体涉及薄膜材料击穿测试区域筛选方法、装置、设备及存储介质


技术介绍

1、在电力行业应用中,聚合物薄膜在运行环境下通常需要耐受强电场,强电场导致绝缘击穿是造成电力器件、装置及设备失效乃至破坏的重要因素。目前对于聚合物薄膜绝缘击穿所需样品几何尺寸的选取均采用后评估方法,即通过高电压击穿测试结果反推需要选择的几何尺寸。然而,高电压击穿是一个破坏性测试,会造成介质薄膜不可逆的损伤,浪费材料并提高测试成本。因此,需要通过非破坏性方法预先评估高电压击穿测试所需要的几何尺寸区域。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供了一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法、装置、设备及存储介质,以解决破坏性测试造成介质薄膜不可逆的损伤,浪费材料和增大测试成本的问题。

2、第一方面,本专利技术提供了一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法,该方法包括:

3、将薄膜材料划分为多个待测区域,并计算每个待测区域在脉冲电场下对应的含时脉冲介电常数;

4、基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数,并基于每个待测区域的权重系数计算均权重系数;

5、基于每个待测区域的权重系数与均权重系数计算每个待测区域的偏离度,并基于偏离度与偏离度因子的关系将每个待测区域确定为缺陷区域或正常区域;将确定为正常区域的待测区域作为脉冲高电压击穿测试区域。

6、本专利技术提供的一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法,将薄膜材料划分为多个待测区域,并计算每个待测区域在脉冲电场下对应的含时脉冲介电常数,并基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数;基于每个待测区域的权重系数计算均权重系数;基于每个待测区域的权重系数与均权重系数计算每个待测区域的偏离度,从而根据偏离度与偏离度因子的关系将每个待测区域确定为缺陷区域或正常区域;最终将确定为正常区域的待测区域作为脉冲高电压击穿测试区域,实现了非破坏性方法预先评估高电压击穿测试所需要薄膜材料的几何区域,保证无损检测,节省了材料成本,解决了破坏性测试造成介质薄膜不可逆的损伤,浪费材料和增大测试成本的问题。

7、在一种可选的实施方式中,计算每个待测区域在脉冲电场下对应的含时脉冲介电常数,包括:

8、获取薄膜材料的厚度、每个待测区域的长和宽;

9、计算每个待测区域单位面积的脉冲电场下的注入电流;

10、基于注入电流、薄膜材料的厚度、每个待测区域的长和宽计算对应的含时脉冲介电常数。

11、本专利技术提供的一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法,通过对每个待测区域含时脉冲介电常数的计算,实现了通过测试薄膜的含时脉冲介电常数可以获得特定电场强度下薄膜材料几何尺寸的大小的目的,在利用含时脉冲介电常数测试时不会破坏薄膜材料,也不会产生电弧,还不会产生高温降解薄膜材料,更不会造成应力破坏薄膜材料以及其他不利于薄膜材料性能的负面效应。

12、在一种可选的实施方式中,在基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数之前,薄膜材料击穿测试区域筛选方法还包括:

13、为每个待测区域标记编号,编号包括行号和列号。

14、在一种可选的实施方式中,基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数,包括:

15、获取薄膜材料的总长、总宽、稳态介电常数,待测区域的行号和列号以及脉冲持续时间、脉冲起始时间以及脉冲结束时间;

16、基于薄膜材料的总长、总宽、稳态介电常数,待测区域的行号和列号以及脉冲持续时间、脉冲起始时间以及脉冲结束时间计算每个待测区域的权重系数。

17、本专利技术提供的一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法,通过计算每个待测区域的权重系数,可以提取出薄膜材料中正常区域和缺陷区域的介电常数特征,为后续计算偏离度提供了条件。

18、在一种可选的实施方式中,基于每个待测区域的权重系数计算均权重系数,包括:

19、将所有待测区域的权重系数平方值累加求和后得到权重系数和值;

20、计算权重系数和值的开方值与待测区域数量的比值得到均权重系数。

21、在一种可选的实施方式中,基于每个待测区域的权重系数与均权重系数计算每个待测区域的偏离度,包括:

22、将每个待测区域的权重系数与含时介电常数积分值相乘后得到第一加权值;

23、将稳态介电常数与均权重系数相乘获得第二加权值;

24、计算第一加权值与第二加权值的比值;

25、计算预设常数与比值的差值得到每个待测区域的偏离度。

26、在一种可选的实施方式中,薄膜材料击穿测试区域筛选方法还包括:

27、剔除薄膜材料的缺陷区域,并调整薄膜材料待测区域的划分数量和几何面积。

28、本专利技术提供的一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法,基于每个待测区域的权重系数与均权重系数计算每个待测区域的偏离度,实现了对薄膜材料缺陷区域和正常区域的划分,剔除薄膜材料的缺陷区域,并调整薄膜材料待测区域的划分数量和几何面积后可进一步节省薄膜材料的几何尺寸,节省了材料成本。

29、第二方面,本专利技术提供了一种薄膜材料击穿测试区域筛选装置,该装置包括:

30、区域划分及含时脉冲介电常数计算模块,用于将薄膜材料划分为多个待测区域,并计算每个待测区域在脉冲电场下对应的含时脉冲介电常数;

31、权重系数计算模块,用于基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数,并基于每个待测区域的权重系数计算均权重系数;

32、偏离度计算及区域判定模块,用于基于每个待测区域的权重系数与均权重系数计算每个待测区域的偏离度,并基于偏离度与偏离度因子的关系将每个待测区域确定为缺陷区域或正常区域;

33、击穿测试区域确定模块,用于将确定为正常区域的待测区域作为脉冲高电压击穿测试区域。

34、第三方面,本专利技术提供了一种计算机设备,包括:存储器和处理器,存储器和处理器之间互相通信连接,存储器中存储有计算机指令,处理器通过执行计算机指令,从而执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的薄膜材料击穿测试区域筛选方法。

35、第四方面,本专利技术提供了一种计算机可读存储介质,该计算机可读存储介质上存储有计算机指令,计算机指令用于使计算机执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的薄膜材料击穿测试区域筛选方法。

36、第五方面,本专利技术提供了一种计算机程序产品,包括计算机指令,计算机指令用于使计算机执行上述第一方面或其对应的任一实施方式的薄膜材料击穿测试区域筛选方法。

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【技术保护点】

1.一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算每个待测区域在脉冲电场下对应的含时脉冲介电常数,包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数之前,所述方法还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数,包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于每个待测区域的权重系数计算均权重系数,包括:

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述基于每个待测区域的权重系数与均权重系数计算每个待测区域的偏离度,包括:

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

8.一种薄膜材料击穿测试区域筛选装置,其特征在于,所述装置包括:

9.一种计算机设备,其特征在于,包括:

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机指令,所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1至7中任一项所述的薄膜材料击穿测试区域筛选方法。

...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜材料击穿测试区域筛选方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算每个待测区域在脉冲电场下对应的含时脉冲介电常数,包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数之前,所述方法还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述基于每个含时脉冲介电常数计算每个待测区域的权重系数,包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于每个待测区域的权重系数计算均权重...

【专利技术属性】
技术研发人员:张传升邵涛
申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
类型:发明
国别省市:

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