【技术实现步骤摘要】
一个或多个实施例涉及一种方法和一种设备，并且更具体地，涉及一种掩模组件以及一种用于制造显示装置的方法和设备。
技术介绍
1、已经广泛使用移动电子装置。除了诸如移动电话的小型电子装置之外，最近还将平板个人计算机(“pc”)广泛用作移动电子装置。
2、为了支持各种功能，这种移动电子装置包括用于向用户提供视觉信息(诸如图像或视频)的显示装置。近来，随着用于驱动显示装置的其他部件已经变得更小，由显示装置在电子装置中所占的比例已经逐渐增加，并且还已经开发了能够在平坦状态下被弯折成具有一定角度的结构。
技术实现思路
1、随着显示装置应用于各个领域并且变得更小，显示装置具有布置成具有精密图案的像素非常重要。在这方面，像素可以通过堆叠多个层来形成，并且为了形成具有精密图案的像素，所述多个层中的至少一者具有精确地设置在所述像素处的沉积材料是一个非常重要的问题。一个或多个实施例包括一种可以制造具有精密图案的像素的显示装置的掩模组件、以及一种用于制造显示装置的方法和设备。
2、附加方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开的呈现的实施例而获知。
3、根据一个或多个实施例，一种掩模组件包括：支架，在所述支架中限定第一开口；连接部分，在所述连接部分中限定第二开口，所述连接部分布置在所述支架上，并且所述连接部分包括金属、金属氧化物、金属氮化物及所述金属的合金中的至少一者，其中所述第二开口相对应于所述第一开口；以及掩模，布置在所述连接部
4、在本实施例中，所述支架可以包括硅。
5、在本实施例中，所述连接部分可以包括彼此堆叠的至少两层。
6、在本实施例中，所述掩模可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
7、在本实施例中，所述图案孔的在截面图中的宽度可以在远离所述支架的方向上减小。
8、在本实施例中，所述图案孔的在截面图中的宽度可以从所述掩模的面向所述连接部分的一个表面到所述图案孔的一个点，在远离所述支架的方向上减小，并且可以从所述图案孔的所述一个点到所述掩模的与所述一个表面相背的另一表面，在远离所述支架的方向上增大。
9、在本实施例中，在平面图中所述第一开口的宽度可以与所述第二开口的宽度相同。
10、根据一个或多个实施例，一种制造掩模组件的方法包括：顺序地堆叠第一基体材料和第二基体材料；在所述第二基体材料中形成彼此分开的多个工艺孔；在所述第二基体材料上布置第三基体材料；在所述第一基体材料中形成与所述多个工艺孔相对应的第一开口；以及通过去除布置在所述多个工艺孔中的每一个内部的所述第三基体材料，在所述第三基体材料中形成多个图案孔。
11、在本实施例中，在所述多个图案孔的所述形成之前，所述第三基体材料的与所述多个工艺孔重叠的一个表面可以包括波纹。
12、在本实施例中，所述方法还可以包括在所述第二基体材料中形成与所述第一开口相对应的第二开口。
13、在本实施例中，所述方法还可以包括在所述第三基体材料上布置覆盖构件。
14、在本实施例中，所述方法还可以包括去除所述覆盖构件。
15、在本实施例中，所述图案孔的在截面图中的宽度可以在远离所述第一基体材料的方向上减小。
16、在本实施例中，所述图案孔的在截面图中的宽度可以从所述第三基体材料的面向所述第二基体材料的一个表面到所述图案孔的一个点，在远离所述第一基体材料的方向上减小，并且可以从所述图案孔的所述一个点到所述第三基体材料的与所述一个表面相背的另一表面，在远离所述第一基体材料的所述方向上增大。
17、在本实施例中，所述第一基体材料可以包括硅。
18、在本实施例中，所述第二基体材料可以包括金属、金属氧化物、金属氮化物及所述金属的合金中的至少一者。
19、在本实施例中，所述第三基体材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
20、在本实施例中，所述第二基体材料可以包括彼此堆叠的至少两层。
21、根据一个或多个实施例，一种用于制造显示装置的设备包括：面向基底的沉积源；以及布置在所述基底和所述沉积源之间的掩模组件，其中，所述掩模组件包括：支架，在所述支架中限定第一开口；连接部分，在所述连接部分中限定第二开口，所述连接部分布置在所述支架上，并且所述连接部分包括金属、金属氧化物、金属氮化物及所述金属的合金中的至少一者，其中所述第二开口相对应于所述第一开口；以及掩模，布置在所述连接部分上，所述掩模配置为屏蔽所述第一开口和所述第二开口，并且所述掩模限定与所述第一开口和所述第二开口相对应的多个图案孔。
22、在本实施例中，所述支架可以包括硅。
23、在本实施例中，所述连接部分可以包括彼此堆叠的至少两层。
24、在本实施例中，所述掩模可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
25、在本实施例中，所述图案孔的在截面图中的宽度可以在远离所述支架的方向减小。
26、在本实施例中，在截面图中所述图案孔的宽度可以从所述掩模面向所述连接部分的一个表面到所述图案孔的一个点，在远离所述支架的方向上减小，并且可以从所述图案孔的所述一个点到所述掩模的与所述一个表面相反的另一表面，在远离所述支架的方向上增大。
27、在本实施例中，在平面图中所述第一开口的宽度可以与所述第二开口的宽度相同。
28、根据一个或多个实施例，一种制造显示装置的方法包括：布置基底和掩模组件以面向沉积源；以及从所述沉积源供应沉积材料以使所述沉积材料穿过所述掩模组件并且沉积在所述基底上，其中，所述掩模组件包括：支架，在所述支架中限定第一开口；连接部分，在所述连接部分中限定第二开口，所述连接部分布置在所述支架上，并且所述连接部分包括金属、金属氧化物、金属氮化物及所述金属的合金中的至少一者，其中所述第二开口相对应于所述第一开口；以及掩模，所述掩模布置在所述连接部分上，所述掩模配置为屏蔽所述第一开口和所述第二开口，并且所述掩模限定与所述第一开口和所述第二开口相对应的多个图案孔。
29、在本实施例中，所述支架可以包括硅。
30、在本实施例中，所述连接部分可以包括彼此堆叠的至少两层。
