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带抗静电层的脱模薄膜制造技术

技术编号:44510109 阅读:3 留言:0更新日期:2025-03-07 13:07
课题为提供一种优异的陶瓷生片制造用脱模薄膜,其即使在使陶瓷生片薄膜化的情况下,也能够兼顾防止针孔、局部的厚度偏差等以及减少退卷带电。一种带抗静电层的脱模薄膜,其具备:基材、在基材的一个面上隔着第1功能层而设置的抗静电层、以及在前述基材的另一个面侧设置的脱模层,抗静电层为由包含抗静电剂和热固化型粘结剂树脂的抗静电层形成用组合物形成的层,抗静电剂包含导电性高分子,设置有抗静电层的一侧的表面电阻率(logΩ/□)为3以上且10以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种陶瓷生片制造用脱模薄膜。更详细而言,涉及即使在使陶瓷生片等树脂片薄膜化的情况下,也能够具备抑制针孔的产生、防止局部的厚度偏差等、减少退卷带电的全部特点的带抗静电层的脱模薄膜。特别涉及用于制造陶瓷生片的脱模薄膜。


技术介绍

1、通常,在层叠陶瓷电容器的制造工序中,一般在脱模薄膜上成型陶瓷浆料等,暂时设为卷状态而进入下一工序。近年来,随着陶瓷生片的薄膜化的发展,不仅脱模层表面的平滑性受到关注,而且由于以卷状态与陶瓷生片接触,因此脱模薄膜背面(将与脱模层相反的一侧称为脱模薄膜背面)的平滑性也受到关注。

2、另一方面,表面平滑性高的脱模薄膜在卷取成卷状时产生粘连,容易引起在卷放出时产生带电等不良情况。为了防止这样的不良情况,已知使脱模薄膜含有抗静电剂等而赋予抗静电功能。

3、例如,在专利文献1、2中,公开了将抗静电层设置在脱模层侧,赋予抗静电功能的技术。

4、进而,专利文献3中公开了对薄膜背面赋予抗静电功能的技术。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本特开2012-224011号公报

8、专利文献2:日本特开2003-251756号公报

9、专利文献3:日本特开平02-073833号公报(日本特公平7-68388号公报)


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、专利文献1所示的抗静电脱模薄膜中,抗静电层中所含的成分会聚集,脱模层表面的平滑性有可能恶化,因抗静电层的影响而引起的固化阻碍,有可能导致脱模性能的恶化。

3、同样地,在专利文献2所示的抗静电薄膜中,由于在脱模层中添加有抗静电剂,因此有可能导致脱模性能的恶化。

4、专利文献3所示的抗静电脱模薄膜中,为了对脱模薄膜赋予抗静电性,使用了在基材制膜时通过在线涂布对脱模薄膜的基材涂布烷基铵盐等而形成抗静电层的薄膜。通过在背面设置抗静电层,对脱模层表面的不良影响消失,但抗静电层的表面难以滑动,因此,由于陶瓷生片成型时与导辊等的接触导致抗静电层容易脱落,另外,由此有可能导致产生异物。

5、进而,近年来,认为在世界各国中层叠陶瓷电容器制造用脱模薄膜的需求提高,制品输送时间变长。在卷状态下的长期保存中,对薄膜施加应力,由此有可能导致抗静电层脱落,抗静电性、易滑性恶化。

6、本专利技术是以上述现有技术的课题为背景而完成的。即,本专利技术的目的在于提供具备抗静电层的脱模薄膜,所述抗静电层具备高平滑的脱模面、背面,具备良好的剥离性、抗静电性、易滑性、密合性,长期保存后抗静电性和易滑性也优异,即使摩擦时也难以脱落。

7、用于解决问题的方案

8、本专利技术能够示出以下的方式。

9、[1]一种带抗静电层的脱模薄膜,其具备:基材、在前述基材的一个面上隔着第1功能层而设置的抗静电层、以及在前述基材的另一个面侧设置的脱模层,

10、前述抗静电层为由包含抗静电剂和热固化型粘结剂树脂的抗静电层形成用组合物形成的层,前述抗静电剂包含导电性高分子,

11、设置有前述抗静电层的一侧的表面电阻率(logω/□)为3以上且10以下。

12、[2]根据[1]所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,前述基材实质上不含无机颗粒,

13、前述第1功能层为易滑涂布层,

14、前述易滑涂布层包含颗粒,

15、前述抗静电层隔着前述易滑涂布层设置于基材的一个面上。

16、[3]根据[1]或[2]所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,前述导电性高分子为聚噻吩系导电性高分子。

17、[4]根据[1]~[3]中任一项所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,前述热固化型粘结剂树脂包含选自丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂、聚碳二亚胺树脂以及噁唑啉树脂中的至少1种。

18、[5]根据[1]~[4]中任一项所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,在前述抗静电层中,将导电性高分子与热固化型粘结剂树脂的固体成分的合计值设为100质量%时,前述热固化型粘结剂树脂的含量为40质量%以上且95质量%以下。

19、[6]根据[1]~[5]中任一项所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,前述抗静电层中的与前述基材相反侧的面的表面粗糙度sa为1nm以上且25nm以下,最大突起高度p为60nm以上且500nm以下。

20、[7]根据[1]~[6]中任一项所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,前述脱模层中的与前述基材相反侧的面的表面粗糙度sa为0.1nm以上且5nm以下,最大突起高度p为1nm以上且50nm以下。

21、[8]根据[1]~[7]中任一项所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,将剥离薄膜卷在40℃、湿度50%以下的环境下保管30天后,以100m/min退卷时的带电量大于-2kv且小于+2kv。

22、专利技术的效果

23、根据本专利技术,提供一种带抗静电层的脱模薄膜,其即使在使陶瓷生片薄膜化的情况下,也能够具备抑制针孔产生、防止局部的厚度偏差等、减少退卷带电的全部特点,适于制造树脂片、例如陶瓷生片。

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【技术保护点】

1.一种带抗静电层的脱模薄膜,其具备:

2.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述基材实质上不含无机颗粒,

3.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述导电性高分子为聚噻吩系导电性高分子。

4.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述热固化型粘结剂树脂包含选自丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂、聚碳二亚胺树脂以及噁唑啉树脂的至少1种。

5.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,在所述抗静电层中,将抗静电剂与热固化型粘结剂树脂的固体成分的合计值设为100质量%时,

6.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述抗静电层中的与所述基材相反侧的面的表面粗糙度Sa为1nm以上且25nm以下,最大突起高度P为60nm以上且500nm以下。

7.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述脱模层中的与所述基材相反侧的面的表面粗糙度Sa为0.1nm以上且5nm以下,最大突起高度P为1nm以上且50nm以下。

8.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,将剥离薄膜卷在40℃、湿度50%以下的环境下保管30天后,以100m/min退卷时的带电量大于-2kV且小于+2kV。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种带抗静电层的脱模薄膜,其具备:

2.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述基材实质上不含无机颗粒,

3.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述导电性高分子为聚噻吩系导电性高分子。

4.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,所述热固化型粘结剂树脂包含选自丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂、聚碳二亚胺树脂以及噁唑啉树脂的至少1种。

5.根据权利要求1所述的带抗静电层的脱模薄膜,其中,在所述抗静电层中,将抗静电剂与热固化型粘结剂树脂的固体成分的合计值设为100质量%时,

【专利技术属性】
技术研发人员:粂井良太天野由佳柴田悠介中谷充晴
申请(专利权)人:东洋纺株式会社
类型:发明
国别省市:

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