本发明专利技术提供了一种等离子体生产组件及薄膜沉积设备，所述等离子体生产组件包括罩设件、射频件和至少一个磁性件，所述罩设件围合形成反应腔；所述射频件沿所述罩设件的周向固设在所述罩设件的外表面，用于在所述反应腔内产生等离子体区域；所述磁性件可移动地设于所述射频件的外侧四周，且用于偏移所述等离子体区域。本申请在所述射频件外侧的四周设有至少一个所述磁性件，通过调节所述磁性件的位置和/或所述磁性件的磁极和/或所述磁性件的磁性强度，从而调节所述等离子体区域的位置，进而调节晶圆表面成膜的膜厚，提高晶圆表面沉积的薄膜膜厚的均匀性，提高产品质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产领域，尤其涉及一种等离子体生产组件及薄膜沉积设备。
技术介绍
1、随着智能化的发展，半导体的使用越来越多，在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，其中，在半导体生产技术中，包括薄膜沉积技术，使晶圆表面沉积出一层层的薄膜，以创建芯片内部的微型器件。
2、目前的薄膜沉积设备中，运用pecvd或peald技术，采用射频产生等离子激发化学源，在实际使用过程中，因为反应腔体机构的限制，会使得在晶圆表面的膜层存在不同心的现场，从而使得晶圆表面沉积的薄膜的膜层均匀性低。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例提供了一种等离子体生产组件及薄膜沉积设备，以调节晶圆表面成膜的膜厚，提高晶圆表面沉积的薄膜膜厚的均匀性，提高产品质量。
2、本专利技术提供了一种等离子体生产组件，其包括：
3、罩设件，所述罩设件围合形成反应腔；
4、射频件，所述射频件沿所述罩设件的周向固设在所述罩设件的外表面，用于使所述反应腔内产生等离子体区域；
5、至少一个磁性件，所述磁性件可移动地设于所述射频件的外侧四周，且用于偏移所述等离子体区域。
6、在本专利技术提供的等离子体生产组件中，所述磁性件设有多组，多组所述磁性件沿所述罩设件的周向间隔设置，且同组的两个所述磁性件相对设置在所述罩设件的两侧。
>7、在本专利技术提供的等离子体生产组件中，同组的两个所述磁性件的磁极互为异性。8、在本专利技术提供的等离子体生产组件中，所述等离子体生产组件还包括保护罩，所述保护罩围设形成密闭空间，且所述罩设件、所述射频件和所述磁性件均位于所述密闭空间内。
9、在本专利技术提供的等离子体生产组件中，所述磁性件可移动地设置在所述保护罩的内壁，且沿所述保护罩的高度方向延伸设置。
10、在本专利技术提供的等离子体生产组件中，所述罩设件的顶端设有进气通道，所述进气通道用于连通所述反应腔和进气管道。
11、在本专利技术提供的等离子体生产组件中，所述罩设件为半圆球结构。
12、在本专利技术提供的等离子体生产组件中，所述磁性件为磁铁或电磁铁。
13、本专利技术还提供一种薄膜沉积设备，其包括上述任一项所述的等离子体生产组件。
14、在本专利技术提供的薄膜沉积设备中，所述薄膜沉积设备还包括腔体和喷淋板，所述等离子体生产组件固设在所述腔体上端，所述喷淋板固设在所述腔体的顶端且连通所述反应腔和所述腔体内部。
15、本专利技术提供了一种等离子体生产组件及薄膜沉积设备，所述等离子体生产组件包括罩设件、射频件和至少一个磁性件，所述罩设件围合形成反应腔；所述射频件沿所述罩设件的周向固设在所述罩设件的外表面，用于在所述反应腔内产生等离子体区域；所述磁性件可移动地设于所述射频件的外侧四周，且用于偏移所述等离子体区域。本申请在所述射频件外侧的四周设有至少一个所述磁性件，通过调节所述磁性件的位置和/或所述磁性件的磁极和/或所述磁性件的磁性强度，从而调节所述等离子体区域的位置，进而调节晶圆表面成膜的膜厚，提高晶圆表面沉积的薄膜膜厚的均匀性，提高产品质量。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种等离子体生产组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述磁性件设有多组，多组所述磁性件沿所述罩设件的周向间隔设置，且同组的两个所述磁性件相对设置在所述罩设件的两侧。
3.根据权利要求2所述的等离子体生产组件，其特征在于，同组的两个所述磁性件的磁极互为异性。
4.根据权利要求1所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述等离子体生产组件还包括保护罩，所述保护罩围设形成密闭空间，且所述罩设件、所述射频件和所述磁性件均位于所述密闭空间内。
5.根据权利要求4所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述磁性件可移动地设置在所述保护罩的内壁，且沿所述保护罩的高度方向延伸设置。
6.根据权利要求1所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述罩设件的顶端设有进气通道，所述进气通道用于连通所述反应腔和进气管道。
7.根据权利要求1所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述罩设件为半圆球结构。
8.根据权利要求1-7任一项所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述磁性件为磁铁或电磁铁。
9.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的等离子体生产组件。
10.根据权利要求9所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括腔体和喷淋板，所述等离子体生产组件固设在所述腔体上端，所述喷淋板固设在所述腔体的顶端且连通所述反应腔和所述腔体内部。
...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体生产组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述磁性件设有多组，多组所述磁性件沿所述罩设件的周向间隔设置，且同组的两个所述磁性件相对设置在所述罩设件的两侧。
3.根据权利要求2所述的等离子体生产组件，其特征在于，同组的两个所述磁性件的磁极互为异性。
4.根据权利要求1所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述等离子体生产组件还包括保护罩，所述保护罩围设形成密闭空间，且所述罩设件、所述射频件和所述磁性件均位于所述密闭空间内。
5.根据权利要求4所述的等离子体生产组件，其特征在于，所述磁性件可移动地设置在所述保护罩的内壁，且沿所述保护罩的高度方...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵坤，杨华龙，朱晓亮，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。