【技术实现步骤摘要】
本实施例的方面涉及设备和系统。
技术介绍
1、已知有使用可使用雪崩(电子雪崩)倍增来检测单光子级弱光的雪崩光电二极管(apd)的光检测设备。在apd中，具有与信号电荷的极性相同的极性的第一导电类型的第一半导体区域和具有与信号电荷的极性不同的极性的第二导电类型的第二半导体区域形成高电场区域(雪崩倍增部)。
2、日本特开2020-123846公开了一种通过控制用作无源淬灭电路的mos晶体管来抑制电力消耗的技术。具体地，在曝光时段的开始时间，mos晶体管接通以进入apd恒定操作的操作时段(非活动时段是0％)。接下来，当计数值变成阈值n1时，设置mos晶体管关断的时间段，并且mos晶体管操作的时间段被设置为操作时段的一半(非活动时段是50％)。接下来，当计数值变为阈值n2时，mos晶体管操作的时间段被设置为操作时段的1/4(非活动时段是75％)。利用这种配置，在照度高的情况下，进行雪崩倍增的次数减少。因此，可以减少像素的电力消耗。
3、通过使用日本特开2020-123846中所述的配置，可减少电力消耗。然而，在日本特开2020-123846中，由于使用了无源淬灭电路，所以在高照度环境下，照度和计数值之间的关系可能颠倒。此外，当照度过高时，可能不会生成信号。因此，当照度高时，可能无法获得适当的计数值，因此动态范围可能窄。
技术实现思路
1、一种光电转换设备，包括：光电二极管控制电路，其包括用于进行雪崩倍增的光电二极管、用于在所述光电二极管连接到电源的第一状态和所述光电
2、根据以下参考附图对示例性实施例的描述，本公开的其他特征将变得明显。
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1.一种光电转换设备，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，
3.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，
4.根据权利要求3所述的光电转换设备，其中，
5.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，
6.根据权利要求1所述的光电转换设备，还包括：
7.根据权利要求1所述的光电转换设备，还包括：
8.根据权利要求7所述的光电转换设备，还包括：
9.根据权利要求7所述的光电转换设备，还包括：
10.一种光电转换系统，包括：
11.根据权利要求10所述的光电转换系统，其中，在所述光电转换设备中，
12.根据权利要求10所述的光电转换系统，其中，在所述光电转换设备中，
13.根据权利要求10所述的光电转换系统，其中，在所述光电转换设备中，
14.根据权利要求10所述的光电转换系统，还包括：
15.一种移动体，包括：
16.根据权利要求15所述的移动体，其中，在所述光电转换设备中，
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18.根据权利要求15所述的移动体，其中，在所述光电转换设备中，
19.根据权利要求15所述的移动体，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种光电转换设备，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，
3.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，
4.根据权利要求3所述的光电转换设备，其中，
5.根据权利要求1所述的光电转换设备，其中，
6.根据权利要求1所述的光电转换设备，还包括：
7.根据权利要求1所述的光电转换设备，还包括：
8.根据权利要求7所述的光电转换设备，还包括：
9.根据权利要求7所述的光电转换设备，还包括：
10.一种光电转换系统，包括：
11.根据权利要求10所述的光电转换系...
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