【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及覆铜板，具体涉及一种卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法。
技术介绍
1、在电子产品趋高功能性与小尺寸发展环境下，作为电子产品核心之一的电路板也在朝更薄膜厚、更多层数、更高密度发展；除基板材质与机械结构需改良以做到轻薄短小外，高频电路特有的高频寄生效应也需被考虑；因此，一般采用低介电损耗材质的基板，在供电板和接地板使用高介电常数的材料，和/或在信号线周遭采用低介电常数的材料等方式来维持信号传输品质；进一步的，采用由高、低介电常数材料复合制成多层复合基片和基板。
2、cn116494612a提供了一种聚四氟乙烯基覆铜板的制备方法，包括如下步骤：制备pfa基薄膜；制备ptfe基薄膜，ptfe基薄膜由炭黑与ptfe混合材料制成；将pfa基薄膜与ptfe基薄膜热压，得到pfa-ptfe复合薄膜，其中，ptfe基薄膜与pfa基薄膜中pfa与二氧化硅的混合材料一侧相连；将pfa-ptfe复合薄膜中二氧化硅一侧的表面处理，使二氧化硅一侧的表面呈多孔状；将铜箔、pfa-ptfe复合薄膜、玻纤板热压，得到聚四氟乙烯基覆铜板。
3、cn116494612a提供了热压pfa基薄膜与ptfe基薄膜以制得复合薄膜，即双层复合基片的方法，但这种方法制备多层复合基片时操作流程较多，且受热后各层间容易分层起泡。
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，共挤生产出的薄膜基片受热后不易分层起
2、为了实现上述技术效果，本专利技术的技术方案为：一种卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的制备方法，包括以下步骤：
3、s1：将聚四氟乙烯分散树脂粉末、助挤剂分别与高介电填料、低介电填料混匀制得高介电糊料和低介电糊料；
4、s2：共挤所述高介电糊料和低介电糊料，得具有低介电表层和高介电芯层的三层复合片材；
5、s3：压延s2所得三层复合片材，得压延片材；
6、s4：加热所述压延片材，得卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片。
7、助挤剂也称为润滑剂，其作用是增大聚四氟乙烯分子间的润滑，减少推挤阻力，例如溶剂油、石油醚、航空煤油、石蜡油、二氯乙烯、汽油、i sopar系列异构烷烃溶剂等。助挤剂按重量百分比配比为20％～50％。
8、优选的技术方案为，所述高介电填料为选自钛酸锶、钛酸钡、氧化镧、硒酸铋中的至少一种；所述低介电填料为二氧化硅。
9、优选的技术方案为，所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末、助挤剂及高介电填料的质量之比为1：(1.88～3.13)：(3～5)；和/或低介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末、助挤剂及低介电填料的质量之比为1：(0.19～0.31)：(0.19～0.31)。
10、优选的技术方案为，所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末的数均分子量为2000万～3000万，和/或所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末的数均分子量为2000万～3000万。
11、优选的技术方案为，所述高介电填料的平均粒径为4～6μm；和/或所述二氧化硅的平均粒径为1.5～3.5μm。
12、优选的技术方案为，所述高介电糊料的共挤模头温度为55～65℃，挤出压强为18～22mpa；所述低介电糊料的共挤模头温度为55～65℃，挤出压强为13～17mpa。高介电糊料的共挤模头温度例如55℃、57℃、59℃、61℃、63℃、65℃点值或上述任意两个点值之间的区间值，高介电糊料的共挤模头挤出压强例如18mpa、20mpa、22mpa点值或上述任意两个点值之间的区间值；低介电糊料的共挤模头温度例如55℃、57℃、59℃、61℃、63℃、65℃点值或上述任意两个点值之间的区间值，低介电糊料的共挤模头挤出压强例如13mpa、15mpa、17mpa点值或上述任意两个点值之间的区间值。优选高介电糊料的共挤模头温度为60℃，挤出压强为20mpa；优选低介电糊料的共挤模头温度为60℃，挤出压强为15mpa。
13、优选的技术方案为，所述压延片材的低介电表层和高介电芯层的厚度之比为1：(4.13～6.88)：1。
14、优选的技术方案为，所述s3中压延s2所得三层复合片材的压延压力为20～35mpa，压延温度为170～190℃。s3中压延压力例如20mpa、25mpa、30mpa、35mpa点值或者上述任意两个点值之间的区间值，s3中压延温度例如170℃、172℃、174℃、176℃、178℃、180℃点值或者上述任意两个点值之间的区间值，优选s3中压延压力为25mpa，压延温度为180℃。
15、优选的技术方案为，所述s4中的加热为阶梯式加热，其具体过程为：
16、将压延片材以0.1～1m/min的速度置入烘箱，经过120℃恒温区保温5min后进入180℃恒温区，保温5min后进入280℃恒温区保温10min。
17、本专利技术的目的之二在于提供一种卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片，经由上述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法制得，所述卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的厚度为1～5mm。
18、本专利技术的优点和有益效果在于：
19、该卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法将高、低介质糊料共同从挤出机挤出成三层复合片材，显著缩短工艺流程；
20、三层复合片材经压延及加热后制得的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片，其受热后不易分层起泡。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电填料为选自钛酸锶、钛酸钡、氧化镧、硒酸铋中的至少一种；所述低介电填料为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末、助挤剂及高介电填料的质量之比为1：（1.88～3.13）：（3～5）；和/或低介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末、助挤剂及低介电填料的质量之比为1：（0.19～0.31）：（0.19～0.31）。
4.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末的数均分子量为2000万~3000万；和/或所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末的数均分子量为2000万~3000万。
5.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电填料的平均粒径为4~6μm；和/或所述
6.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电糊料的共挤模头温度为55~65℃，挤出压强为18~22Mpa；所述低介电糊料的共挤模头温度为55~65℃，挤出压强为13~17Mpa。
7. 根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述压延片材的低介电表层和高介电芯层的厚度之比为1：（4.13 ～6.88 ）：1。
8.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述S3中压延S2所得三层复合片材的压延压力为20~35Mpa，压延温度为170~190℃。
9.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述S4中的加热为阶梯式加热，其具体过程为：
10.一种卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片，其特征在于，经由权利要求1至9中任意一项所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法制得，所述卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的厚度为1~5mm。
...【技术特征摘要】
1.一种卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电填料为选自钛酸锶、钛酸钡、氧化镧、硒酸铋中的至少一种；所述低介电填料为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末、助挤剂及高介电填料的质量之比为1：（1.88～3.13）：（3～5）；和/或低介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末、助挤剂及低介电填料的质量之比为1：（0.19～0.31）：（0.19～0.31）。
4.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末的数均分子量为2000万~3000万；和/或所述高介电糊料中聚四氟乙烯分散树脂粉末的数均分子量为2000万~3000万。
5.根据权利要求1所述的卫星天线用高频树脂多层共挤薄膜基片的生产方法，其特征在于，所述高介电填料的平均粒径为4~6μm；和/或所述二氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡方，
申请(专利权)人：江苏中际信通讯材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。