【技术实现步骤摘要】
本申请涉及硅片表面检测，尤其涉及线切割损伤深度的测量方法及系统。
技术介绍
1、在半导体制造领域，硅片质量直接影响后续的芯片制造工艺和最终产品的性能。在线切割工艺中，例如使用金刚线、砂浆线等进行硅片的切割。尽管这些线切割技术具有效率高、加工精度高等优点，但在切割过程中会对硅片表面产生损伤，这些损伤会影响硅片性能，进而影响到整个半导体器件的可靠性和使用寿命。因此，需要对线切割的损伤深度进行定量测量。相关的线切割评价方法大多集中于其形貌，虽然对损伤深度也有涉及，但往往因其评价规范不明确而使数据偏差较大，原因主要是因为：外表面与损伤区的交界线难以判断；损伤终止线判断无统一标准；研究者忽略了线痕方向的重要性。
2、基于此，本申请提供了线切割损伤深度的测量方法及系统，以改进相关技术。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供线切割损伤深度的测量方法及系统，准确测量硅片在线切割后的损伤深度。
2、本申请的目的采用以下技术方案实现：
3、第一方面，本申请提供了一种线切割损伤深度的测量方法，用于测量硅片在线切割后的损伤深度，所述方法包括：确定所述硅片的外表面与损伤区的过渡区；所述过渡区的上界线和下界线相互平行，所述上界线和所述下界线根据线痕方向和损伤点的位置信息确定；构建平行于所述上界线且平分所述过渡区的分界线；过所述损伤区中的倒数第n个损伤点，构建平行于所述分界线的损伤终止线；n为正整数；测量所述分界线与所述损伤终止线之间的距离，作为所述硅片的损伤深度。
...【技术保护点】
1.一种线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，用于测量硅片在线切割后的损伤深度，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述线切割为金刚线线切割；
3.根据权利要求2所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述第一目标角度的取值范围为35度～55度。
4.根据权利要求2所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述过渡区中的线痕终止点的数量与线痕终止点的总数量的比值为第一目标比值；
5.根据权利要求1所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述线切割为砂浆线线切割或者结构线线切割；
6.根据权利要求5所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述第二目标角度的取值范围为80度～90度。
7.根据权利要求5所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述过渡区中的损伤点的数量与损伤点的总数量的比值为第二目标比值；
8.一种线切割损伤深度的测量系统，其特征在于，用于测量硅片在线切割后的损伤深度，所述系统包括控制模块，所述控制模块用于执行权利要求1至7中
...【技术特征摘要】
1.一种线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，用于测量硅片在线切割后的损伤深度，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述线切割为金刚线线切割；
3.根据权利要求2所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述第一目标角度的取值范围为35度～55度。
4.根据权利要求2所述的线切割损伤深度的测量方法，其特征在于，所述过渡区中的线痕终止点的数量与线痕终止点的总数量的比值为第一目标比值；
5.根据权利要求1所述的线切...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹永鑫，李梓伦，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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