【技术实现步骤摘要】
本揭露的实施例是关于一种互补场效晶体管，且特别是关于一种有倾斜导电通过基板层的互补场效晶体管。
技术介绍
1、对电子装置(包括智能手机、平板计算机、桌上型计算机、笔记型计算机和许多其他类型的电子装置)的计算能力的需求一直存在。集成电路为这些电子装置提供计算能力。增加集成电路的计算能力的一种方法是增加晶体管的数量和增加可以包含在半导体基板的给定区域中的其他集成电路特征。
2、互补场效晶体管(complementary field effect transistors，cfets)可用于增加集成电路中的晶体管的密度。互补场效晶体管(cfet)可包括垂直地堆叠的n型晶体管和p型晶体管。n型晶体管和p型晶体管的栅极电极可以相互电性短路。
技术实现思路
1、本揭露的实施例的目的在于提出一种集成电路，包括互补晶体管、第一源极/漏极接触、第二源极/漏极接触与互连结构。互补晶体管包括具有第一源极/漏极区的第一晶体管与具有第二源极/漏极区的第二晶体管。第二晶体管在垂直方向上位于第一晶体管上方。第二晶体管在垂直于垂直方向的第一方向上与第一晶体管偏移。第一源极/漏极接触电性耦接至第一源极/漏极区，第二源极/漏极接触电性耦接至第二源极/漏极区。互连结构电性耦接至第一源极/漏极接触与第二源极/漏极接触，互连结构包括倾斜部分，倾斜部分从垂直方向以偏移角度从第一源极/漏极接触延伸到第二源极/漏极接触。
2、本揭露的实施例的目的在于另提出一种集成电路，包括互补晶体管、第一源极/漏极接触、第
3、本揭露的实施例的目的在于另提出一种集成电路，包括互补晶体管、第一源极/漏极接触、第二源极/漏极接触与互连结构。互补晶体管包括具有第一源极/漏极区的第一晶体管与具有第二源极/漏极区的第二晶体管。第二晶体管在垂直方向上位于第一晶体管上方。第二晶体管在垂直于垂直方向的第一方向上与第一晶体管偏移。第一源极/漏极接触电性耦接至第一源极/漏极区，第二源极/漏极接触电性耦接至第二源极/漏极区。互连结构电性耦接至第一源极/漏极接触与第二源极/漏极接触，互连结构包括位于第一源极/漏极接触的开口中的晶种层以及位于晶种层上的倾斜部分，倾斜部分从垂直方向以偏移角度从第一源极/漏极接触延伸到第二源极/漏极接触。
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1.一种集成电路，其特征在于，包括：
2.一种集成电路，其特征在于，包括：
3.一种集成电路，其特征在于，包括：
4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中该互连结构还包括一垂直部分，该垂直部分延伸穿过该第一源极/漏极接触。
5.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该偏移角度在10度至40度的范围内。
6.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该偏移角度在40度至70度的范围内。
7.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该偏移角度在20度至30度的范围内。
8.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该第一源极/漏极接触为一背面源极/漏极接触，其中该第二源极/漏极接触为一正面源极/漏极接触。
9.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该第一源极/漏极接触为一正面源极/漏极接触，其中该第二源极/漏极接触为一背面源极/漏极接触。
10.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该倾斜部分为圆
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：
2.一种集成电路，其特征在于，包括：
3.一种集成电路，其特征在于，包括：
4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中该互连结构还包括一垂直部分，该垂直部分延伸穿过该第一源极/漏极接触。
5.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该偏移角度在10度至40度的范围内。
6.如权利要求1、2或3所述的集成电路，其特征在于，其中该偏移角度在40度至70度的范围内。
7.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王信智，沈育佃，张育祯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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