【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片，尤其涉及一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置。
技术介绍
1、目前随着电动汽车、高速轨道交通、特高压柔性直流输电、新能源发电等领域的快速发展，对高端功率芯片的需求量越来越大，据统计2020年中国所需的以igbt(insulatedgate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)为代表的高端功率芯片93％需要进口，国产igbt等功率芯片因缺乏深层质子辐照生产工艺，性能无法与进口芯片相比。目前国内生产的快恢复二极管(frd芯片)也因为缺乏深层质子辐照工艺，而无法实现软度因子2以上的性能，在电动汽车等领域，无法与igbt芯片配套使用。
技术实现思路
1、本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置。
2、本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：
3、一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，包括两个料仓组件和设置在两个所述料仓组件之间的辐照组件，所述料仓组件上设置可在竖直方向和水平方向移动的料盘；
4、所述辐照组件包括辐照托盘移动平台，所述辐照托盘移动平台上设置有用于带动所述料盘在水平面的x向和y向移动的x向无动力芯片托盘传送滚轮组和y向微调伺服模组；所述x向无动力芯片托盘传送滚轮组的上方设置有风冷束流扫描窗，所述风冷束流扫描窗上方设置有扫描盒；所述辐照托盘移动平台的下方设置有束流监测器，所述扫描盒、所述风冷束流扫描窗和所述束
5、作为本专利技术的进一步优化方案，两个所述料仓组件分别为左料仓和右料仓；
6、所述左料仓包括左料仓固定格架，所述左料仓固定格架的底侧设置有左料仓支座，所述左料仓固定格架上设置有左料仓储片格架，所述料盘分为左料盘和右料盘，多个所述左料盘放置在所述左料仓储片格架上；所述左料仓固定格架上设置有左料仓托盘推杆，所述左料仓托盘推杆用于将所述左料仓储片格架上所述左料盘推至所述x向无动力芯片托盘传送滚轮组上，或将所述x向无动力芯片托盘传送滚轮组上的左料盘拉回至所述左料仓储片格架上；
7、所述右料仓包括右料仓固定格架，所述右料仓固定格架的底侧设置有右料仓支座，所述右料仓固定格架上设置有右料仓储片格架，多个所述右料盘放置在所述右料仓储片格架上；所述右料仓固定格架上设置有右料仓托盘推杆，所述右料仓托盘推杆用于将所述右料仓储片格架上所述右料盘推至所述x向无动力芯片托盘传送滚轮组上，或将所述x向无动力芯片托盘传送滚轮组上的右料盘拉回至所述右料仓储片格架上。
8、作为本专利技术的进一步优化方案，所述左料仓固定格架和所述右料仓固定格架上均设置有格架升降驱动电机，分别用于带动所述左料仓储片格架和所述右料仓储片格架进行垂直方向移动。
9、作为本专利技术的进一步优化方案，所述左料仓固定格架上设置有用于检查所述左料盘放置位置的左料仓位置监视器；所述右料仓固定格架上设置有用于检查所述右料盘放置位置的右料仓位置监视器。
10、作为本专利技术的进一步优化方案，所述左料仓固定格架上设置有用于检测从所述风冷束流扫描窗输出的束流的位置的束流位置监视器。
11、作为本专利技术的进一步优化方案，所述右料仓固定格架上设置有用于监测所述x向无动力芯片托盘传送滚轮组位置的辐照托盘移动平台位置监视器。
12、作为本专利技术的进一步优化方案，所述辐照托盘移动平台的底侧设置有用于支撑的辐照托盘xy向移动平台支座。
13、作为本专利技术的进一步优化方案，所述x向无动力芯片托盘传送滚轮组的上方设置有扫描盒支架，所述扫描盒设置在所述扫描盒支架上，所述扫描盒包括扫描盒上段和扫描盒下段；所述扫描盒上段、所述扫描盒下段和扫描盒支架均为真空状态。
14、作为本专利技术的进一步优化方案，x向无动力芯片托盘传送滚轮组上设置有料盘取料模组，所述料盘取料模组的两侧均设置有用于交替抓取两个料仓组件中的料盘的电磁铁模组。
15、作为本专利技术的进一步优化方案，两个所述料仓组件到质子束流位置的距离均大于料盘的长度。
16、本专利技术的有益效果在于：
17、本专利技术可以在大气环境下实现对功率芯片晶圆的连续质子辐照，通过双料仓设计，重在实现批量连续性晶圆质子辐照，有效地提高辐照生产效率，从而有更好的经济效益。
