【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，尤其涉及一种封装叠层式芯片结构和射频模组芯片结构。
技术介绍
1、随着现代芯片功能的增多，芯片的尺寸也越来越大，为了进一步减小芯片封装尺寸，在封装方式上，采用堆叠封装有利于减小芯片尺寸。叠层式3d封装有芯片叠层和封装叠层两种。其中，芯片叠层最关键的在于如何实现芯片与芯片，芯片与基板之间的互联，即从平面的二维结构出发，将不同器件垂直堆叠通过基板连接实现到三维封装的过程，从而实现减小尺寸的功能。封装叠层通常将芯片直接封装在基板上形成预封装结构，然后将多个封装有芯片的预封装结构经叠层封装在一起。现有技术中，封装叠层的封装方式中，可能会涉及多个预封装结构参与叠加的情况，使得芯片中含有多个基板，而现有技术中的基板一般为硅基板，但是硅基板存在导热性低，当硅基板作为中间层封装在芯片的中间部位时，会使得芯片散热不好，进而使得芯片热稳定性差。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种封装叠层式芯片结构和射频模组芯片结构。本专利技术提供的封装叠层式芯片结构和射频模组芯片结构散热好，具有优异的热稳定性。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、一种封装叠层式芯片结构，包括叠层设置的第一预封装结构和第二预封装结构，所述第一预封装结构和第二预封装结构设置于壳体的内部；
4、所述第一预封装结构和第二预封装结构独立地包括基板和设置在基板上的芯片；
5、所述第一预封装结构的基板与所述壳体的底部接触；p>
6、所述第二预封装结构的基板为层叠设置的衬底、金刚石层和铜层，所述铜层与所述芯片接触。
7、优选地，所述衬底的厚度为300～1000μm，所述金刚石层的厚底为50～150μm，所述铜层的厚度为1～2μm。
8、优选地，所述第一预封装结构中的芯片和基板之间、所述第二预封装结构中的芯片和基板之间及第一预封装结构和第二预封装结构之间通过通孔或金属引线实现电气连通。
9、优选地，所述第一预封装结构和第二预封装结构之间通过焊盘结构焊接。
10、优选地，所述第一预封装结构的基板通过焊球实现与所述壳体的焊接。
11、优选地，所述第二预封装结构的表面还包括依次叠层设置的第三预封装结构、第四预封装结构……第n预封装结构；
12、所述第三预封装结构、第四预封装结构……第n预封装结构独立地包括基板和设置在基板上的芯片。
13、优选地，所述第三预封装结构、第四预封装结构……第n预封装结构的基板均为层叠设置的衬底、金刚石层和铜层，所述铜层与所述芯片接触。
14、优选地，所述第二预封装结构中的基板和芯片之间、第三预封装结构中的基板和芯片之间、第四预封装结构中的基板和芯片之间、……、第n预封装结构中的基板和芯片之间、及第二预封装结构、第三预封装结构、第四预封装结构……和第n预封装结构之间通过通孔或金属引线实现电气连通。
15、本专利技术还提供了一种射频模组芯片结构，包括叠层设置的第一预封装结构和第二预封装结构，所述第一预封装结构和第二预封装结构设置于壳体的内部；
16、所述第一预封装结构和第二预封装结构独立地包括基板和设置在基板上的芯片；
17、所述第一预封装结构中的芯片包括耦合器芯片和滤波器芯片；
18、所述第二预封装结构中的芯片包括功放芯片、低噪放芯片和开关芯片；
19、所述第一预封转结构中的芯片和基板之间、第二预封装结构中的芯片和基板之间、第一预封装结构和第二预封装结构之间均通过通孔或金属引线实现电气连通；
20、所述第一预封装结构的基板与所述壳体的底部接触；
21、所述第二预封装结构的基板为层叠设置的衬底、金刚石层和铜层，所述铜层与所述芯片接触。
22、优选地，所述第一预封装结构中的基板为层叠设置的衬底、金刚石层和铜层，所述铜层与所述芯片接触。
23、本专利技术提供了一种封装叠层式芯片结构。
24、本专利技术将远离壳体的第二预封装结构中的基板设置为层叠设置的衬底、金刚石层和铜层，所述铜层与所述芯片接触，具有如下优势：
25、1、金刚石具有远高于硅的热导率，能够提高芯片的散热效率，使得芯片可以应用在高性能计算和大功率器件中。
26、2、硅与金刚石的热膨胀系数相近，能够减少热应力来提高封装的可靠性。
27、3、本专利技术以层叠设置的衬底、金刚石层和铜层为基板，具有高电阻率，高电阻率的基板有利于保持器件的稳定性，在高频和大功率器件中不容易击穿。
28、4、金刚石密度小，在实现相同功能的时更有利于小型化和轻量化。
29、5、以层叠设置的衬底、金刚石层和铜层为基板，使得基板具有极高的机械强度，有助于提高基板的耐用性。
30、6、本专利技术的封装叠层式芯片结构可用在高频、大功率、大规模集成电路、5g通信等领域。
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1.一种封装叠层式芯片结构，其特征在于，包括叠层设置的第一预封装结构和第二预封装结构，所述第一预封装结构和第二预封装结构设置于壳体的内部；
2.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述衬底的厚度为300～1000μm，所述金刚石层的厚底为50～150μm，所述铜层的厚度为1～2μm。
3.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第一预封装结构中的芯片和基板之间、所述第二预封装结构中的芯片和基板之间及第一预封装结构和第二预封装结构之间通过通孔或金属引线实现电气连通。
4.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第一预封装结构和第二预封装结构之间通过焊盘结构焊接。
5.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第一预封装结构的基板通过焊球实现与所述壳体的焊接。
6.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第二预封装结构的表面还包括依次叠层设置的第三预封装结构、第四预封装结构……第N预封装结构；
7.根据权利要求6所述的封装叠层式芯片结构
8.根据权利要求6所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第二预封装结构中的基板和芯片之间、第三预封装结构中的基板和芯片之间、第四预封装结构中的基板和芯片之间、……、第N预封装结构中的基板和芯片之间、及第二预封装结构、第三预封装结构、第四预封装结构……和第N预封装结构之间通过通孔或金属引线实现电气连通。
9.一种射频模组芯片结构，其特征在于，包括叠层设置的第一预封装结构和第二预封装结构，所述第一预封装结构和第二预封装结构设置于壳体的内部；
10.根据权利要求9所述的射频模组芯片结构，其特征在于，所述第一预封装结构中的基板为层叠设置的衬底、金刚石层和铜层，所述铜层与所述芯片接触。
...【技术特征摘要】
1.一种封装叠层式芯片结构，其特征在于，包括叠层设置的第一预封装结构和第二预封装结构，所述第一预封装结构和第二预封装结构设置于壳体的内部；
2.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述衬底的厚度为300～1000μm，所述金刚石层的厚底为50～150μm，所述铜层的厚度为1～2μm。
3.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第一预封装结构中的芯片和基板之间、所述第二预封装结构中的芯片和基板之间及第一预封装结构和第二预封装结构之间通过通孔或金属引线实现电气连通。
4.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第一预封装结构和第二预封装结构之间通过焊盘结构焊接。
5.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第一预封装结构的基板通过焊球实现与所述壳体的焊接。
6.根据权利要求1所述的封装叠层式芯片结构，其特征在于，所述第二预封装结构的表面还包括依...
【专利技术属性】
技术研发人员：王绮梦，黄鑫，林辉，梁宇，杨金飞，刘佳奇，吴浩，
申请(专利权)人：河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司，
类型：发明
国别省市：
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