【技术实现步骤摘要】
本申请属于芯片，尤其涉及数据写入方法、数据读取方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、efuse(electronic fuse)即电子熔断器，是一种可编程电子保险丝。在现代芯片设计中，efuse起着关键作用。efuse默认为低电平，编程后变为高电阻状态，且这种状态是永久性的，因此efuse可用于存储一次性可编程信息，如芯片的配置参数、校准数据等。随着半导体技术的不断发展，efuse以其可靠性高、占用面积小等优势，广泛应用于各类电子产品中。它通常由芯片生产厂家在出厂时进行烧写编程，芯片用户无法重新对efuse进行烧写，具有较好的安全性。
2、在正常情况下，efuse未编程的比特位一般不会随着运行时间的增加而被误烧写。但在特殊情况下，比如系统中存在强烈的电磁干扰、电源波动或静电放电等情况，可能会导致efuse电路中的电压或电流出现异常，从而有可能误触发未编程的比特(bit)进行烧写，导致数据出错。例如，在高电压瞬变或静电冲击下，可能会产生足够的能量使efuse的弱连接部分发生熔断，类似于编程操作，导致数据出错，进而影响系统稳定性。在efuse的设计和使用过程中，如何合理地设置烧写数据格式、如何合理地确定烧写数据方案，是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了数据写入方法、数据读取方法、装置及电子设备，可以解决efuse电路中数据出错导致影响系统稳定性的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种数据写入方法，包括：
3、获取第一
4、如果所述第一烧写数据量大于所述第二烧写数据量，将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，如果所述第一烧写数据量小于所述第二烧写数据量，将所述第二待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中。
5、在第一方面的一种可能的实现方式中，所述第一待烧写数据还包括第一取反标识数据、第一校验码，所述第二待烧写数据还包括第二取反标识数据、第二校验码，该方法还包括：
6、根据所述第一关键数据和所述第一取反标识数据，计算获得所述第一校验码；
7、根据所述第一关键数据和所述第二取反标识数据，计算获得第三校验码，其中，所述第二取反标识数据的数据值与所述第一取反标识数据的数据值为取反关系；
8、对所述第一关键数据进行取反操作，获得所述第二关键数据；
9、对所述第三校验码进行取反操作，获得所述第二校验码。
10、在第一方面的一种可能的实现方式中，所述子存储区包括数据区、取反标识区、校验区，所述将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
11、将所述第一待烧写数据的第一关键数据写入电子熔断器的多个数据区中、将所述第一待烧写数据的第一取反标识数据写入电子熔断器的多个取反标识区中、将所述第一待烧写数据的第一校验码写入电子熔断器的多个校验区中；
12、所述将所述第二待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
13、将所述第二待烧写数据的第二关键数据写入电子熔断器的多个数据区中、将所述第二待烧写数据的第二取反标识数据写入电子熔断器的多个取反标识区中、将所述第二待烧写数据的第二校验码写入电子熔断器的多个校验区中。
14、在第一方面的一种可能的实现方式中，所述将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
15、对于所述电子熔断器的多个子存储区中的每个子存储区，均写入所述第一待烧写数据；
16、所述将所述第二待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
17、对于所述电子熔断器的多个子存储区中的每个子存储区，均写入所述第二待烧写数据。
18、第二方面，本申请实施例提供了一种数据读取方法，包括：
19、读取电子熔断器的多个子存储区中的多个已写入数据；
20、对所述多个已写入数据进行数据对比纠错处理，获得纠错后数据，所述已写入数据包括已写入关键数据、已写入取反标识数据、已写入校验码，所述纠错后数据包括纠错后关键数据、纠错后取反标识数据、纠错后校验码；
21、如果所述纠错后取反标识数据表示无需进行取反操作，根据所述纠错后关键数据和所述纠错后取反标识数据，计算获得第一参考校验码；
22、如果所述第一参考校验码和所述纠错后校验码相同，则确定所述纠错后关键数据为有效数据。
23、在第二方面的一种可能的实现方式中，该方法还包括：
24、如果所述纠错后取反标识数据表示需要进行取反操作，对所述纠错后关键数据和所述纠错后校验码进行取反操作，获得取反关键数据和取反校验码；
25、根据所述取反关键数据和所述纠错后取反标识数据，计算获得第二参考校验码；
26、如果所述第二参考校验码和所述取反校验码相同，则确定所述取反关键数据为有效数据。
27、在第二方面的一种可能的实现方式中，所述子存储区包括数据区、取反标识区、校验区，所述读取电子熔断器的多个子存储区中的多个已写入数据，包括：
28、读取电子熔断器的多个数据区的多个已写入关键数据、多个取反标识区的多个已写入取反标识数据、多个校验区的多个已写入校验码。
29、第三方面，本申请实施例提供了一种数据写入装置，包括：
30、数据量获取模块，用于获取第一待烧写数据的第一烧写数据量和第二待烧写数据的第二烧写数据量，其中，所述第一待烧写数据包括第一关键数据，所述第二待烧写数据包括第二关键数据，所述第一关键数据的数据值与所述第二关键数据的数据值为取反关系；
31、数据写入模块，用于如果所述第一烧写数据量大于所述第二烧写数据量，将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，如果所述第一烧写数据量小于所述第二烧写数据量，将所述第二待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中。
32、第四方面，本申请实施例提供了一种数据读取装置，包括：
33、数据读取模块，用于读取电子熔断器的多个子存储区中的多个已写入数据；
34、对比纠错模块，用于对所述多个已写入数据进行数据对比纠错处理，获得纠错后数据，所述已写入数据包括已写入关键数据、已写入取反标识数据、已写入校验码，所述纠错后数据包括纠错后关键数据、纠错后取反标识数据、纠错后校验码；
35、第一校验模块，用于如果所述纠错后取反标识数据表示无需进行取反操作，根据所述纠错后关键数据和所述纠错后取反标识数据，计算获得第一参考校验码；
36、数据确定模块，用于如果所述第一参考校验码和所述纠错后校验码相同，则确定所述纠错后关键数据为有效数据。
37、第五方面，本申请实施例提供了一种电子设备本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种数据写入方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述第一待烧写数据还包括第一取反标识数据、第一校验码，所述第二待烧写数据还包括第二取反标识数据、第二校验码，该方法还包括：
3.如权利要求2所述的数据写入方法，其特征在于，所述子存储区包括数据区、取反标识区、校验区，所述将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
4.如权利要求2或3所述的数据写入方法，其特征在于，所述将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
5.一种数据读取方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的数据读取方法，其特征在于，该方法还包括：
7.如权利要求5或6所述的数据读取方法，其特征在于，所述子存储区包括数据区、取反标识区、校验区，所述读取电子熔断器的多个子存储区中的多个已写入数据，包括：
8.一种数据写入装置，其特征在于，包括：
9.一种数据读取装置，其特征在于，包括：
10.一种电子设备，其特征在于，包括处理器、存储器以及
...【技术特征摘要】
1.一种数据写入方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述第一待烧写数据还包括第一取反标识数据、第一校验码，所述第二待烧写数据还包括第二取反标识数据、第二校验码，该方法还包括：
3.如权利要求2所述的数据写入方法，其特征在于，所述子存储区包括数据区、取反标识区、校验区，所述将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
4.如权利要求2或3所述的数据写入方法，其特征在于，所述将所述第一待烧写数据写入电子熔断器的多个子存储区中，包括：
5.一种数据读取方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵琮，曾培楷，黎安棋，
申请(专利权)人：深圳市锐能微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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