【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体热处理设备，具体而言，涉及一种冷却盖体和热处理设备。
技术介绍
1、半导体热处理设备包括立式热处理设备，以lpcvd(低压化学气相淀积)设备为例，其主要通入反应气体，利用反应气体在反应腔室内实现化学沉积作用，其反应腔室主要利用管路实现气体流入以及排出，在反应腔室的反应过程中存在高温气体排出，需要对反应腔内的高温气体进行冷却，防止内爆问题。
2、现有技术中，在不改变反应腔体管路设计下，在排气管路外增加冷却管路，冷却管路内通入冷却介质，利用冷却介质例如液氮等实现高温气体的快速冷却。这种设计导致管路体积大，管线复杂，且无法对反应腔内的气体冷却。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种冷却盖体和热处理设备，其能够快速冷却反应腔内的高温气体，防止反应过程中高温气体内爆的问题。
2、本技术的实施例是这样实现的：
3、第一方面，本技术提供一种冷却盖体，包括：
4、盖板，所述盖板的一端设有凸块；
5、所述盖板的侧壁设有第一气孔，所述盖板远离所述凸块的一端设有第二气孔；所述第一气孔和所述第二气孔连通；所述第一气孔和所述第二气孔中，其中一者用于进气，另一者用于排气。
6、在可选的实施方式中，所述凸块内设有流道，所述第一气孔和所述第二气孔分别与所述流道连通。
7、在可选的实施方式中，从靠近所述盖板至远离所述盖板的一端，所述凸块的横截面逐渐减小。
8、在可选的实施方式中，所述凸块的横截面呈圆
9、在可选的实施方式中，所述盖板的侧壁设有卡块，所述卡块上开设所述第一气孔。
10、在可选的实施方式中，所述卡块有多个，多个所述卡块沿所述盖板的外周均匀分布，每个所述卡块上均设有所述第一气孔。
11、在可选的实施方式中，所述卡块的厚度小于所述盖板的厚度。
12、在可选的实施方式中，还包括冷却管道，所述冷却管道与所述第一气孔或所述第二气孔连通。
13、第二方面，本技术提供一种热处理设备，包括反应腔和如前述实施方式中任一项所述的冷却盖体，所述冷却盖体和所述反应腔连接。
14、在可选的实施方式中，所述盖板的外径和所述反应腔的内径相适应，所述盖板上的卡块搭接在所述反应腔的外缘。
15、本技术实施例的有益效果包括：
16、本技术提供的冷却盖体，在盖板上设有第一气孔和第二气孔，用于供冷媒经过，以实现盖板和冷媒的换热。并且该盖板上设有凸块，增加了盖板和反应腔内高温气体的接触面积，换热面积大，换热效率高，能对反应腔内的高温气体进行冷却，冷却效率高，可避免高温气体内爆的问题。此外，该冷却盖体结构简单紧凑，体积小，占用空间少，冷却效率高。
17、本技术提供的热处理设备，包括上述的冷却盖体，结构简单紧凑，体积小，占用空间少，冷却效率高，可快速冷却反应腔内的气体，可避免高温气体内爆的问题。
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1.一种冷却盖体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，所述凸块内设有流道，所述第一气孔和所述第二气孔分别与所述流道连通。
3.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，从靠近所述盖板至远离所述盖板的一端，所述凸块的横截面逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，所述凸块的横截面呈圆形。
5.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，所述盖板的侧壁设有卡块，所述卡块上开设所述第一气孔。
6.根据权利要求5所述的冷却盖体，其特征在于，所述卡块有多个，多个所述卡块沿所述盖板的外周均匀分布，每个所述卡块上均设有所述第一气孔。
7.根据权利要求5所述的冷却盖体，其特征在于，所述卡块的厚度小于所述盖板的厚度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的冷却盖体，其特征在于，还包括冷却管道，所述冷却管道与所述第一气孔或所述第二气孔连通。
9.一种热处理设备，其特征在于，包括反应腔和如权利要求1至8中任一项所述的冷却盖体，所述冷却盖体和所述反应腔连接。
<...【技术特征摘要】
1.一种冷却盖体，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，所述凸块内设有流道，所述第一气孔和所述第二气孔分别与所述流道连通。
3.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，从靠近所述盖板至远离所述盖板的一端，所述凸块的横截面逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，所述凸块的横截面呈圆形。
5.根据权利要求1所述的冷却盖体，其特征在于，所述盖板的侧壁设有卡块，所述卡块上开设所述第一气孔。
6.根据权利要求5所述的冷却盖体，其特征在于，所述卡块有多个，多个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，李利，钟磊，陈泽，陶毅，
申请(专利权)人：甬矽半导体宁波有限公司，
类型：新型
国别省市：
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