一种射频多工器及电子设备制造技术

技术编号:44513584 阅读:0 留言:0更新日期:2025-03-07 13:09
本技术公开了一种射频多工器及电子设备,涉及声学滤波器技术领域。应用本技术提供的射频多工器,将带通网络和带阻网络相结合,且带阻网络由靠近TX/RX端口的第三压电谐振器和第四压电谐振器组成,带阻网络形成的陷波设置在需要隔离的频段范围,能够在提高隔离的同时保证插损,无需使用绕线电感就可以抑制多次谐波,从而提高了射频芯片的集成度,降低设计难度,降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及声学滤波器,尤其涉及一种射频多工器及电子设备


技术介绍

1、隔离度是指两个等效的带阻滤波器的阻带衰减量,其可以使得接收频率和发射频率之间不对对方产生互调干扰。较高的隔离度能够满足双工器的性能,是其设计最为重要的指标之一。除此之外,还有插入损耗、可靠性等指标衡量双工器的性能参数。

2、为了在尽量不影响插入损耗的情况下,改善双工器的隔离度,一些方法中会在基板的金属层中构建无源器件,实现匹配功能,这样可以带来更好的隔离度。但是在使用多层基板构建匹配电路时,对于一些工作频段而言,若不同时使用谐波抑制电路,会造成多次谐波干扰,于是为了抑制高次谐波,需要同时使用谐波抑制电路,也就是必须在基板上使用绕线电感,造成芯片集成的难度增大,并增加设计时间和制造成本;若不使用基板构建匹配电路,隔离度又会受到较大的影响。

3、因此,如何在实现高隔离低插损、抑制多次谐波的同时,提高双工器的集成度,并尽量不影响插损,成为本技术方案所要解决的关键问题。


技术实现思路

1、为了解决
技术介绍
中提到的至少一个技术问题,本技术的目的在于提供一种射频多工器及电子设备,可以在实现高隔离低插损、抑制多次谐波的同时,提高射频芯片的集成度,降低设计难度,降低制造成本。

2、为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:

3、第一方面,本技术实施例提供了一种射频多工器,包括至少两条通路,各条通路的第一端连接为公共端,各条通路的第二端彼此分离;

4、所述任意一条通路包括串联于第一端和第二端之间的至少一个第一压电谐振器,所述第一压电谐振器的至少一端通过至少一个第二压电谐振器接地;还包括

5、至少一个与第一压电谐振器串联的第三压电谐振器,所述第三压电谐振器靠近所述第二端,和将所述第三压电谐振器的一端接地的至少一个第四压电谐振器;

6、其中,所述第一压电谐振器和所述第二压电谐振器组成的带通网络的通带范围被配置为第一频段;

7、所述第三压电谐振器和所述第四压电谐振器组成的带阻网络的阻带范围被配置为至少覆盖其他任意一条通路的通带范围的第一隔离频段;

8、所述第一频段与所述第一隔离频段没有交集。

9、进一步的,至少一个所述第一压电谐振器的谐振频率被配置为靠近所述第一频段的上截止频率,至少一个所述第二压电谐振器的反谐振频率被配置为靠近所述第一频段的下截止频率。

10、进一步的,至少一个所述第三压电谐振器的反谐振频率被配置为靠近所述第一隔离频段的下截止频率,至少一个所述第四压电谐振器的谐振频率被配置为靠近所述第一隔离频段的上截止频率。

11、进一步的,所述至少两条通路中包括第一通路和第二通路;其中,所述第一通路用于发射信号,所述第二通路用于接收信号。

12、进一步的,在所述第一通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第一端;

13、在所述第二通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第一端。

14、进一步的,在所述第一通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第二端;

15、在所述第二通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第一端。

16、进一步的,在所述第一通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第一端;

17、在所述第二通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第二端。

18、进一步的,在所述第一通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第二端;

19、在所述第二通路中,所述第四压电谐振器连接在所述第三压电谐振器的第二端。

20、进一步的,所述第一压电谐振器、所述第二压电谐振器、所述第三压电谐振器、所述第四压电谐振器包括saw、baw中的至少一种。

21、第二方面,本技术实施例还提供了一种电子设备,包括上述任一种射频多工器。

22、与现有技术相比,本技术的有益效果是:应用本技术提供的射频多工器,将带通网络和带阻网络相结合,且带阻网络由靠近tx/rx端口的第三压电谐振器和第四压电谐振器组成,带阻网络形成的陷波设置在需要隔离的频段范围,能够在提高隔离的同时保证插损,无需使用绕线电感就可以抑制多次谐波,从而提高了射频芯片的集成度,降低设计难度,降低制造成本。

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【技术保护点】

1.一种射频多工器,其特征在于,包括至少两条通路,各条通路的第一端连接为公共端,各条通路的第二端彼此分离;

2.根据权利要求1所述的射频多工器,其特征在于,至少一个所述第一压电谐振器的谐振频率被配置为靠近所述第一频段的上截止频率,至少一个所述第二压电谐振器的反谐振频率被配置为靠近所述第一频段的下截止频率。

3.根据权利要求1所述的射频多工器,其特征在于,至少一个所述第三压电谐振器的反谐振频率被配置为靠近所述第一隔离频段的下截止频率,至少一个所述第四压电谐振器的谐振频率被配置为靠近所述第一隔离频段的上截止频率。

4.根据权利要求1所述的射频多工器,其特征在于,所述至少两条通路中包括第一通路和第二通路;其中,所述第一通路用于发射信号,所述第二通路用于接收信号。

5.根据权利要求4所述的射频多工器,其特征在于,

6.根据权利要求4所述的射频多工器,其特征在于,

7.根据权利要求4所述的射频多工器,其特征在于,

8.根据权利要求4所述的射频多工器,其特征在于,

9.根据权利要求1所述的射频多工器,其特征在于,所述第一压电谐振器、所述第二压电谐振器、所述第三压电谐振器、所述第四压电谐振器包括SAW、BAW中的至少一种。

10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-9任意一项所述的射频多工器。

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【技术特征摘要】

1.一种射频多工器,其特征在于,包括至少两条通路,各条通路的第一端连接为公共端,各条通路的第二端彼此分离;

2.根据权利要求1所述的射频多工器,其特征在于,至少一个所述第一压电谐振器的谐振频率被配置为靠近所述第一频段的上截止频率,至少一个所述第二压电谐振器的反谐振频率被配置为靠近所述第一频段的下截止频率。

3.根据权利要求1所述的射频多工器,其特征在于,至少一个所述第三压电谐振器的反谐振频率被配置为靠近所述第一隔离频段的下截止频率,至少一个所述第四压电谐振器的谐振频率被配置为靠近所述第一隔离频段的上截止频率。

4.根据权利要求1所述的射频多工器,其特征在于,所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员:路晓明高安明姜伟
申请(专利权)人:浙江星曜半导体有限公司
类型:新型
国别省市:

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