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1.一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，包括两个料仓组件和设置在两个所述料仓组件之间的辐照组件，所述料仓组件上设置可在竖直方向和水平方向移动的料盘；
2.根据权利要求1所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，两个所述料仓组件分别为左料仓和右料仓；
3.根据权利要求2所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述左料仓固定格架(1)和所述右料仓固定格架(22)上均设置有格架升降驱动电机(26)，分别用于带动所述左料仓储片格架(5)和所述右料仓储片格架(24)进行垂直方向移动。
4.根据权利要求2所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述左料仓固定格架(1)上设置有用于检查所述左料盘(14)放置位置的左料仓位置监视器(3)；所述右料仓固定格架(22)上设置有用于检查所述右料盘(13)放置位置的右料仓位置监视器(21)。
5.根据权利要求2所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征
6.根据权利要求2所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述右料仓固定格架(22)上设置有用于监测所述X向无动力芯片托盘传送滚轮组(15)位置的辐照托盘移动平台位置监视器(20)。
7.根据权利要求1所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述辐照托盘移动平台(17)的底侧设置有用于支撑的辐照托盘XY向移动平台支座(19)。
8.根据权利要求1所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述X向无动力芯片托盘传送滚轮组(15)的上方设置有扫描盒支架(10)，所述扫描盒设置在所述扫描盒支架(10)上，所述扫描盒包括扫描盒上段(7)和扫描盒下段(8)；所述扫描盒上段(7)、所述扫描盒下段(8)和扫描盒支架(10)均为真空状态。
9.根据权利要求1所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，X向无动力芯片托盘传送滚轮组(15)上设置有料盘取料模组(11)，所述料盘取料模组(11)的两侧均设置有用于交替抓取两个料仓组件中的料盘的电磁铁模组(12)。
10.根据权利要求1所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，两个所述料仓组件到质子束流位置的距离均大于料盘的长度。
...【技术特征摘要】
1.一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，包括两个料仓组件和设置在两个所述料仓组件之间的辐照组件，所述料仓组件上设置可在竖直方向和水平方向移动的料盘；
2.根据权利要求1所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，两个所述料仓组件分别为左料仓和右料仓；
3.根据权利要求2所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述左料仓固定格架(1)和所述右料仓固定格架(22)上均设置有格架升降驱动电机(26)，分别用于带动所述左料仓储片格架(5)和所述右料仓储片格架(24)进行垂直方向移动。
4.根据权利要求2所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述左料仓固定格架(1)上设置有用于检查所述左料盘(14)放置位置的左料仓位置监视器(3)；所述右料仓固定格架(22)上设置有用于检查所述右料盘(13)放置位置的右料仓位置监视器(21)。
5.根据权利要求2所述的一种用于制造高性能功率芯片的大气下连续晶圆质子辐照装置，其特征在于，所述左料仓固定格架(1)上设置有用于检测从所述风冷束流扫描窗(9)输出的束流的位置的束流位置监视器(2)。
6.根据权利要求2所述的一种用...
【专利技术属性】
技术研发人员：王婉琳，吕银龙，葛涛，卢晓通，周平原，郭如勇，秦伟涛，朱晓桦，李非易，沈轩羽，
申请(专利权)人：国电投核力创芯无锡科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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