31、在本实施例中，所述掩模可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
32、在本实施例中，所述图案孔的在截面图中的宽度可以在远离所述支架的方向上减小。
33、在本实施例中，所述图案孔的在截面图中的宽度可以从所述掩模面向所述连接部分的一个表面到所述图案孔的一个点，在远离所述支架的方向上减小，并且可以从所述图案孔的所述一个点到所述掩模的与所述一个表面相反的另一表面，在远离所述支架的方向上增大。
34、在本实施例中，在平面图中所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种掩模组件，其中，所述掩膜组件包括：
2.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述支架包括硅。
3.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述连接部分包括彼此堆叠的至少两层。
4.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述掩模包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述图案孔的在截面图中的宽度在远离所述支架的方向上减小。
6.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述图案孔的在截面图中的宽度从所述掩模的面向所述连接部分的一个表面到所述图案孔的一个点，在远离所述支架的方向上减小，并且从所述图案孔的所述一个点到所述掩模的与所述一个表面相背的另一表面，在远离所述支架的所述方向上增大。
7.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，在平面图中所述第一开口的宽度与所述第二开口的宽度相同。
8.一种制造掩模组件的方法，其中，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述多个图案孔的所述形成之前，所述第三基体材料的与所述多个工艺孔重叠的一个表面包括波
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述第二基体材料中形成与所述第一开口相对应的第二开口。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述第三基体材料上布置覆盖构件。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述方法还包括：去除所述覆盖构件。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述图案孔的在截面图中的宽度在远离所述第一基体材料的方向上减小。
14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述图案孔的在截面图中的宽度从所述第三基体材料的面向所述第二基体材料的一个表面到所述图案孔的一个点，在远离所述第一基体材料的方向上减小，并且从所述图案孔的所述一个点到所述第三基体材料的与所述一个表面相背的另一表面，在远离所述第一基体材料的所述方向上增大。
15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一基体材料包括硅。
16.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二基体材料包括金属、金属氧化物、金属氮化物以及所述金属的合金中的至少一者。
17.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三基体材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
18.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二基体材料包括彼此堆叠的至少两层。
19.一种用于制造显示装置的设备，其中，所述设备包括：
20.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掩模组件，其中，所述掩膜组件包括：
2.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述支架包括硅。
3.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述连接部分包括彼此堆叠的至少两层。
4.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述掩模包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述图案孔的在截面图中的宽度在远离所述支架的方向上减小。
6.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述图案孔的在截面图中的宽度从所述掩模的面向所述连接部分的一个表面到所述图案孔的一个点，在远离所述支架的方向上减小，并且从所述图案孔的所述一个点到所述掩模的与所述一个表面相背的另一表面，在远离所述支架的所述方向上增大。
7.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，在平面图中所述第一开口的宽度与所述第二开口的宽度相同。
8.一种制造掩模组件的方法，其中，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述多个图案孔的所述形成之前，所述第三基体材料的与所述多个工艺孔重叠的一个表面包括波纹。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述第二基体材料中形成与所述第一开口相对应的第二开口。
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